電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶） SanDisk閃迪日前展示了其最新研發(fā)的高帶寬閃存（HBF），這是一種專為 AI 領(lǐng)域設(shè)計的新型存儲器架構(gòu)。

圖源：閃迪官網(wǎng)

在設(shè)計上，HBF結(jié)合了3D NAND閃存和高帶寬存儲器（HBM）的特性，能更好地滿足AI推理的需求。

HBF的堆疊設(shè)計類似于HBM，通過硅通孔（TSVs）將多個高性能閃存核心芯片堆疊，連接到可并行訪問閃存子陣列的邏輯芯片上。也就是基于 SanDisk的 BICS 3D NAND 技術(shù)，采用CMOS直接鍵合到陣列（CBA）設(shè)計，將3D NAND存儲陣列鍵合在I/O 芯片上。

HBF 打破了傳統(tǒng)的 NAND 設(shè)計，實現(xiàn)了獨立訪問的存儲器子陣列，超越了傳統(tǒng)的多平面方法，這種設(shè)計提高了存儲器的并行訪問能力，從而提升了帶寬和吞吐量。

HBF可匹配HBM的帶寬，同時以相近的成本實現(xiàn)每個堆棧的容量比HBM高出8到16倍。HBF使用16個核心芯片，單堆棧容量可達(dá)512GB，8 個HBF 堆?？蓪崿F(xiàn) 4TB的容量。

圖源：閃迪官網(wǎng)


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下圖顯示出，8個HBF堆棧提供高達(dá) 4TB容量，可支持AI大模型運行在GPU硬件上，其高容量特性發(fā)揮得十分出色。



據(jù)介紹，單顆 HBF可容納完整的 64B 模型，有望應(yīng)用于手機端大模型本地化，也適用于自動駕駛、AI玩具、IoT等邊緣設(shè)備的低功耗、高容量的邊緣AI存儲需求。

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不過，HBF主要具備高帶寬和容量的特性，但由于NAND閃存的延遲較高，HBF在速度上不如DRAM。因此，?該技術(shù)針對的是讀取密集型 AI 推理任務(wù)，而不是延遲敏感型應(yīng)用。

閃迪將推動HBF的開放標(biāo)準(zhǔn)生態(tài)建設(shè)，例如建立相同的電氣接口，以實現(xiàn)無縫集成，與行業(yè)伙伴共同合作，同時閃迪將持續(xù)創(chuàng)新推動閃存技術(shù)的進(jìn)步。

根據(jù)HBF技術(shù)路線圖，其第二代產(chǎn)品容量將提升1.5倍，第三代產(chǎn)品提升2倍，第二代產(chǎn)品的讀取性能帶寬較第一代提升1.45倍，第三代提升2倍，同時能耗也將得到顯著下降。

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閃迪表示，AI加速云端和邊緣端設(shè)備的增長，拉動AI基礎(chǔ)設(shè)施、AI推理、邊緣推理、智能終端等需求。例如2024年eSSD同比增長超過100%，對高性能和高容量eSSD的需求顯著提升。我們看到智能手機、PC終端增長恢復(fù)，除此之外，還將產(chǎn)生大量的AI應(yīng)用內(nèi)容。這些都需要更好的存儲產(chǎn)品加以滿足所需。

AI大模型的發(fā)展最先帶旺高帶寬內(nèi)存HBM的需求，配合英偉達(dá)GPU用于AI訓(xùn)練。全球三大存儲廠商SK海力士、三星電子、美光科技作為主流供應(yīng)商，受益最多。顯然，DeepSeek引爆AI推理應(yīng)用之后，更多存儲新技術(shù)架構(gòu)和產(chǎn)品將有機會推出。閃迪的HBF以其高容量、高性能、低功耗的特性滿足AI模型存儲和推理需求，正是用于AI推理的新型存儲產(chǎn)品當(dāng)中具有代表性的存在。

我們將繼續(xù)跟進(jìn)適用于AI推理的存儲產(chǎn)品以及創(chuàng)新型企業(yè)和技術(shù)等，保持動態(tài)報道，也歡迎大家關(guān)注。