隨著Micro LED技術(shù)逐步突破量產(chǎn)瓶頸，MIP憑借其低成本、高兼容性、強(qiáng)穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)，成為微小間距LED顯示領(lǐng)域的核心變量。

據(jù)研究機(jī)構(gòu)與行家說預(yù)測(cè)，至2028年，中國大陸MLED直顯市場(chǎng)中MIP封裝技術(shù)銷售額占比將達(dá)35%；2025年MIP封裝總產(chǎn)能或達(dá)10000kk/月，成本降幅超50%，MIP技術(shù)方案邁入規(guī)?；瘧?yīng)用元年。

近日，國星光電應(yīng)邀出席2025年行家說開年盛會(huì)，并發(fā)表《MIP引領(lǐng)顯示市場(chǎng)新突破》主題演講，圍繞LED顯示屏及MLED技術(shù)的未來藍(lán)圖，分享公司在MIP技術(shù)領(lǐng)域的最新研發(fā)成果與戰(zhàn)略布局。

國星光電是最早布局MIP系列產(chǎn)品的封裝企業(yè)之一，2024年重點(diǎn)開發(fā)了MIP-IMD系列和MIP-CHIP系列兩大MIP產(chǎn)品線，產(chǎn)品適用間距涵蓋P0.6-P2.6，滿足固裝、租賃等不同應(yīng)用領(lǐng)域需求。

MIP技術(shù)革新，驅(qū)動(dòng)顯示場(chǎng)景突破

國星光電的MIP器件依托超薄封裝工藝與100%分測(cè)嚴(yán)選，具備高亮度、高對(duì)比度、出光一致性好及可靠性強(qiáng)等性能優(yōu)勢(shì)。通過動(dòng)態(tài)像素優(yōu)化及IMD集成化設(shè)計(jì)，其應(yīng)用間距已全面覆蓋P0.4-P3微顯示場(chǎng)景，成功拓展至虛擬拍攝、高端商業(yè)顯示等前沿領(lǐng)域，加速推動(dòng)傳統(tǒng)SMD產(chǎn)品迭代，為超高清顯示產(chǎn)業(yè)化落地提供核心支撐。

MIP面板化，技術(shù)融合重塑行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

進(jìn)入MIP發(fā)展上量元年，國星光電積極推進(jìn)MIP系列產(chǎn)品創(chuàng)新開發(fā)，深入解決微小間距的顯示挑戰(zhàn)，提出了MIP+GOB的突破解決方案，通過兩大技術(shù)融合實(shí)現(xiàn)行業(yè)級(jí)創(chuàng)新。

突破一

畫質(zhì)領(lǐng)先

基于全流程嚴(yán)選分測(cè)的MIP器件，搭載GOB封裝技術(shù)協(xié)同優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)顯示對(duì)比度更加均勻、顏色一致性更佳。

突破二

亮度優(yōu)勢(shì)

采用全倒裝共陰/共陽MIP定制化方案，搭配GOB光效無損封裝工藝，亮度輸出效率同比大幅提升。

突破三

外觀、顯示一致性

GOB技術(shù)強(qiáng)化屏體表面平整度，提升整體屏體外觀效果；結(jié)合MIP全倒裝芯片無焊線遮擋設(shè)計(jì)，減少顆粒感，可視角度提升。

突破四

二重保護(hù)

MIP+GOB復(fù)合型防護(hù)設(shè)計(jì)，有效實(shí)現(xiàn)防水、防潮、防撞、防塵、防腐蝕、防藍(lán)光、防鹽、防靜電八大防護(hù)，防磕碰性能優(yōu)秀，可靠性更優(yōu)。

國星光電啟動(dòng)吉利產(chǎn)業(yè)園擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，大規(guī)模布局RGB小間距、Mini LED、TOP/CHIP LED等高端顯示器件產(chǎn)線，將進(jìn)一步鞏固高清顯示領(lǐng)域核心競(jìng)爭(zhēng)力，加速產(chǎn)品迭代與工藝升級(jí)，全面承接新興顯示以及Micro LED顯示紅海的到來。

國星光電不斷探索新興市場(chǎng)、追求技術(shù)創(chuàng)新，持續(xù)推動(dòng)新型顯示技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用。未來，國星光電將持續(xù)賦能微小間距顯示領(lǐng)域的發(fā)展，充分發(fā)揮MIP+GOB的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)新一輪顯示場(chǎng)景的突破，助力全球顯示產(chǎn)業(yè)邁向“更清晰”的新紀(jì)元。