特瑞仕半導(dǎo)體株式會社(日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理:木村 岳史,以下簡稱“特瑞仕”)開發(fā)了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R作為功率器件的新系列。
近年來,工業(yè)設(shè)備和汽車相關(guān)設(shè)備對低功耗、小型化和高效化的需求不斷增加。為了響應(yīng)這些市場需求,特瑞仕不斷加強(qiáng)MOSFET技術(shù)。特別是針對工業(yè)設(shè)備、數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器使用的48V直流電機(jī),采用了支持耐壓100V的設(shè)計,兼具高性能與高性價比。
XPJ101N04N8R實現(xiàn)了最大4.4mΩ的導(dǎo)通電阻,而XPJ102N09N8R實現(xiàn)了最大9.4mΩ的導(dǎo)通電阻。這種低導(dǎo)通電阻能夠有效降低能量損失,有助于提高整個系統(tǒng)的效率。該產(chǎn)品擁有出色的FOM(Figure of Merit),非常適合需要高速切換特性的應(yīng)用??捎糜谥绷麟姍C(jī)、開關(guān)電路等多種應(yīng)用場景。
產(chǎn)品采用DFN5060-8L封裝(6.0 x 4.9 x h1.1mm),有助于設(shè)備的小型化。此外,這些產(chǎn)品符合歐盟RoHS指令,并為無鉛環(huán)保產(chǎn)品。
| 產(chǎn)品名 | 封裝 | VDSS | ID(A) | RDS(ON)(MAX.) |
|---|---|---|---|---|
| XPJ101N04N8R | DFN5060-8L | 100 | 122 | 4.4mΩ |
| XPJ102N09N8R | DFN5060-8L | 100 | 59 | 9.4mΩ |
關(guān)于特瑞仕半導(dǎo)體株式會社
特瑞仕半導(dǎo)體株式會社(總公司:東京、東證第一部: 6616)從 1995年設(shè)立以來,作為國內(nèi)唯一的模擬電源IC的專業(yè)廠家,以「Powerfully Small」為產(chǎn)品制造追求的目標(biāo),提供增加客戶產(chǎn)品的附加值的世界最小級的高效率模擬電源IC以及可以加快客戶產(chǎn)品開發(fā)的電源設(shè)計方案。
特瑞仕的產(chǎn)品以國內(nèi)為首,通過海外6家分公司7處銷售點銷往世界各地,被廣泛用于工業(yè)機(jī)器,汽車用品,通信,電腦產(chǎn)品,穿戴電子等市場。
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原文標(biāo)題:低導(dǎo)通電阻、高速切換 功率器件N溝道MOSFET產(chǎn)品線擴(kuò)充XPJ101N04N8R、XPJ102N09N8R
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