在進(jìn)口 GPU 被限制的情況下, 國(guó)產(chǎn) AI 芯片( GPU, TPU ) 的替代進(jìn)程正在持續(xù)加快. 越來(lái)越多的國(guó)內(nèi)企業(yè)愈發(fā)重視自主研發(fā) AI 芯片。

上海伯東代理美國(guó) inTEST 高低溫沖擊熱流儀助力 AI 芯片國(guó)產(chǎn)化, 協(xié)助研發(fā)各類 GPU, TPU 芯片, 在 AI 芯片的制造和設(shè)計(jì)中的溫度測(cè)試環(huán)節(jié), 通過(guò)進(jìn)行全面而精確的高低溫沖擊測(cè)試, 提前發(fā)現(xiàn)并解決潛在的設(shè)計(jì)缺陷, 從而確保芯片在長(zhǎng)期使用中的性能和可靠性.

inTEST ThermoStream 高低溫沖擊熱流儀提供 AI 芯片溫度循環(huán)測(cè)試解決方案

AI 芯片溫度循環(huán)測(cè)試的目的是評(píng)估芯片在不同溫度條件下的性能和可靠性, 以模擬實(shí)際使用環(huán)境中的溫度變化. 該測(cè)試旨在驗(yàn)證芯片在溫度變化時(shí)是否能夠正常工作, 以及是否能夠保持穩(wěn)定性和可靠性.

溫度循環(huán)測(cè)試通常涵蓋了芯片所需的操作溫度范圍, 包括常溫, 極端高溫和低溫. 具體溫度范圍根據(jù)芯片的設(shè)計(jì)要求和應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)確定. 測(cè)試中會(huì)進(jìn)行多個(gè)溫度循環(huán), 其中一個(gè)循環(huán)包括一段時(shí)間的高溫暴露和一段時(shí)間的低溫暴露. 循環(huán)次數(shù)可以根據(jù)芯片的設(shè)計(jì)壽命要求來(lái)確定.

上海伯東美國(guó) inTEST 熱流儀溫度范圍 -100 ℃ 至+ 300 ℃, 防靜電設(shè)計(jì), 不需要 LN2 或 LCO2 冷卻, 溫度顯示精度: ±1℃,滿足 AI 芯片溫度測(cè)試需求.

inTEST ThermoStream 高低溫沖擊熱流儀特點(diǎn)

一. 支持各種高低溫可靠性驗(yàn)證

AI 芯片(如 GPU, TPU 等)因高算力需求常面臨復(fù)雜熱環(huán)境挑戰(zhàn), 需通過(guò)熱流儀模擬極端溫度條件進(jìn)行可靠性測(cè)試.

上海伯東 inTEST 熱流儀 -100 ℃ 至+ 300 ℃ 溫度范圍, 使用自主研發(fā)的 New ThermoStream OCM 系統(tǒng), 兼容 Ethernet, IEEE-488, RS232, 配給觸屏的人機(jī)控制界面, 可精準(zhǔn)定位單個(gè) IC 模塊的溫度沖擊響應(yīng), 確保 AI 芯片在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性.

二. 超強(qiáng)的局部精準(zhǔn)溫控技術(shù)

傳統(tǒng)高低溫箱難以針對(duì) PCB 板上特定芯片進(jìn)行獨(dú)立測(cè)試, 上海伯東 inTEST 熱流儀通過(guò)氣流聚焦技術(shù), 僅針對(duì)目標(biāo)芯片施加溫度沖擊, 避免周邊元器件受干擾, 尤其適合高集成度的 AI 芯片模組測(cè)試, 熱流儀通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片在高溫, 低溫及溫度循環(huán)中的電性能參數(shù), 為故障分析提供數(shù)據(jù)支持.

三. 測(cè)試效率極高

上海伯東美國(guó) inTEST 熱流儀的快速溫變能力(10秒內(nèi)完成 -50℃ 至 125℃ 切換 *實(shí)驗(yàn)環(huán)境)大幅縮短測(cè)試周期, 生成的海量溫度性能數(shù)據(jù)為 AI 芯片的工藝改進(jìn)提供依據(jù). 例如, 通過(guò)分析不同溫度下的芯片失效模式, 優(yōu)化封裝材料或散熱設(shè)計(jì).

美國(guó) inTEST 熱測(cè)產(chǎn)品包含 ThermoStream 熱流儀, Sigma 熱板和高低溫試驗(yàn)箱, Thermonics 超低溫冰水機(jī)等, 為半導(dǎo)體 IC, 航空航天, 汽車電子, 電子零部件, 光纖, 傳感器, 通訊等行業(yè)應(yīng)用提供解決方案.