新成果展示：發(fā)光-探測(cè)雙功能AlGaN基集成光電子器件模型的開發(fā)與應(yīng)用
原位集成的發(fā)光-探測(cè)雙功能光電子器件中存在斯托克斯位移現(xiàn)象，這降低了發(fā)射光譜和探測(cè)光譜的重疊率，從而抑制了集成光電子器件的光電耦合效應(yīng)。
近期天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)開發(fā)了發(fā)光-探測(cè)雙功能物理模型，同時(shí)提出并設(shè)計(jì)了具有非對(duì)稱多量子阱結(jié)構(gòu)的AlGaN基發(fā)光-探測(cè)雙功能集成光電子器件：在發(fā)射區(qū)中采用極化自屏蔽的有源區(qū)結(jié)構(gòu)，在探測(cè)區(qū)中采用常規(guī)有源區(qū)結(jié)構(gòu)。
圖1展示了LED與PD原位集成光電子器件結(jié)構(gòu)示意圖。圖2（a）展示了器件的發(fā)射光譜和響應(yīng)度光譜，極化自屏蔽有源區(qū)設(shè)計(jì)可以提高LED發(fā)光譜和PD吸收譜的重合率，從而顯著地提高了探測(cè)器的光電流強(qiáng)度，如圖2（b）所示。
圖1. LED與PD原位集成光電子器件的結(jié)構(gòu)示意圖：區(qū)域I和II分別為探測(cè)區(qū)和發(fā)射區(qū)
圖2.（a）LED發(fā)射光譜和探測(cè)器響應(yīng)度，（b）探測(cè)器的光電流和暗電流
研究成果已被物理-光學(xué)領(lǐng)域權(quán)威期刊Optics Express收錄，文章鏈接：https://doi.org/10.1364/OE.558113。
審核編輯 黃宇
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