全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者Kioxia Corporation今日宣布，已開始提供全新的通用閃存存儲(2)(UFS) 4.1版本嵌入式存儲設(shè)備樣品，進一步鞏固其在高性能存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這些新設(shè)備專為滿足下一代移動應(yīng)用程序的需求而設(shè)計，包括搭載設(shè)備端AI的高級智能手機，它在小型BGA封裝中實現(xiàn)了性能提升與更高的能效(3)。

Kioxia的UFS 4.1版本設(shè)備在JEDEC標準封裝中集成了公司創(chuàng)新的BiCS FLASH? 3D閃存和控制器。這些全新UFS設(shè)備采用Kioxia第8代BiCS FLASH? 3D閃存(1)打造。該代產(chǎn)品引入了CBA（CMOS直接鍵合陣列）技術(shù)——這一架構(gòu)創(chuàng)新標志著閃存設(shè)計的重大飛躍。通過將CMOS電路直接鍵合至存儲陣列，CBA技術(shù)大幅提升了能效、性能和存儲密度。

Kioxia的UFS 4.1版本設(shè)備兼具高速與低功耗特性，旨在提升用戶體驗，實現(xiàn)更快的下載速度和更流暢的應(yīng)用程序運行表現(xiàn)。

核心特性包括：

提供256 GB、512 GB和1 TB三種容量選擇

性能較上一代產(chǎn)品提升(3)：

隨機寫入：512 GB / 1 TB版本提升約30%

隨機讀?。?12 GB版本提升約45%，1 TB版本提升約35%

能效較上一代產(chǎn)品提升(3)：

讀?。?12 GB / 1 TB版本提升約15%

寫入：512 GB / 1 TB版本提升約20%

支持主機發(fā)起的碎片整理功能，可延遲垃圾回收，確保關(guān)鍵場景下的持續(xù)高速性能

寫入加速(WriteBooster)緩沖區(qū)可調(diào)整大小，為優(yōu)化性能提供更高靈活性

符合UFS 4.1版本標準

1 TB型號的封裝高度較上一代產(chǎn)品有所降低(4)

采用Kioxia第8代BiCS FLASH? 3D閃存(1)

注：
(1) 僅適用于512 GB / 1 TB型號。
(2) 通用閃存存儲(UFS)是一類符合JEDEC UFS標準規(guī)范的嵌入式存儲產(chǎn)品。憑借串行接口，UFS支持全雙工模式，可實現(xiàn)主機處理器與UFS設(shè)備之間的并發(fā)讀寫。
(3) 分別與上一代512 GB設(shè)備“THGJFMT2E46BATV”和1 TB設(shè)備“THGJFMT3E86BATZ”相比（僅適用于512 GB / 1 TB型號）。
(4) 上一代1 TB設(shè)備型號為“THGJFMT3E86BATZ”。

*在每次提及Kioxia產(chǎn)品時：產(chǎn)品密度是根據(jù)產(chǎn)品內(nèi)部存儲芯片的密度確定的，而非最終用戶可用于數(shù)據(jù)存儲的內(nèi)存容量。由于存在冗余數(shù)據(jù)區(qū)、格式化、壞塊及其他限制，消費者可使用的容量會更少，且可能因主機設(shè)備和應(yīng)用程序的不同而有所差異。詳情請參考相關(guān)產(chǎn)品規(guī)格。1 KB定義為2^10字節(jié)=1,024字節(jié)。1 Gb定義為2^30比特=1,073,741,824比特。1 GB定義為2^30字節(jié)=1,073,741,824字節(jié)。1 Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。1 TB=2^40字節(jié)=1,099,511,627,776字節(jié)。

*讀寫速度為Kioxia Corporation在特定測試環(huán)境下獲得的最佳值，Kioxia Corporation不對單個設(shè)備的讀寫速度作出保證。實際讀寫速度可能因所用設(shè)備及讀寫文件大小而有所不同。

*公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能第三方公司的商標。

審核編輯 黃宇