隨著集成電路的不斷縮小，傳統(tǒng)硅基材料逐漸接近性能極限。碳納米管，作為一種低維材料，憑借其獨特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能，在射頻領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。

碳納米管的種類和優(yōu)勢：

半導體性碳納米管：由于其獨特的準一維結(jié)構(gòu)，能夠有效減小散射相位空間，載流子平均自由程長，在尺寸縮減過程中受到的短溝道效應弱，同時具有優(yōu)異的化學穩(wěn)定性、機械強度和熱穩(wěn)定性。

CMOS架構(gòu)：碳納米管可以實現(xiàn)CMOS架構(gòu)，這是其他新材料難以企及的優(yōu)勢，使其在未來大規(guī)模集成和電路設(shè)計中更具競爭力。

材料分類：

單根碳納米管：早期用于原理驗證，2003年實現(xiàn)無摻雜p型晶體管。

薄膜碳納米管：溶液法制備，密度10~30根/微米，成本低但取向隨機，適用于生物傳感等低集成場景。

陣列碳納米管：通過CVD或維度自限制法（DLSA）制備，高密度（>100根/微米）、高純度（半導體純度>99.999%），是射頻器件的核心材料。

不同種類碳納米管材料和 MOSFET: (a) 單根碳納米管; (b) 網(wǎng)狀碳納米管; (c) 陣列碳納米管; (d) 單 管 MOSFET; (e) 網(wǎng)狀碳管 MOSFET; (f) 陣列碳管 MOSFET

碳納米管射頻工藝發(fā)展

1.制備技術(shù)

CVD法：在石英或高阻硅襯底上生長，但早期半導體純度低。

溶液法結(jié)合電泳（DEP）：提升半導體純度至99%，密度達30根/微米，實現(xiàn)30 GHz本征截止頻率。

DLSA技術(shù)（2020年突破）：實現(xiàn)晶圓級（101.6 mm）高密度（100~200根/微米）、高純度陣列碳納米管，為THz級應用奠定基礎(chǔ)。

2.器件加工工藝

無摻雜技術(shù)：利用金屬鈦（Ti）功函數(shù)特性，形成自對準歐姆接觸，避免傳統(tǒng)摻雜對晶格的破壞。

T型柵與空氣間隙結(jié)構(gòu)：降低寄生電容，提升高頻性能（如120根/微米陣列管實現(xiàn)540 GHz本征截止頻率）。

界面優(yōu)化：通過高k柵介質(zhì)（如HfO?、Al?O?）降低界面態(tài)密度（目標<1011 cm?2·eV?1），提升載流子遷移率。

碳納米管射頻器件應用與成果

1.倍頻器與混頻器

雙極性特性：利用零偏置下的對稱V型轉(zhuǎn)移曲線，實現(xiàn)高效倍頻（如200 kHz輸入→800 kHz四倍頻輸出，頻譜純度50%）。

混頻器：2017年實現(xiàn)W波段（75~110 GHz）混頻器MMIC電路，輸出功率壓縮點達-4.2 dBm。

2.射頻放大器

高增益與線性度：2019年制備的碳納米管射頻晶體管在K波段（18 GHz）實現(xiàn)23.2 dB增益，輸出三階交調(diào)點（OIP3）達17.6 dBm。

功率密度突破：2020年北京大學團隊在120根/微米陣列管上實現(xiàn)540 GHz/306 GHz本征截止頻率，THz級應用潛力顯現(xiàn)。

3.絕緣基底應用

優(yōu)勢：直接沉積于石英或高阻硅襯底，降低寄生電容，優(yōu)于需轉(zhuǎn)移的石墨烯和難外延的III-V族材料。

成果：2020年在101.6 mm石英襯底上實現(xiàn)186 GHz/158 GHz的射頻晶體管性能。

技術(shù)挑戰(zhàn)與未來展望

1.核心挑戰(zhàn)

材料制備：需兼顧大尺寸（>203.2 mm）、高密度（>200根/微米）、高純度和低缺陷。

界面態(tài)密度：當前約6.1×1011 cm?2·eV?1，需進一步降低以提升器件穩(wěn)定性。

溝道電阻：T型柵間隙區(qū)域的高阻態(tài)問題，需通過摻雜或結(jié)構(gòu)優(yōu)化解決。

2.未來方向

CMOS集成：延續(xù)無摻雜技術(shù)優(yōu)勢，推動碳納米管在數(shù)字-射頻混合電路中的應用。

太赫茲應用：優(yōu)化工藝實現(xiàn)理論預測的THz級截止頻率（>1 THz）。

三維集成：結(jié)合柔性電子與三維堆疊技術(shù)，拓展在6G通信和物聯(lián)網(wǎng)中的應用場景。

總結(jié)

碳納米管憑借超高遷移率、CMOS兼容性和獨特雙極性特性，在射頻領(lǐng)域展現(xiàn)出顛覆性潛力。當前研究已實現(xiàn)THz級本征性能，未來需突破材料制備與界面優(yōu)化瓶頸，推動其在高頻通信、功率放大和集成系統(tǒng)中的應用。