chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

探索東芝 TPH4R50ANH1 MOSFET 在電源效率與可靠性方面的卓越表現(xiàn)

jf_45356764 ? 來(lái)源:jf_45356764 ? 作者:jf_45356764 ? 2024-11-11 09:44 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

隨著工程師不斷推動(dòng)電力電子技術(shù)的發(fā)展,對(duì)高性能、效率和可靠性部件的需求日益增加。東芝 TPH4R50ANH1,這款硅 N 溝道 MOSFET,以其高速切換和低功耗的特點(diǎn),在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中脫穎而出。下面我們將深入探討 TPH4R50ANH1 為什么可能是您設(shè)計(jì)需求的最佳選擇。

wKgZomcxYVuAGEZcAACZPUBxZ_4655.png

wKgaomcxYW-AZUObAABndqkzZyQ076.png

主要特性與優(yōu)勢(shì)

TPH4R50ANH1 MOSFET 擁有多個(gè)關(guān)鍵特性,使其在高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)電壓調(diào)節(jié)器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中備受青睞:

高速切換:

TPH4R50ANH1 的一大亮點(diǎn)就是其高速切換能力。這對(duì)于減少切換過(guò)程中的能量損耗至關(guān)重要,從而提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。其典型門電荷 (QSW) 為 22 nC,輸出電荷 (Qoss) 為 79 nC,確保最小的切換損耗,進(jìn)而有助于更好的熱管理,并減少冷卻需求。

低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):

TPH4R50ANH1 的導(dǎo)通電阻在 VGS = 10V 時(shí)僅為 3.7 m?(典型值)。在需要最大限度降低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用中,這種低 RDS(ON) 是關(guān)鍵。在電源應(yīng)用中,每一毫歐的阻抗都可能轉(zhuǎn)化為顯著的功率節(jié)約,使這款 MOSFET 成為節(jié)能設(shè)計(jì)的理想選擇。

低漏電流

TPH4R50ANH1 的漏電流 (IDSS) 最大值僅為 10 μA(在 VDS = 100 V 時(shí)),確保在待機(jī)或低功耗狀態(tài)下的最小能量浪費(fèi)。此特性對(duì)電池供電設(shè)備或?qū)囊髽O高的系統(tǒng)尤為重要。

增強(qiáng)的熱管理:

MOSFET 的熱性能往往是高功率應(yīng)用中的限制因素。TPH4R50ANH1 的最大結(jié)殼熱阻 (Rth(ch-c)) 為 0.71°C/W,即使在嚴(yán)苛的條件下也能有效散熱。再加上在 Tc = 25°C 時(shí)高達(dá) 170 W 的功耗評(píng)級(jí),使得這款 MOSFET 能在高功率環(huán)境中可靠運(yùn)行。

應(yīng)用場(chǎng)景

TPH4R50ANH1 是多種嚴(yán)苛應(yīng)用的絕佳選擇:

高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器:

低 RDS(ON) 和高速切換能力使 TPH4R50ANH1 成為需要高效率和快速瞬態(tài)響應(yīng)的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的理想選擇。

開(kāi)關(guān)電壓調(diào)節(jié)器:

在電壓調(diào)節(jié)應(yīng)用中,MOSFET 的低漏電流和高熱性能確保穩(wěn)定的操作和長(zhǎng)期的可靠性,即使在緊湊或密集設(shè)計(jì)中也是如此。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

TPH4R50ANH1 能夠處理高達(dá) 138 A 的直流電流和 400 A 的脈沖電流,使其非常適合那些需要精確控制和高效率的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

可靠性與安全性考慮

盡管 TPH4R50ANH1 是一款堅(jiān)固的元件,但要確保其可靠性,需注意其工作極限:

電壓評(píng)級(jí):

該 MOSFET 能承受的漏源電壓 (VDSS) 高達(dá) 100 V,門源電壓 (VGSS) 高達(dá) ±20 V。超出這些范圍可能導(dǎo)致器件失效,因此在設(shè)計(jì)中務(wù)必確保設(shè)備工作在這些限值之內(nèi)。

溫度管理:

