氮化鎵器件開關(guān)頻率升級，同步整流芯片需具備高速響應(yīng)能力，確保高頻工況下精準(zhǔn)控制同步整流管的開通與關(guān)斷時。同步整流芯片U7106應(yīng)用在氮化鎵電源芯片U8766中可顯著減少功率損耗，提升轉(zhuǎn)換效率！

同步整流芯片U7106是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7106內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。

同步整流芯片U7106特性：

1. 內(nèi)置 100V 6mΩ MOSFET

2. 支持反激、有源鉗位反激拓?fù)?/p>

3. 支持 DCM、QR 和 CCM 工作模式

4. 集成 180V 高耐壓檢測電路和高壓供電電路，無需VDD輔助繞組供電

5. 支持寬范圍輸出電壓應(yīng)用，特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領(lǐng)域

6. 支持 High Side 和 Low Side 配置

7. <30ns 開通和關(guān)斷延時

8. 智能開通檢測功能防止誤開通

9. 智能過零檢測功能

10. 啟動前 Gate 智能鉗位

同步整流芯片U7106搭載氮化鎵電源芯片U8766，可以做65W快充方案。

氮化鎵電源芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8766通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

氮化鎵電源芯片U8766的工作頻率最高可達(dá) 220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。

同步整流芯片U7106搭載氮化鎵電源芯片U8766，優(yōu)化氮化鎵電源高頻開關(guān)性能，讓產(chǎn)品實現(xiàn)更小占板空間及更高散熱效率！