碳化硅行業(yè)觀察：國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析

近年來，碳化硅（SiC）功率器件市場雖高速增長，但行業(yè)集中度快速提升，2024年以來多家SiC器件設(shè)計(jì)公司接連倒閉，國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司正在加速被市場拋棄：碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司出現(xiàn)倒閉潮，這是是市場集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務(wù)動(dòng)態(tài)，可從以下維度分析這一趨勢：

1. 技術(shù)壁壘與產(chǎn)能競賽：頭部企業(yè)構(gòu)建護(hù)城河

技術(shù)門檻高企：碳化硅晶圓制備、外延生長和器件設(shè)計(jì)需長期技術(shù)積累。

產(chǎn)能規(guī)模決定成本：英飛凌通過奧地利菲拉赫和馬來西亞居林工廠的8英寸產(chǎn)線升級(jí)，顯著降低了單位成本；安森美收購GTAT后，基板自給率超50%，進(jìn)一步鞏固供應(yīng)鏈優(yōu)勢。相比之下，設(shè)計(jì)公司因缺乏產(chǎn)能支撐，難以實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)，成本劣勢凸顯。

2. 垂直整合與IDM模式主導(dǎo)市場

頭部企業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈布局：安森美從Fab-lite轉(zhuǎn)向IDM模式，自建晶圓廠和封測產(chǎn)線，確保從襯底到模塊的全流程控制。其韓國富川工廠計(jì)劃2025年轉(zhuǎn)為8英寸廠，目標(biāo)毛利率達(dá)50%。英飛凌雖依賴外部基板供應(yīng)，但通過多元化供應(yīng)商體系保障供應(yīng)鏈穩(wěn)定。

國產(chǎn)企業(yè)加速追趕：基本半導(dǎo)體通過股份制改革和產(chǎn)能擴(kuò)建提升競爭力，BASiC基本股份自2017年開始布局車規(guī)級(jí)SiC碳化硅器件研發(fā)和制造，逐步建立起規(guī)范嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管理體系，將質(zhì)量管理貫穿至設(shè)計(jì)、開發(fā)到客戶服務(wù)的各業(yè)務(wù)過程中，保障產(chǎn)品與服務(wù)質(zhì)量。比如BASiC基本股份分別在深圳、無錫投產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC碳化硅芯片產(chǎn)線（深圳基本半導(dǎo)體）和汽車級(jí)SiC碳化硅功率模塊（無錫基本半導(dǎo)體）專用產(chǎn)線；比如BASiC基本股份自主研發(fā)的汽車級(jí)SiC碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個(gè)車型定點(diǎn)，BASiC基本股份是國內(nèi)第一批SiC碳化硅模塊量產(chǎn)上車的頭部企業(yè)。然而，國際巨頭已占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢，國產(chǎn)企業(yè)仍需時(shí)間驗(yàn)證車規(guī)級(jí)可靠性。

3. 市場需求分化：車規(guī)級(jí)認(rèn)證成關(guān)鍵淘汰機(jī)制

新能源汽車驅(qū)動(dòng)高門檻：車規(guī)級(jí)SiC器件對(duì)可靠性和壽命要求極高。安森美的EliteSiC系列已進(jìn)入北美頭部車企供應(yīng)鏈；意法半導(dǎo)體與特斯拉合作，占全球車用SiC MOSFET市場超30%。碳化硅器件設(shè)計(jì)公司因缺乏車規(guī)認(rèn)證經(jīng)驗(yàn)，難以進(jìn)入核心供應(yīng)鏈。

工業(yè)與光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域競爭加劇：英飛凌憑借工業(yè)市場優(yōu)勢占據(jù)近50%營收，但國際光伏逆變器等客戶需求波動(dòng)導(dǎo)致其部分產(chǎn)線閑置。

4. 資本密集與行業(yè)整合加速洗牌

融資門檻抬高：2024年碳化硅行業(yè)融資事件減少，缺乏持續(xù)融資能力的碳化硅器件設(shè)計(jì)公司因研發(fā)投入不足，逐步被邊緣化，從去年開始出現(xiàn)倒閉潮。

并購與IPO成退出路徑：行業(yè)頭部企業(yè)通過收購整合技術(shù)資源，如羅姆收購Solar Frontier工廠擴(kuò)大產(chǎn)能；Wolfspeed雖因財(cái)務(wù)壓力面臨挑戰(zhàn)，但其8英寸基板技術(shù)仍具吸引力。國內(nèi)企業(yè)如基本半導(dǎo)體計(jì)劃IPO，行業(yè)集中度進(jìn)一步提升。

5. 國產(chǎn)替代窗口期收窄，技術(shù)迭代壓力陡增

政策驅(qū)動(dòng)與市場倒逼：中國“十四五”規(guī)劃將SiC列為戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，但國際巨頭已占據(jù)全球72%市場份額（ST、英飛凌、Wolfspeed等）。國產(chǎn)企業(yè)需在2025年前突破8英寸晶圓技術(shù)，否則將錯(cuò)失窗口期。

技術(shù)迭代速度決定生死：BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)的第三代SiC MOSFET性能接近國際水平，但英飛凌憑借現(xiàn)有技術(shù)仍然有先進(jìn)性，技術(shù)差距仍在存在。而碳化硅器件設(shè)計(jì)公司無法快速跟進(jìn)，正在加速被淘汰。

結(jié)論：淘汰是市場集中化的必然結(jié)果

碳化硅功率器件行業(yè)的淘汰潮和倒閉潮源于技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈的三重壁壘。頭部企業(yè)通過垂直整合、產(chǎn)能擴(kuò)張和技術(shù)迭代構(gòu)建壟斷優(yōu)勢，而碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司受限于資源與經(jīng)驗(yàn)，無法跨越車規(guī)認(rèn)證和規(guī)模經(jīng)濟(jì)門檻。碳化硅功率器件行業(yè)已經(jīng)呈現(xiàn)“強(qiáng)者恒強(qiáng)”格局，僅有少數(shù)具備全產(chǎn)業(yè)鏈能力比如BASiC基本股份或細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破（車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊）的企業(yè)能夠存活。國產(chǎn)企業(yè)需加速技術(shù)攻堅(jiān)與資本整合，方能在國際競爭中占據(jù)一席之地。

審核編輯 黃宇