電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 據(jù)多方消息來源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首次公開了 SF1.4（1.4nm 級(jí)別）工藝，原預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說法，SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個(gè)增加到 4 個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。?

三星在先進(jìn)制程領(lǐng)域目前面臨重重困難。三星 3nm（SF3）GAA 工藝自 2023 年量產(chǎn)以來，由于良率未達(dá)預(yù)期，至今尚未獲得大客戶訂單。這一情況導(dǎo)致原計(jì)劃搭載第二代 3nm 的 Exynos 2500 芯片推遲推出，Galaxy S25 系列也全線改用高通驍龍 8 至尊版芯片?。此番情況讓三星前期巨額投入近乎打水漂，根據(jù)推算，三星在整個(gè)3nm項(xiàng)目中，投資高達(dá)共投資了1160億美元(約合人民幣8420億)。

同樣，2nm（SF2）工藝的良率表現(xiàn)也不理想，早期量產(chǎn)良率僅為 30%，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電同期 60% 的水平。此外，英特爾 18A 制程在良率方面表現(xiàn)更優(yōu)，進(jìn)一步加劇了三星在尖端工藝上的競(jìng)爭(zhēng)劣勢(shì)。?

目前，2nm 工藝依然是三星重點(diǎn)攻克的方向。三星的 2nm 技術(shù)采用全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管技術(shù)，旨在優(yōu)化電力傳輸效率，減少信號(hào)干擾，從而提升芯片性能與能效。其量產(chǎn)計(jì)劃如下：?
·2025 年：?jiǎn)?dòng) 2nm 工藝量產(chǎn)，初期重點(diǎn)面向移動(dòng)終端（如用于 Galaxy S26 系列的 Exynos 2600 芯片）。?
·2026 年：將應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展至高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域，爭(zhēng)取 AI 芯片訂單。?
·2027 年：進(jìn)軍汽車芯片市場(chǎng)，推出專用工藝 SF2Z。?

GAA 技術(shù)曾被三星視為超越臺(tái)積電的關(guān)鍵技術(shù)。其溝道形態(tài)從 FinFET 的垂直 “鰭片” 轉(zhuǎn)變?yōu)樗蕉询B的納米片（Nanosheet）或納米線（Nanowire），柵極材料（如高介電常數(shù)金屬柵）從四周完全包裹溝道，顯著增強(qiáng)了對(duì)電流的控制能力。同時(shí)，漏電極與源電極之間的溝道被柵極完全 “鎖住”，大幅降低了漏電流（較 FinFET 減少 50% 以上）。?

三星是首個(gè)將 GAA 技術(shù)商用的廠商，其 MBCFET 技術(shù)最初應(yīng)用于 3nm 工藝，通過調(diào)整納米片寬度（15 - 50nm）來滿足不同性能需求。然而，遺憾的是，三星 3nm 工藝的良率實(shí)在太低。?

因此，三星的 2nm 工藝不僅要與臺(tái)積電爭(zhēng)奪客戶，還需消除 3nm 工藝帶來的負(fù)面影響。據(jù)悉，三星 2nm 工藝已獲得日本 AI 公司 Preferred Networks（PFN）的訂單，首次從臺(tái)積電手中 “奪食”，并計(jì)劃為高通、蘋果等客戶提供試產(chǎn)服務(wù)。2025 年 3 月，三星斥資 5000 億韓元（約 3.8 億美元）在華城半導(dǎo)體園區(qū)部署了 ASML 的 High - NA EUV 光刻機(jī)（型號(hào) EXE:5000），這是全球首臺(tái)量產(chǎn)的高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)，將顯著提升 2nm 及以下制程的精度。?

三星的 2nm 戰(zhàn)略以 GAA 技術(shù)為核心，通過激進(jìn)的量產(chǎn)時(shí)間表和價(jià)格策略來爭(zhēng)奪市場(chǎng)，但提升良率和獲取客戶信任仍是關(guān)鍵所在。如果三星能夠在 2025 年量產(chǎn) 2nm 之前將工藝良率提升至 50% 以上，那么在亞 2nm 制程領(lǐng)域或許仍有三星的一席之地。否則，繼續(xù)投入巨額資金研發(fā) 1.4nm 工藝的意義已不大。?