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CMP的平坦化機(jī)理、市場(chǎng)現(xiàn)狀與未來(lái)展望

DT半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:DT半導(dǎo)體 ? 2024-11-27 17:15 ? 次閱讀
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CMP技術(shù)概述

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP,Chemical Mechanical Polishing)作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體制造工藝,近年來(lái)隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,其重要性日益凸顯。CMP通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用,實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓表面的超精密平坦化處理,是先進(jìn)制程(如7nm、5nm及以下)中不可或缺的技術(shù)。

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CMP技術(shù)平坦化處理對(duì)晶片表面影響示意圖 圖源:公開(kāi)網(wǎng)絡(luò)

CMP的平坦化機(jī)理

1、基本原理

CMP的平坦化過(guò)程是通過(guò)化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)的。具體步驟如下:

化學(xué)反應(yīng)層的形成:

拋光液中的化學(xué)試劑(如酸性或堿性溶液)與晶圓表面的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成一層較軟的化學(xué)反應(yīng)層。例如,在銅CMP過(guò)程中,氧化劑(如過(guò)氧化氫)會(huì)將銅氧化成氧化銅(CuO),形成一層氧化層。這層化學(xué)反應(yīng)層比原始材料更軟,更容易被機(jī)械研磨去除。

機(jī)械研磨去除:

拋光墊上的磨料顆粒(如二氧化硅、氧化鋁等)在拋光墊的壓力作用下,與晶圓表面接觸,通過(guò)物理磨損的方式去除化學(xué)反應(yīng)層。

拋光過(guò)程中的壓力和旋轉(zhuǎn)速度對(duì)研磨效率和表面質(zhì)量有重要影響。較高的壓力和速度可以提高去除速率,但可能會(huì)增加表面粗糙度。

表面平坦化:

通過(guò)化學(xué)和機(jī)械作用的協(xié)同作用,晶圓表面的凹凸不平被逐漸去除,最終實(shí)現(xiàn)平坦化的表面?;瘜W(xué)反應(yīng)層被去除后,新的材料表面暴露出來(lái),重復(fù)上述化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械研磨過(guò)程,直到達(dá)到所需的平坦化效果。

2、影響平坦化效果的因素

化學(xué)因素:拋光液成分、化學(xué)反應(yīng)速率等。

機(jī)械因素:拋光墊特性、磨料顆粒特性、壓力、旋轉(zhuǎn)速度等。

工藝參數(shù):溫度、拋光時(shí)間等。

CMP的市場(chǎng)規(guī)模與需求分析

1、當(dāng)前市場(chǎng)規(guī)模

2023年市場(chǎng)規(guī)模:全球CMP材料市場(chǎng)規(guī)模約為25億美元。

其中,拋光液占比最大,約為60%,拋光墊占比約為30%,其他材料(如清洗液、添加劑等)占比約為10%。

2024年第一季度市場(chǎng)規(guī)模:全球CMP材料市場(chǎng)規(guī)模約為7億美元,同比增長(zhǎng)約10%。

主要增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)自半導(dǎo)體制造業(yè)的持續(xù)擴(kuò)張,尤其是先進(jìn)制程和新型材料(如金剛石、碳化硅、氮化鎵等)的需求增加。

2、需求分析

半導(dǎo)體制造業(yè)的需求:CMP工藝是半導(dǎo)體制造中不可或缺的步驟,尤其是在晶圓平坦化、多層金屬布線、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域。

隨著半導(dǎo)體制造工藝的不斷進(jìn)步,對(duì)CMP工藝的平坦化精度和材料去除速率要求越來(lái)越高。

先進(jìn)制程的需求:先進(jìn)制程(如7nm、5nm及以下)對(duì)CMP工藝的需求尤為迫切,因?yàn)檫@些制程對(duì)表面平坦化和缺陷控制的要求極高。

新型材料的需求:金剛石、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新型半導(dǎo)體材料的應(yīng)用增加,對(duì)CMP工藝提出了新的挑戰(zhàn)和需求。

未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

高精度平坦化:CMP技術(shù)將朝著更高的平坦化精度和更低的表面粗糙度方向發(fā)展,以滿足先進(jìn)制程的需求。

新材料應(yīng)用:開(kāi)發(fā)新的拋光液和拋光墊,以適應(yīng)金剛石、碳化硅、氮化鎵等新型材料的需求。

環(huán)保和可持續(xù)性:開(kāi)發(fā)更環(huán)保的拋光液和回收利用拋光墊等,推動(dòng)CMP技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展。

CMP作為半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝,其平坦化機(jī)理通過(guò)化學(xué)和機(jī)械作用的協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,CMP的市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大,需求不斷增加。未來(lái),CMP技術(shù)將朝著高精度、新材料應(yīng)用和環(huán)??沙掷m(xù)的方向發(fā)展,市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)增長(zhǎng)。

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原文標(biāo)題:CMP技術(shù)解析:平坦化機(jī)理、市場(chǎng)現(xiàn)狀與未來(lái)展望

文章出處:【微信號(hào):DT-Semiconductor,微信公眾號(hào):DT半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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