來源：英飛凌官微

750V 碳化硅MOSFET——750V CoolSiC MOSFET車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻范圍7mΩ至140mΩ

英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù)，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關(guān)拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)卓越性能。

此外，第二代產(chǎn)品大幅降低輸出電容(Coss)，使其能夠在Cycloconverter、CLLC、DAB和LLC等軟開關(guān)拓?fù)渲幸愿唛_關(guān)頻率運(yùn)行。

該產(chǎn)品完美適用于對(duì)可靠性、功率密度和效率有嚴(yán)格要求的應(yīng)用，包括車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-AC轉(zhuǎn)換器，以及AI服務(wù)器、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電設(shè)備。采用Q-DPAK封裝可充分發(fā)揮SiC技術(shù)固有的快速開關(guān)速度，同時(shí)確保約20W的功率耗散能力。

產(chǎn)品亮點(diǎn)

CoolSiC MOSFET 750 V

穩(wěn)健的750 V技術(shù)，經(jīng)過測(cè)試的100%抗雪崩能力

出類拔萃的RDS(on)x Qfr

出色的 RDS(on)x Qoss及 RDS(on)x QG

低Crss/Ciss和高VGS(th)的獨(dú)特組合

英飛凌專有裸片接合技術(shù)

提供驅(qū)動(dòng)源引腳

關(guān)鍵特性

插件和貼片封裝

集成開爾文源極

車規(guī)級(jí)器件符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，工業(yè)級(jí)器件通過JEDEC認(rèn)證

高度細(xì)分的產(chǎn)品組合：導(dǎo)通電阻范圍8mΩ至140mΩ，支持多種封裝規(guī)格

Q-DPAK頂部散熱封裝

頂部散熱（TSC）器件是表面貼裝功率器件，焊接在印刷電路板（PCB）上。半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱量通過封裝頂部傳導(dǎo)至連接的散熱器。TSC功率封裝是改善熱性能和電氣性能的解決方案。這類封裝還有助于提高功率密度并降低制造難度。

車規(guī)級(jí)MOSFET

“Tiny Power Box”項(xiàng)目由英飛凌與奧地利硅實(shí)驗(yàn)室（Silicon Austria Labs）聯(lián)合開發(fā)，采用全英飛凌CoolSiC 解決方案，打造了一款緊湊型單相7千瓦車載充電器。