給大家分享Monolithic Power Systems (MPS)MPQ2483DQ-LF-P PWM LED驅動IC的參數(shù)特性 EDA模型和數(shù)據(jù)手冊。

(MPS)MPQ2483DQ-LF-P的數(shù)據(jù)手冊免費下載
*附件：MPQ2483DQ.pdf

(MPS)MPQ2483DQ-LF-P 的EDA模型免費下載http://m.brongaenegriffin.com/p/e855664119

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(MPS)MPQ2483DQ-LF-P PWM LED驅動IC是初級側CC/CV反激式調節(jié)器。特點?：

• • 無需光耦或次級反饋電路即可實現(xiàn)精確的恒壓（CV）和恒流（CC）控制
  • 集成700V MOSFET和高壓啟動電流源
  • 斷續(xù)導通模式（DCM）工作，采用可變關斷時間控制
  • 功率節(jié)省技術，無負載功耗低于30mW
  • 全保護特性，包括VCC欠壓鎖定（VCC UVLO）、過載保護（OLP）、過溫保護（OTP）等

2. 應用領域

• 手機充電器
• 手持電子設備適配器
• 待機和輔助電源

3. 封裝信息

• ?封裝類型?：SOIC8-7B

4. 電氣特性

4.1 供電電壓管理（VCC）

• VCC開啟閾值（V_CCH）：18.8V至20.0V
• VCC關閉閾值（V_CCL）：8.2V至9.2V
• 操作電流（I_OP）：
  • f_S = f_S-min時：235μA至300μA
  • f_S = 40kHz時：0.55mA至0.85mA

4.2 內部MOSFET

• 擊穿電壓（V_BRDSS）：700V
• 導通電阻（R_DSon）：4.5Ω至6.5Ω（VCC=10V, I_DS=0.1A, T_J=25°C）

4.3 高壓電流源

• 供電電流（I_HV）：1.8mA至2.6mA（VCC=18V, V_D=80V, T_J=25°C）

4.4 反饋輸入（FB）

• FB參考電壓（V_FB）：3.90V至4.02V
• OLP閾值（V_FBolp）：1.4V
• FB最大采樣時間（t_FBS-Max）：多種配置，如R_SS=0Ω時，2.60μs至4.9μs

4.5 保護特性

• 過壓保護（OVP）閾值：5.7V至6.3V
• 過溫保護（OTP）閾值：140°C

5. 引腳功能

• ?FB?：反饋，決定工作模式（CV或CC）
• ?GND?：地
• ?DRAIN?：內部MOSFET漏極，集成高壓電流源
• ?SOURCE?：內部MOSFET源極，連接電流感應電阻
• ?SS?：選擇采樣時間
• ?CP?：輸出電纜補償
• ?VCC?：供電電壓
  

6. 操作原理

6.1 啟動

• 初始由內部高壓電流源供電，VCC達到開啟閾值后由輔助繞組供電
• VCC低于關閉閾值時，IC停止切換，高壓電流源再次開啟

6.2 峰值電流控制

• 使用電流感應電阻檢測初級電流，達到峰值時MOSFET關閉
• 恒流模式下，峰值電流參考固定；恒壓模式下，峰值電流由開關頻率調制

6.3 恒壓（CV）操作

• 通過FB引腳采樣輔助繞組電壓，調節(jié)輸出電壓
• 采樣時間可定制，以適應不同應用

6.4 恒流（CC）操作

• 峰值電流固定，CC環(huán)路控制功能維持次級二極管導通時間與開關周期之間的固定比率

7. 保護功能

• ?OVP?：FB電壓超過閾值時觸發(fā)
• ?OCkP?：無法每個周期監(jiān)測FB電壓時觸發(fā)
• ?SSP?：達到最大導通時間時觸發(fā)
• ?OLP?：連續(xù)128個周期FB電壓低于閾值時觸發(fā)
• ?OTP?：結溫超過閾值時觸發(fā)

8. 應用信息

• ?輸入濾波器?：推薦電容值2μF/W至3μF/W
• ?輸出電容?：推薦低ESR電容
• ?輸出二極管?：推薦肖特基二極管，或根據(jù)效率要求使用同步整流器
• ?變壓器設計?：漏感應小于初級電感的5%

9. PCB布局指南

• 最小化輸入電容、變壓器初級繞組、MOSFET漏極和源極、感應電阻形成的環(huán)路面積
• 最小化電壓跳變區(qū)域，如MOSFET漏極、次級二極管陽極等
• 放置旁路電容盡可能靠近IC
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