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UCD74120 14 V、25 A 同步降壓功率級,帶輸出電流監(jiān)控技術(shù)資料

科技綠洲 ? 2025-03-26 15:50 ? 次閱讀
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UCD74120 是一款多芯片模塊,將一個(gè)驅(qū)動(dòng)器器件和兩個(gè) NexFET 功率 MOSFET 集成到一個(gè)熱增強(qiáng)型緊湊型 5 mm × 7 mm QFN 封裝中。25A 輸出電流能力使該器件適合為 DSPASIC 供電。該器件旨在補(bǔ)充數(shù)字或模擬 PWM 控制器。驅(qū)動(dòng)器件的 PWM 輸入兼容 3 態(tài)。兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路為同步降壓轉(zhuǎn)換器中的高側(cè) N 溝道 FET 開關(guān)和低側(cè) N 溝道 FET 同步整流器提供高充電和放電電流。
*附件:ucd74120 大電流、同步降壓功率級數(shù)據(jù)表.pdf

輸出電流由精密電流感應(yīng)放大器測量和監(jiān)控,該放大器處理外部電流感應(yīng)元件上的電壓。放大的信號可供 IMON 引腳上的 PWM 控制器使用。板載比較器監(jiān)控高側(cè)開關(guān)兩端的電壓和外部電流感應(yīng)元件兩端的電壓,以保護(hù)功率級免受突然的大電流負(fù)載的影響。高側(cè)比較器的消隱延遲由單個(gè)電阻器設(shè)置,以避免與開關(guān)邊沿噪聲相吻合的誤報(bào)。即使出現(xiàn)高側(cè)故障或過流故障,高側(cè) FET 也會關(guān)閉,故障標(biāo)志 (FLT) 被置位以提醒 PWM 控制器。

特性

  • 集成同步降壓驅(qū)動(dòng)器和 NexFET? 功率 MOSFET,實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率
  • DSP 和 ASIC 的 25A 輸出電流能力
  • 4.7V 至 14V 輸入電壓范圍
  • 開關(guān)頻率高達(dá) 2 MHz
  • 內(nèi)置高側(cè)電流保護(hù)
  • 用于過流保護(hù)和輸出電流監(jiān)控的 DCR 電流感應(yīng)
  • 電壓與負(fù)載電流監(jiān)控器輸出成正比
  • 用于功率級關(guān)斷的三態(tài) PWM 輸入
  • UVLO 內(nèi)務(wù)處理電路
  • 集成熱關(guān)斷
  • 40 引腳、5 mm x 7 mm、PQFN PowerStack? 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

一、產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:UCD74120
  • ?制造商?:Texas Instruments
  • ?類型?:大電流、同步降壓功率級
  • ?特點(diǎn)?:集成同步降壓驅(qū)動(dòng)器和NexFET?功率MOSFET,適用于高功率密度和高效率應(yīng)用,如DSP和ASIC供電。

二、主要特性

  • ?輸出電流能力?:25A
  • ?輸入電壓范圍?:4.7V至14V
  • ?開關(guān)頻率?:高達(dá)2MHz
  • ?保護(hù)功能?:
    • 高側(cè)電流保護(hù)
    • 過流保護(hù)
    • 短路保護(hù)
    • 欠壓鎖定(UVLO)
    • 熱關(guān)斷
  • ?監(jiān)控功能?:
    • 輸出電流監(jiān)測
    • 故障標(biāo)志(FLT)輸出
  • ?封裝?:40引腳PQFN(5mm x 7mm)

三、電氣特性

  • ?工作結(jié)溫范圍?:-40°C至125°C
  • ?VGG輸出電壓?:6.4V(典型值)
  • ?UVLO閾值?:
    • 開啟電壓:4.4V至4.6V
    • 關(guān)閉電壓:4.1V至4.3V
    • 遲滯電壓:80mV
  • ? 輸入電流(非切換狀態(tài)) ?:810mA(典型值)
  • ?故障檢測時(shí)間?:約350ns至475ns
  • ? 過流閾值(高側(cè)FET) ?:50A(典型值)

四、功能描述

  • ?同步降壓轉(zhuǎn)換?:集成高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET,實(shí)現(xiàn)同步整流,提高效率。
  • ?電流監(jiān)測?:通過精密電流感應(yīng)放大器監(jiān)測輸出電流,并提供IMON引腳輸出。
  • ?故障保護(hù)?:
    • 過流保護(hù):監(jiān)測高側(cè)和低側(cè)電流,防止過流損壞。
    • 短路保護(hù):快速響應(yīng)短路條件,保護(hù)電路。
    • 熱關(guān)斷:當(dāng)結(jié)溫超過設(shè)定閾值時(shí),自動(dòng)關(guān)斷功率級。
  • ?UVLO保護(hù)?:確保VGG電壓在安全范圍內(nèi),避免低電壓啟動(dòng)損壞。
  • ?三態(tài)PWM輸入?:支持PWM輸入的三態(tài)模式,用于功率級關(guān)斷。

五、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

  • ?應(yīng)用領(lǐng)域?:
  • ?設(shè)計(jì)要點(diǎn)?:
    • 選擇合適的電感和輸出電容器以滿足性能要求。
    • 使用DCR電流感應(yīng)或外部電流感應(yīng)電阻進(jìn)行電流監(jiān)測。
    • 根據(jù)應(yīng)用需求調(diào)整軟啟動(dòng)時(shí)間和過流保護(hù)閾值。

六、封裝與供貨信息

  • ?封裝類型?:40引腳PQFN(5mm x 7mm)
  • ?供貨狀態(tài)?:活躍生產(chǎn)

七、其他信息

  • ?熱阻?:θJA = 28.9°C/W(PQFN封裝)
  • ?開發(fā)支持?:提供WEBENCH? Power Designer工具,簡化電源設(shè)計(jì)流程。
  • ?安全警示?:在存儲或處理過程中,應(yīng)采取措施防止靜電損壞MOS柵極。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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