高壓浮地測量因其危險性與復雜性，使得傳統(tǒng)無源探頭難以勝任，必須采用隔離探頭或高壓差分探頭。但面對多樣的探頭類型，如何精準匹配實際應用需求？關鍵在于解答以下三個核心問題。?

一、直流母線電壓參數(shù)如何？?

直流母線電壓直接決定探頭的耐壓上限。對于交流線路信號，需關注其峰峰值電壓；在開關功率器件中，母線電壓通常是交流線路全波整流后的峰值電壓，或是驅(qū)動器 / 逆變器電路脈寬調(diào)制（PWM）信號的幅值。明確該電壓參數(shù)，才能確保所選探頭的額定電壓足以應對測量需求，避免因電壓過載導致設備損壞或測量失效。?

二、半導體器件采用何種材料？?

硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是半導體器件的常用材料，不同材料對開關信號上升時間的要求存在顯著差異：?

• 硅（Si）器件 ：一般難以處理上升時間快于 10ns 的信號；?
• 碳化硅（SiC）器件 ：上升時間多在 3 - 5ns 或更慢；?
• 氮化鎵（GaN）器件 ：上升時間約為 1 - 3ns 。?

電壓擺幅與上升時間呈反比，較大的電壓擺幅往往對應較慢的上升時間，這有助于抑制電磁干擾（EMI）。而要準確測量快速上升時間信號及其諧波成分，探頭必須具備足夠帶寬。例如，測量 GaN 器件柵極驅(qū)動信號，可能需要接近 1GHz 帶寬的探頭；測量其輸出信號，700MHz 甚至 350MHz 帶寬的探頭也能滿足需求。?

三、具體應用場景是什么？?

高壓探頭的選型與實際應用場景緊密相關，常見應用場景主要分為以下三類，不同場景對探頭指標的側(cè)重點有所不同：?

1. 功率半導體測試 ：針對單個功率器件進行測量，如捕獲 MOSFET/IGBT 的柵極驅(qū)動信號與輸出信號并分析，包括驗證死區(qū)時間、測量開關損耗等。這類應用理想的探頭需具備寬電壓范圍、高偏置能力、出色的共模抑制比（CMRR）以及較高的帶寬。?
2. 浮地傳感器測量 ：涉及對串聯(lián)或分流電阻器、溫度傳感器、分立元件等的探測。由于此類信號通常幅值較小但電壓偏移較大，因此對探頭的隔離性能要求極高。?
3. 系統(tǒng)輸入 / 輸出測量 ：涵蓋線路側(cè)交流電壓、DC/DC 轉(zhuǎn)換器高低壓輸入輸出、直流母線以及逆變器驅(qū)動 PWM 輸出等測量。適用于該場景的探頭，往往具備寬電壓范圍和共模范圍的特性。?

只要能夠清晰解答上述三個問題，就能精準定位適配的高壓探頭，攻克選型難題。?

以上內(nèi)容由普科科技 / PRBTEK 整理分享。西安普科電子科技有限公司專注于示波器測試附件配件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品覆蓋電流探頭、差分探頭、高壓探頭等多個品類，致力于為用戶提供高品質(zhì)探頭附件，打造國產(chǎn)化知名品牌。如需獲取更多信息，歡迎訪問官方網(wǎng)站。

審核編輯 黃宇