TPH4R50ANH1 的最大結(jié)溫為 150°C。超過(guò)此溫度會(huì)降低 MOSFET 的性能和壽命。應(yīng)采用有效的熱管理策略,如足夠的散熱或冷卻措施,以確保設(shè)備在安全的溫度范圍內(nèi)工作。

結(jié)論

東芝 TPH4R50ANH1 MOSFET 以其高效、高速切換和強(qiáng)大的熱性能,成為了工程師們?cè)趦?yōu)化電力電子設(shè)計(jì)時(shí)的絕佳選擇。無(wú)論您正在開(kāi)發(fā) DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器,還是電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,這款 MOSFET 都能提供現(xiàn)代電源應(yīng)用所需的可靠性和性能。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 東芝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    1488

    瀏覽量

    123971
  • 嵌入式
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5188

    文章

    20187

    瀏覽量

    329399
  • 電源效率
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    52

    瀏覽量

    10469
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    探索 onsemi NTH4L020N090SC1:高性能碳化硅 MOSFET卓越特性與應(yīng)用潛力

    電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率可靠性和成本有著至關(guān)重要的影響。近年來(lái),碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其優(yōu)異的性能逐漸成為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的首選。今天,我們就來(lái)深
    的頭像 發(fā)表于 12-05 10:59 ?178次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> onsemi NTH<b class='flag-5'>4L020N090SC1</b>:高性能碳化硅 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的<b class='flag-5'>卓越</b>特性與應(yīng)用潛力

    安森美NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET深度解析

    電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。安森美(onsemi)推出的NTH4L028N170M1碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-04 14:44 ?197次閱讀
    安森美NTH<b class='flag-5'>4L028N170M1</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>深度解析

    探索 onsemi NVHL075N065SC1 SiC MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合

    作為一名電子工程師,日常的設(shè)計(jì)工作中,我們總是尋找那些能夠提升產(chǎn)品性能、增強(qiáng)可靠性的優(yōu)質(zhì)元器件。今天,我想和大家分享一款來(lái)自 onsemi 的單通道 N 溝道 SiC(碳化硅)功率 MOS
    的頭像 發(fā)表于 12-03 13:57 ?245次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> onsemi NVHL075N065SC<b class='flag-5'>1</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>:高性能與<b class='flag-5'>可靠性</b>的完美結(jié)合

    探索 onsemi NVHL015N065SC1 SiC MOSFET:高效能與可靠性的完美結(jié)合

    電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)系統(tǒng)的效率、可靠性和成本有著至關(guān)重要的影響。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NVHL015N065SC1 碳化硅(SiC)
    的頭像 發(fā)表于 11-28 16:34 ?499次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> onsemi NVHL015N065SC<b class='flag-5'>1</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>:高效能與<b class='flag-5'>可靠性</b>的完美結(jié)合

    ?橋堆AI電源前端整流電路的可靠性設(shè)計(jì)與散熱處理

    文章詳細(xì)闡述了橋堆AI電源整流電路中的可靠性設(shè)計(jì)要點(diǎn)和散熱處理方案,通過(guò)參數(shù)對(duì)比分析了其浪涌耐受、熱管理等方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
    的頭像 發(fā)表于 10-28 11:37 ?452次閱讀
    ?橋堆<b class='flag-5'>在</b>AI<b class='flag-5'>電源</b>前端整流電路的<b class='flag-5'>可靠性</b>設(shè)計(jì)與散熱處理

    浮思特 | 探秘至信微SiC功率器件如何提升服務(wù)器電源效率可靠性

    在數(shù)字化浪潮席卷全球的今天,數(shù)據(jù)中心作為“數(shù)字引擎”的核心,其能耗與效率問(wèn)題日益凸顯。服務(wù)器電源,作為數(shù)據(jù)中心的“動(dòng)力心臟”,其性能直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行成本與可靠性。如何打造更高效、更緊湊、更
    的頭像 發(fā)表于 10-22 10:07 ?241次閱讀
    浮思特 | 探秘至信微SiC功率器件如何提升服務(wù)器<b class='flag-5'>電源</b><b class='flag-5'>效率</b>與<b class='flag-5'>可靠性</b>

