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效率突破24.32%!江蘇大學(xué)J Mater Sci發(fā)文:雙面鍍銅金屬化n-TOPCon太陽(yáng)能電池的穩(wěn)定性研究

美能光伏 ? 2025-03-26 09:04 ? 次閱讀
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隨著技術(shù)進(jìn)步,n -TOPCon 晶體硅太陽(yáng)能電池成為主流結(jié)構(gòu)之一,但金屬接觸處理是其在工業(yè)應(yīng)用中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。絲網(wǎng)印刷銀漿工藝雖成熟,但成本高,銅、鎳等金屬因成本低、電導(dǎo)率類(lèi)似,有望取代銀漿用于太陽(yáng)能電池金屬化。

鍍銅接觸在成本上具有優(yōu)勢(shì),但存在可靠性問(wèn)題,研究發(fā)現(xiàn)優(yōu)化鍍銅工藝制備的太陽(yáng)能電池效率比傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷銀漿工藝更高,且在濕熱和熱循環(huán)測(cè)試中表現(xiàn)出良好穩(wěn)定性

實(shí)驗(yàn)過(guò)程


實(shí)驗(yàn)使用n型單晶TOPCon太陽(yáng)能電池,通過(guò)優(yōu)化銅電鍍工藝參數(shù),制備了具有高效率的太陽(yáng)能電池。

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電鍍金屬化n-TOPCon晶體硅太陽(yáng)能電池的工藝流程

硅片表面處理:在硅片表面構(gòu)建隨機(jī)金字塔結(jié)構(gòu),以減少反射并增加光的吸收。

pn結(jié)形成:通過(guò)擴(kuò)散方法在硅片表面形成pn結(jié)。

鈍化層制備:使用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)技術(shù)在硅片表面制備超薄隧道層(SiO2)和n+-poly-Si層。

AlOx層制備:通過(guò)原子沉積(ALD)技術(shù)在太陽(yáng)能電池的正面制備AlOx層。

SiNx薄膜沉積:通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)在太陽(yáng)能電池的正反兩面沉積SiNx薄膜。

激光消融:部分移除鈍化層,為后續(xù)的金屬化做準(zhǔn)備。

電鍍金屬化:在n型摻雜側(cè)進(jìn)行電鍍,包括Ni/Cu電鍍步驟,以及最終的Ag覆蓋層電鍍。

背面金屬化:對(duì)p型摻雜側(cè)進(jìn)行類(lèi)似的金屬化處理。

表征方法


使用UV-可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)試樣品的反射率,通過(guò)拉力機(jī)測(cè)試柵線與硅基底之間的結(jié)合力,使用TLM接觸電阻測(cè)試儀測(cè)試電鍍銅金屬化線的接觸電阻。

鍍銅工藝優(yōu)化及影響


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基于電解質(zhì)雙層的Stern-Graham 模型的金屬離子的沉積機(jī)制

金屬離子在溶液中的狀態(tài):在電鍍?nèi)芤褐校腥芙獾慕饘匐x子(M+)。根據(jù) Stern-Graham 模型,離子被具有偶極特征的水分子包圍,形成溶劑化層。

離子向陰極移動(dòng)的過(guò)程:在電鍍時(shí),陽(yáng)極浸入電解液,陰極位于傳送帶上方并通過(guò)電流/電壓源與陽(yáng)極電連接。施加的外部電流/電壓使電子從陽(yáng)極通過(guò)外部電路傳輸?shù)疥帢O。

離子在陰極表面的沉積:隨著離子接近陰極,對(duì)流對(duì)沉積過(guò)程的影響逐漸減小。這是因?yàn)殡x子在陰極表面不斷沉積,導(dǎo)致該區(qū)域離子濃度顯著下降,此時(shí)擴(kuò)散作用成為離子移動(dòng)的主要驅(qū)動(dòng)力。

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不同鎳電鍍電流密度下的鎳顆粒尺寸和柵線寬度

鎳粒子尺寸和分布:在較低電流密度(4.97 ASD)時(shí),鎳粒子均勻分布且尺寸較小,約為 1.1μm。隨著電流密度增加到7.86 ASD,鎳粒子的分布和尺寸開(kāi)始發(fā)生變化。當(dāng)電流密度達(dá)到12.44 ASD,鎳簇粒子明顯變大,粒子分布變得不均勻,表面看起來(lái)更光滑。

鎳種子層寬度變化:隨著電流密度的逐漸增加,鎳種子層的寬度也相應(yīng)增大。這會(huì)導(dǎo)致金屬覆蓋面積擴(kuò)大,然而,過(guò)多的金屬覆蓋會(huì)增加對(duì)光線的遮擋,進(jìn)而降低光的利用效率,影響太陽(yáng)能電池將光能轉(zhuǎn)化為電能的能力。

