電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹

4月15日，慕尼黑上海電子展盛大開場。海內(nèi)外的工程師、采購商和觀眾紛紛入館，人潮涌動。在N4和N5館內(nèi)，近40家企業(yè)分別展示了汽車MCU芯片、車規(guī)SiC芯片、氮化鎵芯片、車載BMS芯片、電源芯片等。

車規(guī)級SiC為何如此火爆？業(yè)內(nèi)人士對電子發(fā)燒友記者表示，在比亞迪、長安汽車、吉利、上汽、問界等多家車企引領下，SiC上車速度加快。未來5年SiC行業(yè)滲透率可能從目前的10%至20%提升到50%以上。

今年以來，除了標配SiC主驅(qū)逆變器的純電動汽車800V車型增多外，混動車型引入碳化硅的趨勢初顯，上汽五菱發(fā)布的靈犀動力3.0碳化硅電驅(qū)，進一步推動了SiC技術(shù)在15萬以下車型的普及應用。Techinsights最新報告顯示，SiC正以其高效率、緊湊的設計和更低的成本改變功率半導體行業(yè)，汽車碳化硅預計2025年市場規(guī)模將達到20億美元以上。

本文將集結(jié)慕尼黑上海電子展上英飛凌、華潤微電子、三安半導體、揚杰科技、方正微電子、深圳愛仕特新品展示，為大家分析最新產(chǎn)品走勢和汽車應用熱點。

英飛凌展出8英寸碳化硅晶圓和先進器件

圖：英飛凌12吋超薄硅晶圓 電子發(fā)燒友拍攝

在N5館入口處，記者入館看到了英飛凌的展臺。英飛凌展出了全球最先進的12吋超薄硅晶圓，8英寸碳化硅晶圓和12英寸氮化鎵晶圓，這是首次三大晶圓在中國市場亮相?，F(xiàn)場工作人員表示，這顆業(yè)界第一顆20微米的超薄硅晶圓，晶圓越薄，損耗越低，通過超薄的晶圓，將器件損耗降低。

圖：英飛凌兩款碳化硅功率模塊 電子發(fā)燒友拍攝

現(xiàn)場，英飛凌展示了CoolSiC MOSFET 2000V 60A Boost模塊和光伏用的1200V CoolSiC EasyPACK 1B Boost功率模塊。前者采用2000V SiC MOSFET的4路1500V光伏系統(tǒng)升壓電路，DF-4-19MR20W3M1HF_B11是第一個采用EasyPack 3B封裝的2000V功率模塊，實現(xiàn)更簡單的解決方案，減少了器件數(shù)量，提高了功率密度，降低了1500V VDC應用的總系統(tǒng)成本。后者則是采用M1H芯片，導通電子8-17毫歐五個規(guī)格。工作人員表示，隨著SiC器件的大規(guī)模應用，SiC模塊在汽車主驅(qū)逆變器的系統(tǒng)成本整體趨勢在下降。

華潤微電子：高壓和中低壓SiC MOS產(chǎn)品豐富，車規(guī)級SiC模塊批量供貨

在慕展N4館，華潤微電子帶來用于汽車主驅(qū)的1200V 450A/600A的半橋DCM、全橋HPD共四款主驅(qū)模塊等最新產(chǎn)品，充分凸顯其技術(shù)優(yōu)勢。

圖：華潤微電子1200V SiC MOSFET 電子發(fā)燒友拍攝

以1200V/66A SiC MOSFET為例，這款產(chǎn)品基于成熟量產(chǎn)的第二代車規(guī)SiC MOS平臺，具備SiC器件的低導通損耗、耐高溫特性以及DCM、HPD模塊的高功率密度、高系統(tǒng)效率等優(yōu)異性能。

據(jù)悉，華潤微電子 SiC MOS G2 比導通電阻（Ronsp）水平達到國際領先品牌主流產(chǎn)品水平，SiC JBS G3 功率密度水平達到國際領先，得到客戶的高度認可。車規(guī)級 SiC MOS 和 SiC 模塊研發(fā)工作進展順利，多款單管、半橋、全橋車規(guī)模塊產(chǎn)品出樣，并配合主流車廠進行測試認證，實現(xiàn)批量供貨。

三安半導體：8英寸SiC襯底量產(chǎn)，車規(guī)級SiC MOSFET批量出貨

在慕尼黑上海電子展上，三安半導體展出650V-2000V SiC MOSFET產(chǎn)品序列，主要應用于新能源汽車、工業(yè)變頻、充電樁、光伏逆變器和UPS等領域。三安產(chǎn)品的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在第二代SiC MOSFET產(chǎn)品具有高抗干擾性、高可靠性、低反向漏電流、低彌勒電容以及高溫下更低導通電阻等優(yōu)勢，部分型號已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)級認證。