    B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半導(dǎo)體射頻電源對(duì)效率、可靠性和緊湊化的嚴(yán)苛需求

    B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半導(dǎo)體射頻電源對(duì)效率可靠性和緊湊化的嚴(yán)苛需求
    的頭像 發(fā)表于 07-23 18:09 ?639次閱讀
    B2M030120N SiC碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>完美契合半導(dǎo)體射頻<b class='flag-5'>電源</b>對(duì)<b class='flag-5'>效率</b>、<b class='flag-5'>可靠性</b>和緊湊化的嚴(yán)苛需求

    國(guó)產(chǎn)主板耐用可靠性上有哪些具體表現(xiàn)

    國(guó)產(chǎn)主板耐用可靠性上有著諸多令人矚目的具體表現(xiàn),不同領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
    的頭像 發(fā)表于 07-22 18:21 ?804次閱讀

    深度解析SLM345CK-DG 40V, 1.0 A 高性能、高可靠性兼容光耦的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

    傳統(tǒng)光耦驅(qū)動(dòng)器的管腳,卻在性能和可靠性上實(shí)現(xiàn)了顯著飛躍,是升級(jí)現(xiàn)有光耦驅(qū)動(dòng)方案的理想選擇。 一、核心優(yōu)勢(shì):超越光耦的性能與可靠性SLM34x系列專為高效驅(qū)動(dòng)IGBT和MOSFET而設(shè)計(jì)。其最大亮點(diǎn)
    發(fā)表于 07-21 08:56

    ASP3605芯片在煤炭設(shè)備電源管理中的可靠性設(shè)計(jì)與應(yīng)用探索

    摘要: 本文通過(guò)詳細(xì)分析國(guó)科安芯的ASP3605芯片的電氣特性、保護(hù)功能、散熱性能,驗(yàn)證了該芯片在提高煤炭設(shè)備電源管理系統(tǒng)可靠性方面的有效和可行
    的頭像 發(fā)表于 06-20 18:33 ?436次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(2)

    可靠性檢驗(yàn)中,不僅展現(xiàn)出樣本間的高度一致,更實(shí)現(xiàn)了零老化問(wèn)題。 ?瑞能超級(jí)結(jié) MOSFET 展現(xiàn)出卓越的抗靜電(ESD)能力。 升溫
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:59 ?453次閱讀
    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析(2)

    解析SMA接口電磁兼容方面的卓越表現(xiàn)

    德索精密工業(yè)通過(guò)材料選用、工藝處理以及結(jié)構(gòu)和內(nèi)導(dǎo)體設(shè)計(jì)等多方面的不懈努力,使得其生產(chǎn)的SMA接口電磁兼容方面
    的頭像 發(fā)表于 05-20 08:48 ?521次閱讀
    解析SMA接口<b class='flag-5'>在</b>電磁兼容<b class='flag-5'>性</b><b class='flag-5'>方面的</b><b class='flag-5'>卓越</b><b class='flag-5'>表現(xiàn)</b>

    解析 SMA 接口電磁兼容方面的卓越表現(xiàn)

    德索精密工業(yè)通過(guò)材料選用、工藝處理以及結(jié)構(gòu)和內(nèi)導(dǎo)體設(shè)計(jì)等多方面的不懈努力,使得其生產(chǎn)的SMA接口電磁兼容方面
    的頭像 發(fā)表于 05-14 09:12 ?498次閱讀
    解析 SMA 接口<b class='flag-5'>在</b>電磁兼容<b class='flag-5'>性</b><b class='flag-5'>方面的</b><b class='flag-5'>卓越</b><b class='flag-5'>表現(xiàn)</b>

    東芝TPH9R00CQ5 MOSFET的功能特性

    的縮減,物理限制逐漸顯現(xiàn),MOSFET面臨著性能瓶頸;加之苛刻環(huán)境對(duì)可靠性的迫切要求,構(gòu)成了需要共同攻克的難題。
    的頭像 發(fā)表于 02-15 09:18 ?863次閱讀
    <b class='flag-5'>東芝</b><b class='flag-5'>TPH9R</b>00CQ5 <b class='flag-5'>MOSFET</b>的功能特性

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測(cè)試方法,對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37