毛18禁止观看强奷网站播放,chinaav茄子

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設計用于驅(qū)動采用同步降壓或半橋配置的高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。浮動高壓側驅(qū)動器能夠在高達 100 V 的電源電壓下工作。The A 版本提供完整的 3A 柵極驅(qū)動，而 B 和 C 版本提供 2 A 和 1A、分別。輸出由 CMOS 輸入閾值（LM5100A/B/C）或 TTL 輸入閾值（LM5101A/B/C）。

提供集成高壓二極管，用于為高側柵極驅(qū)動自舉充電電容器。堅固的電平轉(zhuǎn)換器以高速運行，同時功耗低，并提供從 Control Logic 到 Highside 柵極驅(qū)動器的 Clean Level 轉(zhuǎn)換。欠壓鎖定在低側和高側電源軌上均提供。這些設備在標準 SOIC-8 引腳、SO PowerPAD-8 引腳和 WSON-10 引腳封裝。LM5100C 和 LM5101C 是還提供 MSOP-PowerPAD-8 封裝。LM5101A 還提供 WSON-8 引腳包。
*附件：lm5101b.pdf

特性

驅(qū)動高側和低側 N 溝道
MOSFET
獨立的高電平和低電平驅(qū)動器邏輯輸入
自舉電源電壓高達 118 V DC
快速傳播時間（典型值為 25ns）
以 8ns 的上升和下降
時間驅(qū)動 1000pF 負載
出色的傳播延遲匹配（典型值為 3ns
）
電源軌欠壓鎖定
低功耗
引腳兼容 HIP2100/HIP2101

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LMB 是一款高電壓、高速半橋N溝道MOSFET驅(qū)動器，提供A的柵極驅(qū)動電流。該驅(qū)動器適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器等應用，具有獨立的高低側輸入和TTL兼容輸入閾值。

二、主要特性

?高電壓能力?：支持高達V的自舉供電電壓。
?高速性能?：傳播時間典型值為ns，具有優(yōu)秀的延遲匹配。
?獨立輸入?：高低側驅(qū)動器具有獨立輸入，TTL兼容閾值。
?高驅(qū)動能力?：提供A的峰值輸出電流。
?低功耗?：在輕載條件下具有較低的靜態(tài)電流。
?欠壓鎖定保護?：高低側電源均具有欠壓鎖定保護功能。
?集成自舉二極管?：內(nèi)置高電壓二極管，用于高側柵極驅(qū)動電容的充電。

三、引腳配置與功能

?VDD?：正電源輸入，為低側驅(qū)動器供電。
?HB?：高側自舉電源輸入，連接自舉電容的正極。
?HS?：高側源連接，連接高側MOSFET的源極和自舉電容的負極。
?HO?：高側柵極驅(qū)動器輸出，連接高側MOSFET的柵極。
?LI?：低側輸入，控制低側柵極驅(qū)動器的輸出。
?LO?：低側柵極驅(qū)動器輸出，連接低側MOSFET的柵極。
?VSS?：負電源終端，通常接地。
?HI?：高側輸入，控制高側柵極驅(qū)動器的輸出。

四、電氣特性

?工作電壓范圍?：VDD為V至V，HB最高可達V。
?輸入閾值?：TTL兼容輸入，高電平輸入閾值典型值為.V至.V，低電平輸入閾值典型值為.V至.V。
?輸出特性?：低電平輸出電壓（VOL/LOL）和高電平輸出電壓（VOH/HOH）分別取決于VDD和VHB。
?傳播延遲?：典型值為ns至ns。
?欠壓鎖定閾值?：VDD UVLO閾值典型值為.V，具有.V遲滯；HB UVLO閾值典型值為.V，具有.V遲滯。

五、功能描述

?欠壓鎖定?：高低側電源均具有獨立的欠壓鎖定保護，確保在供電電壓不足時禁止輸出。
?電平移位?：高側輸入與高側驅(qū)動器級之間的電平移位電路，實現(xiàn)與高側MOSFET的有效接口。
?自舉二極管?：內(nèi)置高電壓二極管，用于為高側柵極驅(qū)動電容充電。
?輸出階段?：高轉(zhuǎn)換速率、低電阻的輸出驅(qū)動器，支持高效MOSFET開關。

六、應用信息

?典型應用?：適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器、兩開關正向轉(zhuǎn)換器以及有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器等。
?設計考慮?：包括自舉電容和VDD電容的選擇、外部自舉二極管和電阻的考慮、柵極驅(qū)動電阻的選擇以及驅(qū)動器功耗的估計等。
?布局指南?：強調(diào)了驅(qū)動器IC和被動元件的布局原則，以減少寄生電感和提高電路性能。