在電子設(shè)備的存儲領(lǐng)域，鐵電存儲器憑借其獨特優(yōu)勢，在諸多場景中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。當(dāng)涉及到存儲芯片的更新?lián)Q代，舜銘存儲的鐵電存儲器 SF25C20逐漸成為替換FM25V20A和MB85RS2MT的熱門選擇，本文主要深入剖析它的優(yōu)勢和應(yīng)用特點。

SF25C20/FM25V20A/MB85RS2MT功能特征一覽表：

舜銘存儲的SF25C20是一顆新型鐵電存儲器，芯片的配置為262,144×8 位，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。該芯片中使用的存儲單元可用于1E11次讀/寫操作，它的讀/寫耐久性大大超過FLASH和EEPROM，且不會像FLASH或EEPROM那樣需要很長的數(shù)據(jù)寫入時間，而且它不需要等待時間。

SF25C20功能框圖

富士通的MB85RS2MT配置為262,144字x8位，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來形成非易失性存儲單元。MB85RS2MT采用串行外圍接口(SPI)。MB85RS2MT能夠在不使用備用電池的情況下保留數(shù)據(jù)。MB85RS2MT中使用的存儲單元比閃存和E2PROM支持的讀寫操作次數(shù)有了顯著提高。MB85RS2MT不像閃存或E2PROM那樣需要很長時間來寫入數(shù)據(jù)，也沒有等待時間。

MB85RS2MT功能框圖

賽普拉斯的FM25V20A是一種采用先進鐵電工藝的2M非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器是非易失性的，讀寫操作類似于RAM。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器帶來的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。與串行閃存和EEPROM不同，F(xiàn)M25V20A在總線速度下執(zhí)行寫入操作。不會產(chǎn)生寫入延遲。此外，該產(chǎn)品與其他非易失性存儲器相比，具有顯著的寫入耐久性。

FM25V20A功能框圖

總結(jié)：舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20在性能、成本和兼容性等多方面展現(xiàn)出了明顯優(yōu)勢，是替換FM25V20A和MB85RS2MT的理想選擇。

注：如涉及作品版權(quán)問題，請聯(lián)系刪除。