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Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品:頂部散熱封裝

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:綜合報道 ? 2025-07-08 00:55 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近Wolfspeed的破產(chǎn)消息給業(yè)界帶來了不小的震撼,雖然在資本層面面臨危機(jī),不過Wolfspeed當(dāng)前的業(yè)務(wù)還是在正常推進(jìn)的。Wolfspeed本周推出了新型的頂部散熱封裝碳化硅MOSFET肖特基二極管產(chǎn)品,通過頂部散熱(TSC)封裝,可以顯著提升系統(tǒng)功率密度和效率,同時優(yōu)化熱管理性能并增強(qiáng)電路板布局靈活性。

本次新推出的U2系列產(chǎn)品全系采用頂部散熱封裝,提供650 V 至 1200 V 多種電壓選項,面向電動汽車車載充電機(jī)及快速充電基礎(chǔ)設(shè)施、電動汽車與工業(yè)暖通空調(diào)(HVAC)電機(jī)驅(qū)動、高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、太陽能及儲能系統(tǒng)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)電源等廣泛應(yīng)用領(lǐng)域。

U2系列提供滿足 JEDEC 與 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)應(yīng)用認(rèn)證的選項,具備低剖面、表面貼裝設(shè)計;頂部散熱,熱阻(Rth)低;碳化硅(SiC)MOSFET 電壓范圍:750 V 至 1200 V;碳化硅(SiC)肖特基二極管計劃覆蓋 650 V 至 1200 V。

U2系列的優(yōu)勢包括SiC頂部散熱(TSC)封裝中最大的爬電距離;通過優(yōu)化 PCB 布局實(shí)現(xiàn)更高系統(tǒng)功率密度;表面貼裝設(shè)計支持大規(guī)模量產(chǎn)。

頂部散熱封裝優(yōu)勢?

大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝分立功率半導(dǎo)體器件通過底部與 PCB 直接接觸的方式散熱,并依賴安裝在 PCB 下方的散熱器或冷卻板。這種散熱方式廣泛應(yīng)用于各類電力電子場景,尤其在 PCB 安裝空間和散熱器重量不受限制的應(yīng)用中尤為常見。

相比之下,頂部散熱(TSC)器件通過封裝頂部實(shí)現(xiàn)散熱。在頂部散熱(TSC)封裝內(nèi)部,芯片采用倒裝方式布置于封裝上層,使熱量能夠直接傳導(dǎo)至頂部表面。這類器件特別適合汽車及電動交通系統(tǒng)等高性能應(yīng)用場景——這些領(lǐng)域?qū)Ω吖β拭芏?、先進(jìn)熱管理方案和小型化封裝有著嚴(yán)苛要求。在這些應(yīng)用中,頂部散熱(TSC)器件通過實(shí)現(xiàn)最大功率耗散并優(yōu)化熱性能,有效滿足了系統(tǒng)的冷卻需求。

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來源:wolfspeed


頂部散熱(TSC)設(shè)計還實(shí)現(xiàn)了 PCB 的雙面利用,因?yàn)榈装灞砻娌辉傩枰獮樯崞黝A(yù)留接口。將散熱器從熱路徑中移除,不僅顯著降低了系統(tǒng)整體熱阻,還支持自動化組裝工藝——這一優(yōu)勢可大幅提升生產(chǎn)效率,從而打造出更具成本效益的解決方案。

提供評估平臺和電機(jī)驅(qū)動參考設(shè)計

Wolfspeed 提供的SpeedVal Kit模塊化評估平臺為工程師提供了一套靈活的構(gòu)建模塊,可在實(shí)際工作點(diǎn)對系統(tǒng)性能進(jìn)行電路內(nèi)評估,從而加速從硅器件向碳化硅(SiC)的轉(zhuǎn)型過渡。最新發(fā)布的三相評估主板不僅支持高功率靜態(tài)負(fù)載測試,更能為先進(jìn)電機(jī)控制固件的開發(fā)提供基礎(chǔ)平臺。

同時針對U2系列的器件,Wolfspeed即將推出 13 kW 電機(jī)驅(qū)動參考設(shè)計,該設(shè)計為車廂、電池及電子設(shè)備提供全面的熱管理解決方案。通過采用SiC技術(shù)優(yōu)化 HVAC 系統(tǒng)效率和溫控范圍,系統(tǒng)設(shè)計人員可實(shí)現(xiàn) 15 分鐘內(nèi)完成快速充電,并延長車輛單次充電續(xù)航里程(全生命周期有效)?;?Wolfspeed 最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 參考設(shè)計,碳化硅技術(shù)帶來圖中諸多優(yōu)勢,包括延長單次充電續(xù)航里程、提升快速充電期間的可靠性、減小系統(tǒng)尺寸和降低環(huán)境噪音等。


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