銅柵線表面形貌:當(dāng)鍍鎳電流密度為4.97 ASD時(shí),銅柵線表面存在小孔且覆蓋度較低;當(dāng)電流密度增加到12.44 ASD,銅柵線表面的小孔顯著增多,且分布不均勻。

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不同電鍍銅電流密度下銅柵線的SEM 圖像及柵線寬度

隨著電鍍銅電流密度增加,銅柵線表面結(jié)構(gòu)逐漸疏松,孔隙增多,當(dāng)電流密度達(dá)到34.83 ASD時(shí),孔隙現(xiàn)象明顯,沉積層致密性降低;圖f表明電流密度增加會(huì)使細(xì)柵寬度增大,導(dǎo)致遮光面積增加,降低光利用率,進(jìn)而影響太陽(yáng)能電池性能。

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不同銅電鍍電流密度下的柵線結(jié)合力和電阻率

正面外觀:顯示低電流密度時(shí)電池表面正常,電流密度增加到29.85 ASD時(shí)出現(xiàn)細(xì)柵脫落現(xiàn)象,且隨電流密度進(jìn)一步增加,脫落更嚴(yán)重。

柵線結(jié)合力:表明柵線結(jié)合力隨電流密度先增后減,低電流密度時(shí)結(jié)合力較好。

柵線寬度與線電阻率的關(guān)系:表明理論上線電阻率應(yīng)隨柵線高度和寬度增加而下降,但電流密度為29.83 ASD時(shí)線電阻率反而增加,這與柵線密度下降有關(guān)。

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不同金屬化制備的n-TOPCon 太陽(yáng)能電池的電學(xué)性能

對(duì)比了電鍍銅金屬化和絲網(wǎng)印刷技術(shù)制備的太陽(yáng)能電池的短路電流密度Jsc、開(kāi)路電壓Voc、填充因子FF、效率Eff,結(jié)果顯示,電鍍銅金屬化電池的Jsc更高,Voc略低,FF和Eff更高。

外量子效率EQE:在中波波段(600 - 1000nm),兩種工藝制備的電池QE 曲線基本重合,表明電鍍銅金屬化工藝在該波段能保持與絲網(wǎng)印刷工藝相當(dāng)?shù)?a href="http://m.brongaenegriffin.com/v/tag/2800/" target="_blank">光電轉(zhuǎn)換效率,對(duì)硅基板的損傷較小。

前后接觸電阻率:電鍍銅金屬化技術(shù)制備的太陽(yáng)能電池前后接觸電阻率明顯高于絲網(wǎng)印刷技術(shù)制備的電池。較高的接觸電阻率減少了載流子復(fù)合,降低了串聯(lián)電阻。

電鍍銅金屬化的穩(wěn)定性


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酸處理后柵線接觸相關(guān)的SEM 和 EDS 分析圖像

柵線接觸截面:可以看到金屬柵線的最外層為Ag 層,存在明顯的分層現(xiàn)象。同時(shí),Ni/Cu 界面沒(méi)有出現(xiàn)分層,且電鍍金屬柵線的橫截面呈現(xiàn)出光滑、致密的特點(diǎn)。

柵線松散位置EDS元素分析:結(jié)果顯示該區(qū)域主要元素為Cu和Ag。這說(shuō)明醋酸處理對(duì)Cu和Ag層有一定程度的影響,導(dǎo)致部分區(qū)域出現(xiàn)松散現(xiàn)象。

金屬接觸界面EDS元素分析:通過(guò)EDS 分析金屬接觸界面,結(jié)果表明 Si/Ni/Cu 界面之間沒(méi)有發(fā)生相互擴(kuò)散。

柵線接觸線掃描元素分布:清晰地顯示出金屬Cu 原子沒(méi)有擴(kuò)散到硅基板,該結(jié)果表明電鍍銅金屬化電極在濕熱環(huán)境下能夠有效阻擋 Cu 擴(kuò)散,確保電池性能的穩(wěn)定性。

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不同測(cè)試條件下光伏組件的功率變化

DH測(cè)試中雙玻璃組件功率變化:隨著DH測(cè)試時(shí)間延長(zhǎng),兩種組件的功率變化率均呈下降趨勢(shì)。當(dāng)DH測(cè)試達(dá)到2000h時(shí),絲網(wǎng)印刷金屬化雙玻璃組件的功率變化率為3.92%,而電鍍銅金屬化雙玻璃組件的功率僅降低1.78%。