現(xiàn)場工作人員介紹，2024年三安半導體8英寸SiC襯底已經(jīng)小批量出貨，公司推出的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，驅(qū)動電壓兼容15V/18V，Ronsp更低，效率更高。針對車規(guī)級市場，三安車載充電機、空調(diào)壓縮機用SiC MOSFET已實現(xiàn)小批量出貨，主驅(qū)逆變器SiC MOSFET已在重點新能源汽車客戶進入導入可靠性驗證。

方正微電子：比肩國際產(chǎn)品性能，車規(guī)級SiC MOS產(chǎn)品加速上車

4月15日，方正微電子攜G1/G2/G3三代車規(guī)碳化硅晶圓、襯底、裸die、器件和模組參展?，F(xiàn)場展臺上，G1 SiC MOS 1200V系列、G2 SiC MOS 1200V系列、G2 750VSiC MOS系列，G3 SiC MOS產(chǎn)品都有展示。

方正微正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，性能達到國際頭部領先水平。方正微電子第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS在第一代的高可靠基礎上，進一步提升性能，縮小Die size，提升FOM值，實現(xiàn)了在行業(yè)主流芯片面積需求條件下性能提升。在光儲充領域，方正微展示了SiC MOS單管及模組，與SiC SBD解決方案。具體涵蓋了SiC MOS 1200V EASY2B功率模組，SiC MOS 1200V 系列單管器件、SiC MOS 750V/650V系列單管器件等。

方正微電子表示，2025年，公司將實現(xiàn)車規(guī)SiC MOS大規(guī)模上乘用車主驅(qū)，從幾萬輛向幾十萬輛邁進。

愛仕特科技：發(fā)布SiC4.0技術(shù)平臺，1700V車規(guī)級SiC MOS支持1000V平臺

在N4館，記者走訪了愛仕特展臺，這家深圳公司以“碳化硅4.0技術(shù)平臺”為核心，攜1200V/10mΩ SiC MOSFET、1700V/16mΩ SiC MOSFET、1200V/1000A SiC功率模塊三大“戰(zhàn)略新品”亮相展會。

圖：愛仕特1200V到1700V SiC MOS展示 電子發(fā)燒友拍攝

愛仕特科技品牌總監(jiān)姚培俊對電子發(fā)燒友記者表示，公司重磅推出的第四代碳化硅技術(shù)平臺，以超高耐壓、極低損耗、高效驅(qū)動兼容性為核心突破，1700V/16mΩ SiC MOSFET是第四代SiC MOS平臺技術(shù)，兼容15V和18V驅(qū)動電壓，同樣的電壓等級導通電阻變低，兼顧高耐壓和低損耗，成為1000V平臺、充電樁應用領域的優(yōu)選。1200V SiC MOSFET則用單顆芯片導通電阻低至10 mΩ，適用于800V新能源平臺，1200V/1000A SiC功率模塊采用高電流密度設計，支持-40℃至175℃的寬溫域運行，可助力大功率系統(tǒng)實現(xiàn)輕量化與高效化。

目前愛仕特已經(jīng)和國內(nèi)新能源汽車頭部企業(yè)合作，對車規(guī)級SiC產(chǎn)品進行導入可靠性驗證。

揚杰科技：SiC MOSFET應用于車載和光伏逆變器

在N4館，揚杰科技以實體新能源汽車為載體，集中呈現(xiàn)了IGBT模塊、SiC MOSFET在OBC、DC/DC、BMS、EPS、電機驅(qū)動等場景的應用。

圖：揚杰科技IGBT和SiC產(chǎn)品展示 電子發(fā)燒友拍攝

現(xiàn)場工作人員，目前國產(chǎn)400V新能源汽車主要采用IGBT模塊做主驅(qū)逆變器，揚杰科技展示的A4P IGBT模塊，800A-950A/750V，產(chǎn)品具備低開關(guān)損耗、低電感設計，最大工作結(jié)溫175度，高功率密度。

在光伏與儲能領域，揚杰科技展示了1200V/160A三電平IGBT模塊和950V/600A下一代三電平模塊，適用于大型光伏逆變器與儲能變流器。其SiC MOSFET采用低Ronsp設計，可顯著降低開關(guān)損耗，助力光儲系統(tǒng)效率提升至98%以上。

揚杰科技IGBT，MOSFET、ESD、TVS等產(chǎn)品可用于小型關(guān)節(jié)電機、步進電機等電機驅(qū)動及感知系統(tǒng)中，以支持更高的控制精度和更快的響應速度，并能在DC/DC轉(zhuǎn)換、USB接口防護、電源防護等電路中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

寫在最后

車載SiC的全球陣營中，英飛凌、ST、TI等處于第一梯隊，隨著中國功率半導體廠商的涌入，SiC MOSFET的價格出現(xiàn)下滑，國產(chǎn)7家企業(yè)先后宣布SiC主驅(qū)突破，清純半導體、士蘭微、芯聯(lián)集成、斯達半導體、芯聚能、方正微電子、比亞迪半導體，相信未來會有更多國產(chǎn)功率半導體廠商進入車規(guī)SiC供應商行列。

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