半導體VTC清洗機的工作原理基于多種物理和化學作用，以確保高效去除半導體部件表面的污染物。以下是對其詳細工作機制的闡述：

一、物理作用原理

超聲波清洗

空化效應：當超聲波在清洗液中傳播時，會產生高密度和低密度交替的區(qū)域。在低壓區(qū)域，清洗液會形成微小的真空泡（即空化泡）。這些空化泡在超聲波的作用下迅速膨脹，然后在高壓區(qū)域又急劇收縮直至崩潰。

微射流作用：空化泡崩潰時，會產生高速的微射流。這些微射流具有強大的沖擊力，能夠對半導體部件表面的污垢、碎屑等污染物進行剝離。就像無數(shù)個小刷子同時在半導體部件表面刷洗，將污染物從表面清除。

噴淋沖洗

液流沖擊：通過高壓泵將清洗液加壓后，經(jīng)噴嘴噴射到半導體部件表面。高壓力的清洗液具有一定的動能，當其沖擊到部件表面時，能夠克服污染物與部件表面之間的附著力。

均勻覆蓋：噴淋系統(tǒng)通常設計有多個噴嘴，可以從不同的角度和位置對半導體部件進行噴淋，確保清洗液能夠均勻地覆蓋整個部件表面，避免清洗死角。

二、化學作用原理

溶解反應

化學試劑選擇：根據(jù)污染物的種類選擇合適的化學試劑。例如，對于一些金屬離子污染物，可以使用酸性溶液進行溶解。像鹽酸（HCl）可以與鐵（Fe）等金屬反應，生成可溶性的鹽和氫氣。

化學反應過程：當清洗液與污染物接觸時，發(fā)生化學反應。以堿性溶液去除有機物為例，氫氧化鈉（NaOH）與油污中的酯類物質反應，將其分解為可溶于水的物質，從而將油污溶解在清洗液中。

氧化還原反應

氧化劑作用：使用氧化劑可以將某些污染物氧化，改變其化學性質，使其更容易被去除。例如，使用過氧化氫（H?O?）作為氧化劑，可以將硅片表面的有機污染物氧化為二氧化碳（CO?）和水（H?O）等無害物質。

還原劑作用：在一些情況下，也會使用還原劑來處理污染物。還原劑可以將某些氧化物污染物還原，使其轉化為可溶性或易揮發(fā)的物質，便于后續(xù)的清洗步驟。

三、綜合作用原理

協(xié)同清洗

在實際的半導體VTC清洗過程中，物理作用和化學作用通常是相互配合的。例如，先利用超聲波清洗的空化效應和微射流作用，使污染物從半導體部件表面脫離，然后通過噴淋沖洗將脫落的污染物帶走。同時，清洗液中的化學試劑與污染物發(fā)生反應，進一步將污染物溶解或轉化，提高清洗效果。

多步清洗

為了徹底清洗半導體部件，通常會采用多步清洗的方法。每一步清洗可能針對不同的污染物或使用不同的清洗原理。例如，第一步使用堿性溶液進行超聲波清洗，以去除表面的有機物；第二步使用酸性溶液進行噴淋沖洗，以去除金屬離子污染物；最后再使用純水進行超聲波清洗和噴淋沖洗，去除殘留的化學試劑。

審核編輯 黃宇