電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）SiC在電動汽車上的大規(guī)模應用，到目前為止已經(jīng)經(jīng)歷8年時間，行業(yè)已經(jīng)稱得上成熟。但作為一種半導體功率器件，由于SiC襯底材料本身存在的缺陷導致器件一致性可能存在差異，以及SiC MOSFET柵極氧化層可靠性受到工藝的影響，在功率模塊中可能出現(xiàn)單個芯片擊穿導致故障。

比如早期在2019—2022年，特斯拉曾大規(guī)模召回過Model 3，對于召回原因的描述是：本次召回范圍內(nèi)車輛的后電機逆變器功率半導體元件可能存在微小的制造差異，其中部分車輛使用一段時間后元件制造差異可能會導致后逆變器發(fā)生故障，造成逆變器不能正?？刂齐娏?。此故障發(fā)生在車輛處于停車狀態(tài)時，會導致車輛無法啟動；此故障發(fā)生在車輛行駛狀態(tài)時，會導致車輛失去行駛動力，極端情況下可能增加車輛發(fā)生碰撞的風險，存在安全隱患。

當然，目前隨著檢測技術(shù)的成熟，海外大廠車規(guī)SiC器件失效概率已經(jīng)非常低了。而國產(chǎn)SiC未來大規(guī)模上車，也將面臨同樣的問題，需要盡可能降低器件失效的風險。

最近理想自研SiC芯片團隊在第37屆ISPSD（功率半導體器件和集成電路國際會議） 會議上發(fā)表了題為《Analysis on BVDSS Outlier Chips and Screening Technology for 1.2 kV Automotive SiC MOSFETs》（1200V汽車級碳化硅MOSFET芯片擊穿電壓離群芯片的分析與篩選技術(shù)研究）的論文，通過結(jié)合實驗分析和數(shù)值模擬，系統(tǒng)地研究1.2 kV SiC MOSFET中 BV_DSS異常芯片的失效機制。

理想SiC芯片團隊表示，由于電動汽車對可靠性的嚴格要求，SiC MOSFET 的柵氧化層可靠性及其魯棒性已被廣泛研究。然而，關(guān)于擊穿電壓異常芯片的討論相對較少，排除那些由外延或工藝波動引起的異常芯片。在開發(fā)我們的SiC牽引逆變器過程中，BV_DSS異常芯片在商用SiC MOSFET產(chǎn)品中經(jīng)常被發(fā)現(xiàn)。

他們發(fā)現(xiàn)器件失效與外延層中的坑缺陷之間存在強相關(guān)性。當坑位于P區(qū)時，可以觀察到植入?yún)^(qū)域的顯著變形。在變形P區(qū)的角落處，局部電場增強，最終導致提前雪崩擊穿。實施了一種篩選技術(shù)，超過96%的不合格芯片具有非致命材料缺陷，其中坑缺陷占最高比例。篩選后，HTRB燒入失效率從1,700個功率模塊下降了近一個數(shù)量級。此外，還研究了這些坑的結(jié)構(gòu)，期望通過外延表面平坦化從根本上提高SiC MOSFET的良率。

簡單來說，就是理想汽車通過自研SiC過程中收集到的測試數(shù)據(jù)，通過一種技術(shù)能夠高效篩選出異常芯片，降低了實際應用中的芯片失效率，提高SiC MOSFET可靠性。這些研究也意味著，國產(chǎn)SiC MOSFET正在積極推動大規(guī)模上車的進程。