電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道近期，納微半導(dǎo)體宣布將與力積電合作，共同推進(jìn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。

納微半導(dǎo)體在公告中指出，力積電有著先進(jìn)的180nm CMOS工藝能力，運(yùn)用更小、更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)，從而在性能、能效、集成度以及成本方面實(shí)現(xiàn)全面優(yōu)化。

納微半導(dǎo)體將通過(guò)力積電生產(chǎn)其100V至650V的氮化鎵產(chǎn)品組合，以應(yīng)對(duì)超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車等48V基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)氮化鎵技術(shù)日益增長(zhǎng)的需求。根據(jù)公告，首批由力積電制造的器件預(yù)計(jì)將在今年第四季度完成認(rèn)證。其中，100V系列計(jì)劃于2026年上半年開(kāi)始在力積電投產(chǎn)，而650V的器件則將在未來(lái)12到24個(gè)月內(nèi)從現(xiàn)有的供應(yīng)商臺(tái)積電逐步轉(zhuǎn)移至力積電進(jìn)行代工生產(chǎn)。

這一策略調(diào)整，能夠更好地滿足市場(chǎng)對(duì)于高效能氮化鎵產(chǎn)品的需求，并進(jìn)一步推動(dòng)相關(guān)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步與發(fā)展。

納微寬禁帶技術(shù)平臺(tái)高級(jí)副總裁Sid Sundaresan博士表示：“在180nm工藝節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行8英寸硅基氮化鎵的生產(chǎn)，使我們能夠持續(xù)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同時(shí)提升成本控制、規(guī)?；芰椭圃炝悸省！?br />
值得關(guān)注的是，此前納微半導(dǎo)體的氮化鎵業(yè)務(wù)交由臺(tái)積電生產(chǎn)。而臺(tái)積電在近期被傳出將退出氮化鎵市場(chǎng)，竹科的晶圓廠相關(guān)產(chǎn)線將停止生產(chǎn)。就在7月3日，臺(tái)積電發(fā)表聲明表示，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期業(yè)務(wù)的完整評(píng)估后，公司決定在未來(lái)兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)。“我們正與客戶密切合作，確保順利過(guò)渡，并在此期間繼續(xù)致力于滿足他們的需求?！?br />
在這之前，臺(tái)積電曾對(duì)氮化鎵業(yè)務(wù)展示了積極的布局與進(jìn)展。2024年初的年報(bào)顯示，公司第二代650V/100V E-HEMT技術(shù)已完成可靠性驗(yàn)證，計(jì)劃于2025年投產(chǎn)；同時(shí)，臺(tái)積電也在積極推進(jìn)8英寸氮化鎵-on-硅（GaN-on-Si）技術(shù)的開(kāi)發(fā)工作，預(yù)計(jì)該技術(shù)將于2026年開(kāi)始投產(chǎn)。

但從當(dāng)下的最新布局來(lái)看，臺(tái)積電正在進(jìn)行戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)移，剝離相對(duì)低利潤(rùn)的GaN代工業(yè)務(wù)，轉(zhuǎn)向高性能計(jì)算，或者AI芯片等需求更高的領(lǐng)域、摩根士丹利全球半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)分析指出，臺(tái)積電2025年底的CoWoS總產(chǎn)能約為70k，到了 2026年將達(dá)到約90-95k，增長(zhǎng)33%。英偉達(dá)Blackwell架構(gòu)GPU芯片需求強(qiáng)勁，攬下臺(tái)積電七成CoWoS-L先進(jìn)封裝產(chǎn)能，除此之外，英偉達(dá)的Rubin在AI需求的帶動(dòng)下保持增量。AI領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)帶動(dòng)臺(tái)積電先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)的營(yíng)收增長(zhǎng)。臺(tái)積電預(yù)計(jì)，2025年先進(jìn)封裝營(yíng)收占比將超過(guò)10%，而2024年的營(yíng)收占比僅為約8%。

盡管今年氮化鎵市場(chǎng)經(jīng)歷了一些變動(dòng)，例如專注于碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的Wolfspeed宣布進(jìn)行破產(chǎn)重組，又如臺(tái)積電決定退出氮化鎵業(yè)務(wù)，氮化鎵依然被視為未來(lái)的重要新興技術(shù)之一。

作為氮化鎵芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，納微半導(dǎo)體已經(jīng)推出雙向GaNFast功率芯片、電機(jī)驅(qū)動(dòng)專用型GaNSense氮化鎵功率芯片等產(chǎn)品。其中雙向GaNFast功率芯片上通過(guò)合并漏極結(jié)構(gòu)、雙柵極控制及集成專利的有源基板鉗位技術(shù)，實(shí)現(xiàn)雙向開(kāi)關(guān)的突破。其技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能市場(chǎng)、電動(dòng)汽車等多個(gè)領(lǐng)域取得進(jìn)展。

在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，納微的氮化鎵與碳化硅技術(shù)助力NVIDIA的800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)，應(yīng)用于功率超過(guò)1兆瓦的IT機(jī)架。在太陽(yáng)能市場(chǎng)，650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片將用于太陽(yáng)能能源解決方案提供商Enphase的下一代IQ9產(chǎn)品中。在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，其大功率GaNSafe技術(shù)也被用于商用車載充電機(jī)（OBC）應(yīng)用領(lǐng)域。

那么在臺(tái)積電離場(chǎng)之后，接下來(lái)有誰(shuí)能接手呢？業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，臺(tái)積電的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)與力積電的工藝具有較高的兼容性，這使得包括納微在內(nèi)的客戶在轉(zhuǎn)單時(shí)具備較低的成本。此次變動(dòng)是否將引發(fā)代工行業(yè)格局的調(diào)整，仍有待持續(xù)觀察。