去年底納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計，實現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。如今，又推出12kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源。在2025慕尼黑上海電子展上，納微半導(dǎo)體與兆易創(chuàng)新聯(lián)合展示了最新AI服務(wù)器電源解決方案。

基于GD32G5系列高性能MCU的納微12kW和8.5kW AI服務(wù)器電源解決方案中，GD32G5系列MCU具備豐富多樣的數(shù)字模擬接口資源以及強化的安全性能，在功率控制方面展現(xiàn)了顯著的優(yōu)勢。

以上兩種先進技術(shù)平臺均采用納微半導(dǎo)體的大功率GaNSafe?氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs產(chǎn)品，第三代半導(dǎo)體混合設(shè)計的獨特系統(tǒng)架構(gòu)幫助分別實現(xiàn)超97.5%和98%的峰值效率，輕松超越最新發(fā)布的80 PLUS?紅寶石“Ruby”電源認證標準。兩個方案都是針對AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心設(shè)計，輸出電壓為50V，符合開放計算項目（OCP）和開放機架v3（ORv3）規(guī)范。

圖源：電子發(fā)燒友網(wǎng)拍攝

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據(jù)介紹，納微8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其三相交錯PFC和LLC拓撲結(jié)構(gòu)中采用了高功率GaNSafe?氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅 MOSFETs，以確保實現(xiàn)最高效率和最佳性能，同時將無源器件的數(shù)量降至最低。

與競爭對手使用的兩相拓撲相比，該電源所采用的三相拓撲結(jié)構(gòu)，能為PFC和LLC帶來行業(yè)內(nèi)最低的紋波電流和EMI。此外，與最接近的競品相比，該電源的氮化鎵和碳化硅器件數(shù)量要少25%，進而降低了整體成本。該電源的輸入電壓范圍為180至264 Vac，待機輸出電壓為12V，工作溫度范圍為-5°C至45°C，在8.5kW時的保持時間為10ms，通過擴展器可達到20ms。

該電源的三相LLC拓撲結(jié)構(gòu)由高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片驅(qū)動，該芯片專為要求嚴苛的高功率應(yīng)用（如AI數(shù)據(jù)中心和工業(yè)市場）而設(shè)計打造。GaNSafe作為納微的第四代氮化鎵產(chǎn)品集成了控制、驅(qū)動、傳感和關(guān)鍵保護功能，具備前所未有的可靠性和魯棒性。

當前，全球多達95%的數(shù)據(jù)中心都無法滿足NVIDIA最新Blackwell GPU服務(wù)器的電源需求，這凸顯了生態(tài)系統(tǒng)中的準備不足。Blackwell B200單顆芯片的功率高達1000W，一顆Grace CPU和兩顆Blackwell GPU組成的超級芯片GB200功率達2700W。Blackwell B300是英偉達第二款Blackwell芯片，功率為1400瓦。納微12kW和8.5kW AI服務(wù)器電源解決方案提供高峰值功率、高負載工作的強勁動力。

據(jù)介紹，在一個配備72個Blackwell GPU的服務(wù)器中，整體功耗可高達120千瓦?。將來還可能達到200多千瓦。因此未來服務(wù)器機柜設(shè)計時或考慮將電源部分獨立成柜。

納微半導(dǎo)體擁有從晶圓設(shè)計到生產(chǎn)協(xié)同合作再到測試驗證，以及產(chǎn)品級測試等多重能力，能夠充分挖掘氮化鎵材料的性能，有效把控氮化鎵產(chǎn)品的品質(zhì)。這也使得納微的氮化鎵集成化方案性能突出，形成了堅實的技術(shù)和產(chǎn)品護城河。據(jù)了解，納微半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)品目前采用6英寸晶圓，今年底有望切換至8英寸晶圓。