近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，股票代碼：688012）宣布其刻蝕設(shè)備系列喜迎又一里程碑：Primo Menova12寸金屬刻蝕設(shè)備全球首臺機(jī)順利付運(yùn)國內(nèi)一家重要集成電路研發(fā)設(shè)計(jì)及制造服務(wù)商。此項(xiàng)里程碑既標(biāo)志著中微公司在等離子體刻蝕領(lǐng)域的又一自主創(chuàng)新，也彰顯了公司持續(xù)研發(fā)的技術(shù)能力與穩(wěn)步發(fā)展的綜合實(shí)力。

中微公司的12英寸ICP單腔刻蝕設(shè)備 Primo Menova專注于金屬刻蝕，尤其擅長于金屬Al線、Al塊的刻蝕，可廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、存儲器件和先進(jìn)邏輯芯片的制造，是晶圓廠金屬化工藝主要設(shè)備之一。Primo Menova基于中微量產(chǎn)的ICP刻蝕產(chǎn)品Primo Nanova研發(fā)制造，秉承了優(yōu)異的刻蝕均一性控制，可達(dá)到高速率、高選擇比及低底層介質(zhì)損傷等刻蝕性能。Primo Menova搭配高效率腔體清潔工藝，可減少腔室污染，延長腔體持續(xù)運(yùn)行時(shí)間。Primo Menova系統(tǒng)還集成了配備高溫水蒸氣的除膠腔室(strip chamber)，高效去除金屬刻蝕后晶圓表面殘留光刻膠及副產(chǎn)物。Primo Menova和除膠腔體可根據(jù)客戶工藝需求靈活搭配，最大程度滿足客戶高生產(chǎn)效率的要求，確保機(jī)臺在高負(fù)荷生產(chǎn)中的穩(wěn)定性與良率。

中微公司始終站在先進(jìn)制程工藝發(fā)展的最前沿，與國際領(lǐng)先的半導(dǎo)體客戶公司同步前行，公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及其他先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)存儲、先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。公司的CCP電容性高能等離子體刻蝕機(jī)和ICP電感性低能等離子體刻蝕機(jī)可覆蓋國內(nèi)95%以上的刻蝕應(yīng)用需求，在性能優(yōu)秀、穩(wěn)定性高等方面滿足了客戶先進(jìn)制程中各類嚴(yán)苛要求。截至2024年年底，公司累計(jì)已有超過6000臺等離子體刻蝕和化學(xué)薄膜設(shè)備的反應(yīng)臺，在國內(nèi)外137條生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和大規(guī)模重復(fù)性銷售。

根據(jù)市場及客戶需求，中微公司顯著加大研發(fā)力度，目前在研項(xiàng)目涵蓋六大類、超過二十款新設(shè)備的開發(fā)。公司研發(fā)新產(chǎn)品的速度顯著加快，過去通常需要三到五年開發(fā)一款新設(shè)備，現(xiàn)在只需兩年或更短時(shí)間就能開發(fā)出有競爭力的新設(shè)備，并順利進(jìn)入市場。2024年公司研發(fā)總投入達(dá)到24.5億元，比2023年增加了94.3%，占營業(yè)收入比例約為27%，遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板上市公司平均研發(fā)投入占收入比例的10%到15%。

中微公司資深副總裁叢海表示：“中微公司開發(fā)的一系列刻蝕設(shè)備在性能、穩(wěn)定性等方面滿足了客戶的高標(biāo)準(zhǔn)要求，并可覆蓋國內(nèi)大多數(shù)的刻蝕應(yīng)用需求。中微公司持續(xù)踐行‘五個(gè)十大’的企業(yè)文化，將產(chǎn)品開發(fā)的十大原則始終貫穿于產(chǎn)品開發(fā)、設(shè)計(jì)和制造的全過程，秉持為達(dá)到設(shè)備高性能和客戶嚴(yán)格要求而開發(fā)的理念，堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新、設(shè)備差異化和知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)。隨著新應(yīng)用的進(jìn)一步拓展，我們將繼續(xù)推進(jìn)與客戶的密切合作交流，通過技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，不斷為客戶提供極具競爭力的產(chǎn)品和解決方案，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步發(fā)展與深度共贏?！?/p>

關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（證券簡稱：中微公司，證券代碼：688012）致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微公司開發(fā)的CCP高能等離子體和ICP低能等離子體刻蝕兩大類，包括十幾種細(xì)分刻蝕設(shè)備已可以覆蓋大多數(shù)刻蝕的應(yīng)用。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國內(nèi)和國際一線客戶，從65納米到5納米及更先進(jìn)工藝的眾多刻蝕應(yīng)用。中微公司最近十年著重開發(fā)多種導(dǎo)體和半導(dǎo)體化學(xué)薄膜設(shè)備，如MOCVD，LPCVD，ALD和EPI設(shè)備，并取得了可喜的進(jìn)步。中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備早已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)，并在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場占據(jù)領(lǐng)先地位。此外，中微公司也在布局光學(xué)和電子束量檢測設(shè)備，并開發(fā)多種泛半導(dǎo)體微觀加工設(shè)備。這些設(shè)備都是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設(shè)備，可加工和檢測微米級和納米級的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，它們正在改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)方式和生活方式。在美國TechInsights（原VLSI Research）近五年的全球半導(dǎo)體設(shè)備客戶滿意度調(diào)查中，中微公司四次獲得總評分第三，薄膜設(shè)備四次被評為第一。