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內(nèi)存芯片利潤(rùn)創(chuàng)歷史新高 三星開始投產(chǎn)第二條生產(chǎn)線

jXID_bandaotigu ? 2018-02-09 10:50 ? 次閱讀
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韓聯(lián)社周三報(bào)道,三星電子有限公司已經(jīng)決定開始在韓國(guó)的平澤生產(chǎn)基地建設(shè)第二條內(nèi)存芯片生產(chǎn)線。

芯片制造商正在大力投資,以滿足對(duì)半導(dǎo)體的旺盛需求。三星去年表示,計(jì)劃到2021年在平澤新的NAND芯片工廠投資14.4萬億韓元。

三星拒絕對(duì)韓聯(lián)社報(bào)告發(fā)表評(píng)論。

三星在平澤的第一條半導(dǎo)體生產(chǎn)線去年7月開始批量生產(chǎn)。

三星證券(Samsung Securities)分析師Lee Jong-wook周三在一份報(bào)告中寫道:“在今年對(duì)平澤線第一線的投資計(jì)劃已經(jīng)結(jié)束后,其運(yùn)營(yíng)能力將超過70%。”

1月下旬,三星以所謂的內(nèi)存芯片“超級(jí)周期”驅(qū)動(dòng)的年度利潤(rùn)創(chuàng)歷史新高,并預(yù)計(jì)2018年半導(dǎo)體需求將保持強(qiáng)勁,尤其是服務(wù)器芯片。

在此公告前,三星電子副主席李在镕周一在一個(gè)小組委員會(huì)因包括賄賂和貪污罪指控而被判緩刑,并當(dāng)庭釋放。

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原文標(biāo)題:內(nèi)存芯片暴利后 三星開始投產(chǎn)第二條生產(chǎn)線

文章出處:【微信號(hào):bandaotiguancha,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體觀察IC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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