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首款3nm測試芯片成功流片 采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)

cMdW_icsmart ? 來源:未知 ? 作者:鄧佳佳 ? 2018-03-19 15:08 ? 次閱讀
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日前,納米電子與數(shù)字技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新中心 IMEC 與美國楷登電子( Cadence) 公司聯(lián)合宣布,得益于雙方的長期深入合作,業(yè)界首款 3nm 測試芯片成功流片。該項目采用極紫外光刻(EUV)技術(shù),193 浸沒式(193i)光刻技術(shù)設(shè)計規(guī)則,以及 Cadence? Innovus? 設(shè)計實現(xiàn)系統(tǒng)和 Genus? 綜合解決方案,旨在實現(xiàn)更為先進(jìn)的 3nm 芯片設(shè)計。IMEC 為測試芯片選擇了業(yè)界通用的 64-bit CPU,并采用定制 3nm 標(biāo)準(zhǔn)單元庫及 TRIM 金屬的流程,將繞線的中心間距縮短至 21nm。Cadence 與 IMEC 攜手助力 3nm 制程工藝流程的完整驗證,為新一代設(shè)計創(chuàng)新保駕護(hù)航。

Cadence Innovus 設(shè)計實現(xiàn)系統(tǒng)是大規(guī)模的并行物理實現(xiàn)系統(tǒng),幫助工程師交付高質(zhì)量設(shè)計,在滿足功耗、性能和面積(PPA)目標(biāo)的同時縮短產(chǎn)品上市時間。Cadence Genus 綜合解決方案是新一代高容量 RTL 綜合及物理綜合引擎,滿足最新 FinFET 工藝的節(jié)點需求,并將 RTL 設(shè)計效率提高達(dá) 10 倍。項目期間,EUV 技術(shù)及 193i 光刻規(guī)則皆經(jīng)過測試,以滿足所需分辨率;并在兩種不同的圖案化假設(shè)下比較了 PPA 目標(biāo)。

“隨著芯片制程工藝深入到 3nm 節(jié)點,互連參數(shù)顯得愈加關(guān)鍵,“IMEC 半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)事業(yè)部執(zhí)行副總裁 An Steegan 表示?!蔽覀冊跍y試芯片上投入了大量精力,助力互連參數(shù)的可測量和優(yōu)化,以及 3nm 制程工藝的驗證。同時,Cadence 數(shù)字解決方案也讓 3nm工藝的實現(xiàn)萬事俱備。Cadence 完美集成的工作流讓該解決方案的采納更加簡單,幫助我們的工程設(shè)計團(tuán)隊在開發(fā) 3nm 規(guī)則集的時候保持高效。”

“IMEC 領(lǐng)先的基礎(chǔ)設(shè)施讓生產(chǎn)前創(chuàng)新領(lǐng)先于業(yè)界需求成為可能,是 EDA 行業(yè)的關(guān)鍵合作伙伴,“ Cadence 公司全球副總裁兼數(shù)字與簽核事業(yè)部總經(jīng)理Chin-chi Teng博士表示?!拔覀兣c IMEC 的合作在 2015 年成功流片業(yè)界首款 5nm 芯片的基礎(chǔ)上繼續(xù)深化,此次3nm 測試芯片的成功流片標(biāo)志著全新的里程碑,繼續(xù)引領(lǐng)未來先進(jìn)節(jié)點移動設(shè)計領(lǐng)域的變革?!?/p>


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原文標(biāo)題:業(yè)界首款3nm測試芯片成功流片

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