UCC27284 -Q1 是一款穩(wěn)健的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，最大開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS） 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓?fù)渲锌刂苾蓚€(gè) N 溝道 MOSFET。其 3A 峰值拉電流和灌電流以及低上拉和下拉電阻使 UCC27284 -Q1 能夠在 MOSFET 米勒平臺(tái)過(guò)渡期間以最小的開(kāi)關(guān)損耗驅(qū)動(dòng)大功率 MOSFET。由于輸入與電源電壓無(wú)關(guān)，因此 UCC27284 -Q1 可以與模擬和數(shù)字控制器結(jié)合使用。如果需要，兩個(gè)輸入和輸出可以重疊，用于次級(jí)側(cè)全橋同步整流等應(yīng)用。
*附件：ucc27284-q1.pdf

輸入引腳和 HS 引腳能夠承受顯著的負(fù)電壓，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。5 V UVLO 允許系統(tǒng)在較低的偏置電壓下工作，這在許多高頻應(yīng)用中是必需的，并且可以提高某些工作模式下的系統(tǒng)效率。小傳播延遲和延遲匹配規(guī)格最大限度地減少了死區(qū)時(shí)間要求，從而進(jìn)一步提高了效率。

高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器級(jí)均提供欠壓鎖定 （UVLO），如果 VDD 電壓低于指定閾值，則強(qiáng)制輸出為低電平。集成的自舉二極管在許多應(yīng)用中無(wú)需外部分立二極管，從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。UCC27284-Q1 采用 SOIC 封裝，適用于惡劣的系統(tǒng)環(huán)境。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下
  • 溫度等級(jí) 1 （T j = –40°C 至 150°C）
  • 器件 HBM ESD 分類(lèi)等級(jí) 1B
  • 器件 CDM ESD 分類(lèi)等級(jí) C3
• 在高側(cè)低側(cè)配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• 5V 典型欠壓鎖定
• 16ns 典型傳播延遲
• 12ns 上升時(shí)間，10ns 下降時(shí)間（1.8nF 負(fù)載）
• 1ns 典型延遲匹配
• 輸入上的 5V 負(fù)電壓處理
• HS 上的 14V 負(fù)電壓處理
• ±3A 峰值輸出電流
• 絕對(duì)最大啟動(dòng)電壓 120 V
• 集成自舉二極管

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

UCC4-Q是一款針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的-A、-V半橋驅(qū)動(dòng)器，具有負(fù)電壓處理能力和低開(kāi)關(guān)損耗。該驅(qū)動(dòng)器通過(guò)了AEC-Q0認(rèn)證，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、車(chē)載充電器（OBC）、集成式起動(dòng)機(jī)發(fā)電機(jī)（iBSG）以及汽車(chē)HVAC壓縮機(jī)模塊等應(yīng)用。

二、主要特性

• ?AEC-Q認(rèn)證?：適用于汽車(chē)級(jí)應(yīng)用。
• ?雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)?：支持高側(cè)和低側(cè)配置。
• ?負(fù)電壓處理能力?：輸入端和HS端可承受顯著負(fù)電壓，提高系統(tǒng)魯棒性。
• ?低開(kāi)關(guān)損耗?：具有低上升和下降時(shí)間，減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗。
• ?集成自舉二極管?：消除了對(duì)外部離散二極管的需求，節(jié)省板級(jí)空間并降低成本。
• ?5-V UVLO?：低電壓鎖定功能，確保系統(tǒng)在低偏置電壓下的可靠運(yùn)行。
• ?緊湊封裝?：采用SOIC封裝，適用于嚴(yán)苛的系統(tǒng)環(huán)境。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 汽車(chē)DC/DC轉(zhuǎn)換器
• 電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)
• 車(chē)載充電器（OBC）
• 集成式起動(dòng)機(jī)發(fā)電機(jī)（iBSG）
• 汽車(chē)HVAC壓縮機(jī)模塊

四、功能描述

1. 輸入與輸出

• ?獨(dú)立輸入?：兩個(gè)輸入（HI和LI）可獨(dú)立控制，支持輸入信號(hào)重疊，適用于全橋同步整流等應(yīng)用。
• ?分裂輸出?：高側(cè)（HO）和低側(cè)（LO）輸出，分別連接至高側(cè)和低側(cè)MOSFET的柵極。

2. 電氣特性

• ?低傳播延遲?：典型傳播延遲為6 ns，延遲匹配為1 ns，有助于減少死區(qū)時(shí)間，提高效率。
• ?高電流驅(qū)動(dòng)能力?：±-A峰值輸出電流，低上拉和下拉電阻，適用于驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET。
• ?寬電壓范圍?：支持5.5 V至6 V的VDD供電電壓，以及- V至 V的輸入電壓范圍。

3. 保護(hù)功能

• ?UVLO保護(hù)?：對(duì)高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)級(jí)提供UVLO保護(hù)，防止在供電電壓不足時(shí)誤驅(qū)動(dòng)MOSFET。
• ?負(fù)電壓瞬態(tài)處理?：輸入端和輸出端可承受負(fù)電壓瞬態(tài)，提高系統(tǒng)可靠性。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了一個(gè)典型應(yīng)用電路，展示了UCC-Q1如何驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET構(gòu)成半橋電路。同時(shí)，還提供了詳細(xì)的設(shè)計(jì)步驟，包括選擇自舉電容和VDD電容、估算驅(qū)動(dòng)功率損耗、選擇外部柵極電阻等。

六、電源推薦

• ?VDD電源?：推薦使用. V至 V的電源，并連接1 μF的旁路電容以減小電壓波動(dòng)。
• ?自舉電容?：根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的自舉電容值，通常推薦值為. μF。

七、布局指南

• ?電容放置?：低ESR/ESL電容應(yīng)盡可能靠近VDD和HB引腳放置，以減小高頻噪聲和電壓波動(dòng)。
• ?熱管理?：熱焊盤(pán)應(yīng)連接到大的熱質(zhì)量跡線(xiàn)（通常為IC接地平面）以改善熱性能。
• ?接地設(shè)計(jì)?：高電流路徑應(yīng)盡可能短且直接連接到地平面，以減小環(huán)路電感和噪聲。