chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

看懂CBB電容和CL電容參數(shù)

智旭JEC ? 來源:智旭JEC ? 作者:智旭JEC ? 2024-12-18 10:07 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

薄膜電容是一種以金屬箔當電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀構造的電容器。
因薄膜電容具有無極性、耐壓高、溫度特性好、絕緣阻抗高、頻率特性好等優(yōu)勢而主要應用于電子、家電、通訊等多個行業(yè)。
在認識薄膜電容時會發(fā)現(xiàn)薄膜電容表面上印有一些字符和數(shù)字,那你知道這些字符和數(shù)字是什么意思嗎?
其實薄膜電容表面印有的字符和數(shù)字是薄膜電容的參數(shù),薄膜電容參數(shù)對于選購和應用電子產(chǎn)品上有幫助。小編選用兩款薄膜電容:CBB21電容和CL21電容教你們?nèi)绾慰碈BB電容和CL電容參數(shù)。
CBB21 102J 250V電容絲印參數(shù):

poYBAGNGgFKAZ2EHAADId0RbYyw170.png智旭電子薄膜電容

1、CBB:表示電容器材質為聚丙烯薄膜
2、21電容器的型號
3、102:表示CBB21電容容量為1000pF,也就是0.001μF
4、J:表示CBB21容量偏差為±5%
5、250V:表示CBB21額定電壓為250V
6、V:電容器的電壓單位
CL21 224J 450V電容絲印參數(shù):

pYYBAGKzw9-AGiM5AANPKBMC4tg372.png智旭電子薄膜電容


1、CL:電容器的材質是金屬化聚酯薄膜
2、21:電容器的型號
3、224:表示CL21電容容量為220000pF,也就是0.22μF
4、J:表示CL21電容的容量偏差為±5%
5、450:表示CL21電容的額定電壓為450V
6、V:電容器的電壓單位
怎樣,以上的電容絲印參數(shù)你學會了嗎?是不是很簡單。
學會如何看電容的絲印參數(shù)后再看到CBB電容CL電容和絲印上的字符和數(shù)字就知道是什么意思了,希望這篇文章對你學習電容器有所幫助。

還想知道什么內(nèi)容歡迎在留言欄留言。
審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電容
    +關注

    關注

    100

    文章

    6479

    瀏覽量

    159101
  • CL
    CL
    +關注

    關注

    0

    文章

    8

    瀏覽量

    8673
  • CBB電容
    +關注

    關注

    0

    文章

    127

    瀏覽量

    6630
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    三環(huán)CBB22薄膜電容的損耗角正切值如何影響電路性能?

    三環(huán)CBB22薄膜電容的損耗角正切值(DF值)是衡量其介質損耗的核心參數(shù),其數(shù)值大小直接影響電路性能,具體表現(xiàn)為以下方面: 1. 損耗角正切值的定義與意義 損耗角正切值(DF)是電容
    的頭像 發(fā)表于 01-28 17:36 ?73次閱讀
    三環(huán)<b class='flag-5'>CBB</b>22薄膜<b class='flag-5'>電容</b>的損耗角正切值如何影響電路性能?

    三星電容選型關鍵參數(shù)全解析

    在電子電路設計中,三星電容憑借其高可靠性和多樣化產(chǎn)品線,廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等領域。選型時需綜合考量以下核心參數(shù),以確保電容性能與電路需求精準匹配。 一、電容值與誤差
    的頭像 發(fā)表于 01-08 15:34 ?146次閱讀
    三星<b class='flag-5'>電容</b>選型關鍵<b class='flag-5'>參數(shù)</b>全解析

    TDK CBB65A - 1電機運行電容器:特性、參數(shù)與應用解析

    TDK CBB65A - 1電機運行電容器:特性、參數(shù)與應用解析 在電子工程領域,電機運行電容器是眾多設備中不可或缺的關鍵元件。今天,我們就來詳細探討TDK推出的
    的頭像 發(fā)表于 12-26 11:30 ?559次閱讀

    安規(guī)電容與普通電容:差異與深度解析

    特定安全認證,外觀標識也較為隨意,甚至可能省略品牌信息;而安規(guī)電容必須通過國際或國家權威機構的安全認證,外殼上不僅要清晰標注品牌,還需印有認證標志、容量、耐壓值等關鍵參數(shù)。這種嚴格的標識要求,是安規(guī)電容安全性
    的頭像 發(fā)表于 11-28 11:26 ?1248次閱讀
    安規(guī)<b class='flag-5'>電容</b>與普通<b class='flag-5'>電容</b>:差異與深度解析

