以氰化物為配位體(絡(luò)合劑)的堿性鍍銅工藝一直是主流的多種鍍層的打底鍍層和預(yù)鍍工藝。由于環(huán)境保護(hù)和操作安全的考慮，氰化物的使用已經(jīng)受到了嚴(yán)格的限制。因此開發(fā)取代氰化物鍍銅工藝的工作，一直是電鍍界關(guān)注的重要課題。到了今天，還沒有開發(fā)出可以完全取代氰化物鍍銅工藝的新工藝，但是在滿足某些條件時(shí)，也有一些鍍銅工藝可以取代氰化物鍍銅，比如焦磷酸鹽鍍銅、HEDP鍍銅、預(yù)浸強(qiáng)吸附阻擋型活性物如丙烯基硫脲鍍銅等。

后兩者的改進(jìn)型工藝，與其他開發(fā)初期的水平有較大的進(jìn)展，特別是HEDP鍍銅工藝，在采用了輔助配位體和開發(fā)出新的添加劑后，鍍銅層與鋼鐵基體的結(jié)合強(qiáng)度有很大的提高。經(jīng)采用電化學(xué)工作站進(jìn)行陰極極化曲線和恒定電流電位-時(shí)間曲線的測定，應(yīng)用彎曲折斷法進(jìn)行臨界起始電流密度(即保證鍍層結(jié)合強(qiáng)度的最小初始電流)的測試和鍍層結(jié)合強(qiáng)度的定量測定，結(jié)果表明：輔助配位劑的加入利市了銅析出時(shí)的陰極極化，降低了臨界起始電流密度，當(dāng)用1ASD的電流密度進(jìn)行起始電鍍時(shí)，可使鐵的表面在銅沉積前得到更充分的活化，使鍍銅層與鐵基體的結(jié)合強(qiáng)度提高到6416.38N/cm2，已接近銅上電鍍銅的水平。