碳化硅逆變焊機輸出整流應(yīng)用的革新之選:國內(nèi)首發(fā)400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析

引言:碳化硅技術(shù)引領(lǐng)焊機高效化浪潮
隨著電力電子技術(shù)向高頻化、高效化邁進,碳化硅(SiC)器件憑借其優(yōu)異的物理特性,正在逐步取代傳統(tǒng)硅基器件。在逆變焊機領(lǐng)域,輸出整流環(huán)節(jié)的效率與可靠性直接影響整機性能。BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體推出的國內(nèi)首款400V SiC肖特基二極管B3D120040HC,以其卓越的電氣性能和熱管理能力,為焊機設(shè)計者提供了全新的解決方案。
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!
傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:
傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!
傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢!
傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!
核心優(yōu)勢:B3D120040HC的六大技術(shù)亮點
零反向恢復(fù)電流,降低開關(guān)損耗
傳統(tǒng)硅快恢復(fù)二極管(FRD)在關(guān)斷時存在反向恢復(fù)電流(IRRIRR?),導(dǎo)致顯著的開關(guān)損耗。而B3D120040HC基于SiC肖特基結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了零反向恢復(fù)電流,可將開關(guān)損耗降低90%以上,尤其適合高頻逆變焊機(20kHz以上)的整流應(yīng)用。
高溫穩(wěn)定性,提升系統(tǒng)可靠性
在Tc?=135℃時,B3D120040HC仍可輸出120A連續(xù)正向電流,且正向壓降(VF?)具有正溫度系數(shù)(25℃時1.48V,175℃時1.8V),有效避免電流集中導(dǎo)致的局部過熱,適配焊機長時間高負(fù)載工況。
低電容電荷(QC?=172nC),支持高頻化設(shè)計
總電容電荷僅為172nC,結(jié)合極低的反向恢復(fù)電荷(Qrr?=0),顯著降低高頻開關(guān)下的容性損耗。這使得焊機可進一步提升開關(guān)頻率,縮小磁性元件體積,降低系統(tǒng)成本。
卓越熱管理能力,簡化散熱設(shè)計
熱阻(Rth(j?c)?)低至0.18K/W,配合TO-247-3封裝的高效散熱路徑,可在175℃結(jié)溫下穩(wěn)定運行。對比傳統(tǒng)方案,散熱器體積可縮減30%以上,助力焊機小型化。
高浪涌電流耐受性,增強魯棒性
非重復(fù)浪涌電流(IFSM?)在25℃時達(dá)300A(10ms半正弦波),即使面對焊機啟?;蚨搪匪矐B(tài)沖擊,仍能保障系統(tǒng)安全。
EMI優(yōu)化,簡化濾波設(shè)計
零反向恢復(fù)特性與低電容電荷有效抑制高頻振蕩和電磁干擾(EMI),減少輸出濾波電路復(fù)雜度,降低整機BOM成本。

應(yīng)用場景:逆變焊機輸出整流的性能躍升
在逆變焊機中,B3D120040HC可無縫替代傳統(tǒng)硅FRD,具體優(yōu)勢如下:
高頻化設(shè)計:支持50kHz以上開關(guān)頻率,顯著減小輸出電感和變壓器體積,提升功率密度。
效率提升:實測對比顯示,在40kHz/200A工況下,整機效率提升2%~3%(典型值),降低能耗與運行成本。
可靠性增強:175℃高溫下仍保持低漏電流(IR=100μA@1200V),避免熱失控風(fēng)險。
國內(nèi)首發(fā)意義:打破技術(shù)壁壘,賦能本土制造
B3D120040HC的推出標(biāo)志著國產(chǎn)SiC器件在高壓大電流領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。其本土化生產(chǎn)不僅縮短供應(yīng)鏈周期,還可降低綜合成本15%~20%,助力國內(nèi)焊機廠商在全球市場競爭中占據(jù)技術(shù)制高點。
結(jié)語:開啟焊機高效時代
BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體B3D120040HC憑借零反向恢復(fù)、高溫穩(wěn)定性與低損耗特性,為碳化硅逆變焊機的輸出整流樹立了新標(biāo)桿。其國內(nèi)首發(fā)不僅填補了市場空白,更為本土高端裝備制造注入強勁動能。在“雙碳”目標(biāo)驅(qū)動下,SiC技術(shù)的普及將加速焊機行業(yè)向綠色高效轉(zhuǎn)型。
審核編輯 黃宇
-
二極管
+關(guān)注
關(guān)注
149文章
10390瀏覽量
178138 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3693瀏覽量
69228
發(fā)布評論請先 登錄
探索LSIC2SD065D40CC碳化硅肖特基二極管:性能與應(yīng)用的深度解析
解析 onsemi NDSH20120CDN:SiC 肖特基二極管的卓越性能
探索 onsemi NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二極管:高效與可靠的完美結(jié)合
白光干涉儀在肖特基二極管晶圓的深溝槽 3D 輪廓測量
肖特基二極管怎么用+原理
低電容高壓肖特基二極管 skyworksinc
SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能
SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性
開啟焊機高效時代:國內(nèi)首發(fā)400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析
評論