    CBB82電容CBB81電容有什么區(qū)別

    CBB81電容大家都不陌生,它屬于高壓諧振電容器,在很多高壓、高頻、大電流電路中,都能見到它的身影,還有一種電容器叫CBB82
    的頭像 發(fā)表于 09-15 14:53 ?915次閱讀

    哪些電容可以替代CBB81電容

    CBB81電容屬于高壓諧振薄膜電容器,主要用于高壓、高頻、大電流電路中,事實上,有很多電容器的作用和CBB81
    的頭像 發(fā)表于 08-26 14:23 ?1178次閱讀

    貞光科技代理品牌 | 三星電容物料編碼規(guī)則

    韓國三星電子的電容物料編碼規(guī)則采用分段式結構,不同位置字符代表特定參數(shù)(如尺寸、容值/阻值、誤差、耐壓等)。貞光科技作為三星電機的專業(yè)代理商,致力于為客戶提供優(yōu)質的車規(guī)級電容解決方案。以下分類整理
    的頭像 發(fā)表于 08-07 15:51 ?1258次閱讀
    貞光科技代理品牌 | 三星<b class='flag-5'>電容</b>物料編碼規(guī)則

    薄膜電容器的優(yōu)點有哪些

    薄膜電容器雖然理論上有很多種材質,我們實際生產(chǎn)時主要有CBB金屬化聚丙烯薄膜電容CL金屬化聚酯薄膜電容兩種類型,它是電路上極重要的一類電子
    的頭像 發(fā)表于 07-21 16:03 ?1039次閱讀

    32.768kHz晶振電容匹配指南

    32.768kHz晶振電容匹配指南選擇32.768kHz晶振的電容大小是一個關鍵的考慮因素,它直接影響到晶振的穩(wěn)定性和性能。在選擇電容時,我們需要充分考慮晶振的電氣參數(shù)、電路板的設計以
    的頭像 發(fā)表于 07-03 18:07 ?1574次閱讀
    32.768kHz晶振<b class='flag-5'>電容</b>匹配指南

    如何匹配晶振的負載電容

    匹配晶振的負載電容需要考慮多個因素,從明確原理出發(fā),通過計算、調(diào)整等步驟達成。 一、理解負載電容的概念 負載電容CL)是指在電路中跨接晶體兩端的總的有效
    的頭像 發(fā)表于 06-21 11:42 ?929次閱讀
    如何匹配晶振的負載<b class='flag-5'>電容</b>

    電解電容的紋波電流參數(shù)代表什么?

    電解電容的紋波電流參數(shù)代表的是流經(jīng)電容器的交流電流的有效值(RMS值),它在電壓上的表現(xiàn)為脈動或紋波電壓,是描述電容器對交流信號響應能力和能量損耗的重要
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:44 ?1609次閱讀
    電解<b class='flag-5'>電容</b>的紋波電流<b class='flag-5'>參數(shù)</b>代表什么?

    三星貼片電容器規(guī)格對照表的內(nèi)容概括

    三星貼片電容器規(guī)格對照表通常涵蓋了多個關鍵參數(shù),用于描述和區(qū)分不同型號的貼片電容器。以下是對該規(guī)格對照表內(nèi)容的概括: ?一、系列編碼 CL :表示多層
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:51 ?1617次閱讀

    關于晶振負載電容的探討

    負載電容的晶振,如負載電容CL=6pF,就意味著電容的變化(如電路板雜散電容)對晶振頻率的影響會較大。相對而言,如負載
    的頭像 發(fā)表于 04-24 12:17 ?1289次閱讀
    關于晶振負載<b class='flag-5'>電容</b>的探討

    貼片電容代理-電容厚度與電容量關系

    在電子元件領域,電容作為儲能與信號處理的核心組件,其電容參數(shù)直接影響電路性能。然而,行業(yè)長期存在“電容越厚電容量越高”的認知誤區(qū)。 一、
    的頭像 發(fā)表于 04-18 14:41 ?1387次閱讀
    貼片<b class='flag-5'>電容</b>代理-<b class='flag-5'>電容</b>厚度與<b class='flag-5'>電容</b>量關系

    三星CL21B106KAFNNNE電容:X7R材質高穩(wěn)定性貼片電容

    :貼片電容 二、性能參數(shù) 電容值 :10μF 容差 :±10% 額定電壓 :25V(與CL21B106KPQNNNE的10V不同,提供了更高的電壓承受能力) 溫度系數(shù) :X7R(意味
    的頭像 發(fā)表于 02-28 15:08 ?1180次閱讀