珠聯(lián)璧合，SiC模塊及SiC驅(qū)動雙龍出擊
——BASiC基本股份賦能電力電子新未來

珠聯(lián)璧合，雙龍出擊

——BASIC Semiconductor SiC功率模塊與SiC驅(qū)動板重塑電力電子行業(yè)價值

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊茜 微信&手機：13266663313

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

引言：能源革命的“效率之戰(zhàn)”

全球“雙碳”目標驅(qū)動下，電力電子行業(yè)正經(jīng)歷一場從“粗放式能耗”到“精細化能效”的深刻變革。傳統(tǒng)硅基器件受限于材料特性，在高溫、高頻場景中效率瓶頸凸顯。碳化硅（SiC）技術(shù)憑借寬禁帶特性，成為破局關(guān)鍵——但僅憑單一器件升級難以釋放其全部潛力。BASIC Semiconductor基本股份創(chuàng)新推出“SiC功率模塊+SiC專用驅(qū)動板”協(xié)同方案，以“雙龍出擊”之勢，直擊系統(tǒng)級能效痛點，開啟電力電子高效時代。

碳化硅技術(shù)的革新浪潮

在“雙碳”戰(zhàn)略與能源轉(zhuǎn)型的驅(qū)動下，電力電子行業(yè)正迎來高效率、高功率密度的技術(shù)革命。碳化硅（SiC）器件憑借其高頻、高溫、低損耗的先天優(yōu)勢，成為新能源、工業(yè)電源、電動汽車等領(lǐng)域的核心推動力。然而，SiC器件的性能潛力需要與匹配的驅(qū)動技術(shù)協(xié)同釋放。BASiC半導體SiC功率模塊與SiC驅(qū)動強強聯(lián)合，推出“SiC功率模塊+SiC專用驅(qū)動板”雙龍組合，為行業(yè)提供全棧解決方案，開啟高效能電力電子系統(tǒng)的新篇章。

雙劍合璧：BASiC基本股份 SiC模塊與SiC驅(qū)動板的協(xié)同優(yōu)勢

1. BASiC基本股份 SiC功率模塊：性能卓越，定義行業(yè)標桿

B2M/B3M系列產(chǎn)品：基于6英寸晶圓平臺，覆蓋650V至1700V電壓等級，導通電阻低至11m，開關(guān)損耗降低30%-70%，支持175℃高溫穩(wěn)定運行，并通過AEC-Q101車規(guī)認證，滿足光伏逆變器、充電樁、新能源汽車等嚴苛場景需求。

工業(yè)模塊創(chuàng)新：Pcore?系列模塊采用Si3N4 AMB陶瓷基板與高溫焊料工藝，集成低損耗SiC SBD，功率密度提升30%，支持Press-Fit壓接與焊接工藝，適配高頻DCDC、儲能變流器（PCS）、高端工業(yè)電焊機等高功率應用。

2. 基本股份2CD0210T12x0驅(qū)動板：精準驅(qū)動，保駕護航

專為SiC定制：支持1200V SiC MOSFET，集成米勒鉗位功能，有效抑制開關(guān)瞬態(tài)串擾；雙通道設計，峰值電流10A，可驅(qū)動中大功率模塊。

高可靠保護：原副邊欠壓保護、寬壓輸入（16-30V）適配復雜電源環(huán)境，絕緣耐壓與靜電防護滿足工業(yè)級標準，確保系統(tǒng)長期穩(wěn)定運行。

緊湊高效：雙通道緊湊型設計，簡化PCB布局，降低系統(tǒng)復雜度，助力客戶快速實現(xiàn)高可靠性方案落地。

珠聯(lián)璧合，1+1＞2的技術(shù)突破

場景化性能提升

電力電子行業(yè)：BASiC工業(yè)SiC模塊搭配基本股份SiC驅(qū)動板，為電力電子提供低損耗、高功率密度解決方案，全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

數(shù)據(jù)印證優(yōu)勢

BASiC SiC功率模塊在18V驅(qū)動下，開關(guān)損耗（Etotal）較國際競品降低30%，搭配基本股份SiC功率模塊驅(qū)動板后，系統(tǒng)整體效率提升2%-5%。

BASiC功率模塊驅(qū)動板的寬壓輸入（2CD0210T12C0）支持光伏系統(tǒng)波動電壓，適配BASiC模塊的高溫穩(wěn)定性（175℃），確保戶外環(huán)境長期可靠運行。

市場前景：雙龍出擊，領(lǐng)跑SiC生態(tài)

隨著全球SiC市場規(guī)模年均增長超30%，BASiC基本功率模塊和驅(qū)動的技術(shù)融合將加速國產(chǎn)替代進程：

技術(shù)自主：從芯片設計、模塊封裝到驅(qū)動方案，全鏈路國產(chǎn)化突破，降低供應鏈風險。

成本優(yōu)化：B3M系列芯片面積較B2M減少30%，驅(qū)動板集成設計降低外圍元件成本，助力客戶降本增效。

生態(tài)共建：BASiC基本股份提供電力電子仿真、熱設計支持與定制化服務，縮短客戶研發(fā)周期，搶占市場先機。

結(jié)語：賦能未來，共贏綠色能源時代

BASiC基本股份的“SiC模塊+驅(qū)動”組合，不僅是技術(shù)的珠聯(lián)璧合，更是對電力電子行業(yè)需求的深度響應。在新能源革命與智能制造的雙重浪潮下，這一雙龍組合將以更高效率、更強可靠性、更優(yōu)性價比，助力客戶攻克技術(shù)壁壘，共同書寫綠色能源的未來篇章！

即刻行動，開啟高效能電力電子新時代！
聯(lián)系傾佳電子楊茜，獲取專屬解決方案→

BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊茜 微信&手機：13266663313

創(chuàng)新驅(qū)動能效，協(xié)同定義未來！

審核編輯 黃宇