DH測(cè)試中單玻璃組件功率變化:經(jīng)2000h的DH測(cè)試,其功率降低了2.57%,明顯高于雙玻璃組件的功率下降幅度。

TC測(cè)試中雙玻璃組件功率變化:經(jīng)過(guò)400次熱循環(huán)后,絲網(wǎng)印刷金屬化雙玻璃組件的功率下降了0.92%,而電鍍銅金屬化雙玻璃組件的功率僅下降0.39%。

TC測(cè)試中單玻璃組件功率變化:400次熱循環(huán)后,其功率變化為1.62%。在 TC 測(cè)試中,電鍍銅金屬化的雙玻璃組件穩(wěn)定性最佳,單玻璃組件雖穩(wěn)定性稍遜,但整體仍展現(xiàn)出較好的性能。

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不同金屬化組件在DH和TC測(cè)試后的EL圖像

SP金屬化雙玻璃組件在DH測(cè)試2000 h后EL圖像中黑色區(qū)域略有增加,而電鍍銅金屬化的單玻璃和雙玻璃組件黑色區(qū)域增加不明顯;不同金屬化組件在TC測(cè)試后,TC熱循環(huán)對(duì)組件的電致發(fā)光性能無(wú)顯著影響,進(jìn)一步證明電鍍銅金屬化制備的n-TOPCon太陽(yáng)能電池具有良好的熱穩(wěn)定性。

本文針對(duì)雙面鍍銅金屬化在n-TOPCon晶硅太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用展開(kāi)了深入探究。通過(guò)系統(tǒng)研究鍍銅工藝參數(shù)對(duì)電池性能的影響,并與傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷銀漿工藝對(duì)比,發(fā)現(xiàn)優(yōu)化鍍銅工藝能有效提升電池效率,在濕熱和熱循環(huán)測(cè)試中也展現(xiàn)出良好穩(wěn)定性。

美能溫濕度綜合環(huán)境試驗(yàn)箱


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美能溫濕度綜合環(huán)境試驗(yàn)箱采用進(jìn)口溫度控制器,能夠?qū)崿F(xiàn)多段溫度編程,具有高精確度和良好的可靠性,滿(mǎn)足不同氣候條件下的測(cè)試需求。

溫度范圍:20℃~+130℃

溫濕度范圍:10%RH~98%RH(at+20℃-+85℃)

滿(mǎn)足試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):IEC61215、IEC61730、UL1703等檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

為進(jìn)一步評(píng)估組件在復(fù)雜環(huán)境下的長(zhǎng)期可靠性,可引入美能溫濕度綜合環(huán)境試驗(yàn)箱進(jìn)行更嚴(yán)苛的加速老化測(cè)試。該設(shè)備能夠精準(zhǔn)模擬高溫高濕(如85℃/85%RH)、溫度循環(huán)(-40℃~85℃)等極端氣候條件,結(jié)合紫外輻照、鹽霧腐蝕等多因素耦合實(shí)驗(yàn),全面分析電鍍銅柵線在濕熱、熱應(yīng)力、化學(xué)腐蝕等多重作用下的失效機(jī)制。

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    <b class='flag-5'>太陽(yáng)能電池</b><b class='flag-5'>金屬化</b>印刷技術(shù)綜述:絲網(wǎng)印刷優(yōu)化、質(zhì)量控制與新興技術(shù)展望

    工業(yè)級(jí)TOPCon電池的低銀量絲網(wǎng)印刷金屬化技術(shù),實(shí)現(xiàn)降銀80%

    本文提出了一種銀含量低的絲網(wǎng)印刷金屬化設(shè)計(jì),通過(guò)在TOPCon太陽(yáng)能電池中使用銀點(diǎn)陣和銀含量低的浮動(dòng)指狀結(jié)構(gòu),顯著減少了銀的使用量,同時(shí)保持了高效率。通過(guò)光致發(fā)光(PL)成像等先進(jìn)診斷
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    工業(yè)級(jí)<b class='flag-5'>TOPCon</b><b class='flag-5'>電池</b>的低銀量絲網(wǎng)印刷<b class='flag-5'>金屬化</b>技術(shù),實(shí)現(xiàn)降銀80%

    四端鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)能電池效率突破29.34%:機(jī)械堆疊-光學(xué)耦合的厚度及摻雜濃度優(yōu)化研究

    單結(jié)太陽(yáng)能電池的理論效率受限于Shockley-Queisser極限(29.6%),而鈣鈦礦/硅疊層結(jié)構(gòu)通過(guò)分光譜吸收可突破這一限制。然而,傳統(tǒng)鈣鈦礦電池依賴(lài)貴
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    四端鈣鈦礦/硅疊層<b class='flag-5'>太陽(yáng)能電池</b><b class='flag-5'>效率</b><b class='flag-5'>突破</b>29.34%:機(jī)械堆疊-光學(xué)耦合的厚度及摻雜濃度優(yōu)化<b class='flag-5'>研究</b>