電子發(fā)燒友綜合報道 作為HBM和3D NAND的核心技術(shù)之一，混合鍵合在近期受到很多關(guān)注，相關(guān)設備廠商尤其是國產(chǎn)設備廠商的市場前景巨大。那么混合鍵合是什么？

混合鍵合是一種結(jié)合介電層鍵合和金屬直接鍵合的先進封裝技術(shù)，其核心目標是實現(xiàn)芯片間高密度、低電阻的垂直互聯(lián)。

在工藝過程中，需要經(jīng)過對準和鍵合、后鍵合處理等幾個流程。在對晶圓表面進行化學機械拋光（CMP）和清洗之后，通過光學或電子束對準系統(tǒng)實現(xiàn)亞微米級（通常<200nm）的芯片間精準對齊，尤其在芯片到晶圓（D2W）鍵合中，對準誤差需接近零。

鍵合的方式有晶圓到晶圓W2W和芯片到晶圓D2W兩種，在鍵合過程中，銅觸點與介電層（如SiO?）同時接觸，通過熱壓或<400°C的低溫退火實現(xiàn)金屬-金屬和介電層-介電層的同步鍵合。

在鍵合后，還需要通過CMP工藝調(diào)整銅層高度，確保銅觸點略微凹陷于介電層表面（通常為50-100nm），以避免短路并提升鍵合強度；同時鍵合過程中產(chǎn)生的熱量需通過散熱結(jié)構(gòu)（如嵌入式熱沉）快速導出，防止局部熱應力導致晶圓變形。

其中技術(shù)難點，主要有5點。首先從前面的工藝流程可以看到對準精度是非常重要的，混合鍵合的互聯(lián)密度可達1000-5000 PPI，要求對準誤差小于200nm，這對設備（如高精度對準機）和工藝穩(wěn)定性提出了極高挑戰(zhàn)；

其次是銅觸點的凹陷深度需高度均勻，否則會導致鍵合界面接觸不良或介電層破裂，這需要CMP工藝參數(shù)和設備的能力去實現(xiàn)；

鍵合表面的粗糙度需控制在1nm以下，且必須避免任何有機或金屬污染，對清洗技術(shù)提出極高要求；

鍵合后的低溫退火（通常<400°C）需在保護氣氛（如氮氣）中進行，以消除界面缺陷并增強鍵合強度，但過高的熱應力可能導致晶圓翹曲或材料疲勞；

最后，多次鍵合/解鍵合載體的使用、高精度設備投入及工藝復雜性顯著推高成本。此外，微小缺陷可能導致整片晶圓失效，需通過在線檢測技術(shù)提升良率。

相對應地，混合鍵合工藝中，涉及到多種關(guān)鍵設備包括CMP、等離子體活化與清洗設備、高精度對準與鍵合設備、退火設備、檢測與分析設備、電鍍ECU設備（用于銅柱的電化學沉積）、減薄與研磨設備等。

混合鍵合工藝對設備的精密性、穩(wěn)定性和集成度要求極高，尤其在對準、鍵合、CMP和退火 環(huán)節(jié)存在顯著技術(shù)壁壘。目前，此類設備市場主要由日韓廠商，寶庫DISCO、東京電子和歐美廠商KLA、應用材料等主導；但國產(chǎn)設備已在CMP和檢測領域逐步突破，比如中電科45所、華海清科等。未來，隨著存儲、高性能計算和異構(gòu)集成需求的增長，混合鍵合設備的市場規(guī)模將持續(xù)擴大。