出色的功率密度和熱性能，更加緊湊和可靠的設計

采用TO-LL封裝的意法半導體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設計元素共同實現(xiàn)了出色的開關性能、可靠性和熱管理功能，而附加的Kelvin源引線則可幫助設計人員進一步降低開關損耗。

為什么要選擇采用TO-LL封裝的SiC MOSFET?

緊湊型無引線封裝

大型外露式漏極焊盤

減少厚度：2.3mm

額外的Kelvin源引腳

在全溫度范圍內(nèi)具有較低的RDS(on)

高速開關性能

穩(wěn)定的快速本體二極管

SCT040TO65G3 碳化硅功率MOSFET 650V、40mOhm典型值、35A，采用TO-LL封裝

SCT055TO65G3 碳化硅功率MOSFET 650V、58mOhm典型值、30A，采用TO-LL封裝

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