碳化硅（SiC）作為第三代半導體的核心材料，憑借其高功率密度、優(yōu)異的耐高溫性能和高效的功率轉換能力，在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而，先進封裝的SiC功率模組在失效分析方面面臨諸多挑戰(zhàn)，尤其是在化學開封、X-Ray和聲掃等測試環(huán)節(jié)，國內(nèi)技術尚不成熟?；诖?，廣電計量集成電路測試與分析研究所推出了先進封裝SiC功率模組失效分析技術，成功攻克了模組失效分析的全流程問題，填補了國內(nèi)在該領域的技術空白，推動SiC功率模組的廣泛應用。

攻克多樣技術難題 建立全流程解決方案

針對先進封裝SiC功率模組在失效分析中的技術難題，集成電路測試與分析研究所研發(fā)了針對SiC功率模組的化學開封技術、單芯片激光開封技術、器件減薄技術等多項創(chuàng)新方案，成功解決了模組開封后芯片電極完整性差、X-Ray和聲掃測試困難等問題。

（1）化學開封技術：通過在不同溫度和配比條件下尋找最優(yōu)的開封條件，確保芯片表面電極結構的完整性，解決了模組開封后芯片電極易損壞的難題。

（2）單芯片激光開封技術：針對模組開封面積大的情況，提出單芯片激光開封和單方向腐蝕的方式，精準控制塑封料的腐蝕進程，最大程度保留芯片表面結構。

（3）器件減薄技術：通過減薄器件，解決了先進封裝模組在X-Ray和聲掃測試中的難題，提升了測試的準確性和可靠性。

此外，團隊還搭建了芯片失效分析數(shù)據(jù)庫，將芯片的失效現(xiàn)象與失效邏輯相對應，成功攻克了模組失效分析的全流程問題，為SiC功率模組的可靠性評估提供了強有力的技術支持。

服務優(yōu)勢

·擴展服務范圍：填補國內(nèi)先進封裝SiC功率模組失效分析的技術空白，提供全面的物理分析與失效分析服務。

·提高檢測效率：通過激光開封精準控制與減薄技術，縮短模組開封和測試時間，提升失效分析的效率。

·提高檢測精度：采用物理減薄手段優(yōu)化X-Ray和聲掃測試條件，提升檢測分辨率與可靠性。

SiC功率模組全流程解決方案 助力產(chǎn)業(yè)升級

針對先進封裝的SiC功率模組在失效分析方面的測試難點，廣電計量建立了先進封裝SiC功率模組失效分析技術，確保了測試的可靠性和精確性，可廣泛用于新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心、第三代半導體等領域SiC功率模組的可靠性與失效分析。

集成電路測試與分析研究所

廣電計量集成電路測試與分析研究所擁有各類高精尖分析儀器和專業(yè)技術團隊，以技術引領市場，長期致力于元器件篩選及失效分析技術領域的科研和咨詢服務，構建了包括元器件國產(chǎn)化驗證與競品分析、集成電路測試與工藝評價、半導體功率器件質量提升工程、車規(guī)級芯片與元器件AEC-Q認證、車規(guī)功率模塊AQG 324認證等多個技術服務平臺，滿足裝備制造、航空航天、汽車、軌道交通、5G通信、光電器件與傳感器等領域的電子產(chǎn)品質量與可靠性的需求，能為客戶提供專業(yè)化咨詢、分析及培訓等“一站式”服務，全面提升產(chǎn)品品質。