2017年以來，功率器件供給也出現(xiàn)了缺貨漲價情況，8寸硅晶圓的供不應(yīng)求，市場需求旺盛，使得上游吹起漲價風(fēng)潮。然而今年，高中低壓MOSFET、IGBT的交期趨勢呈現(xiàn)了全面延長的局面，有的低壓MOSFET的交期超過40周，IGBT最長交期達50周……

國外功率器件的供應(yīng)緊張情況在近期將會持續(xù)，交貨周期拉長，那么國內(nèi)可替代的功率器件廠家又有哪些呢：

一般來說 MOSFET、整流管和晶閘管的交貨周期是8 -12周左右，但現(xiàn)在部分MOSFET、整流管和晶閘管交期已進一步延長到 20 至 40 周。

隨著功率半導(dǎo)體器件市場行情的回暖，需求持續(xù)旺盛，但受限于產(chǎn)能，原廠交貨周期開始不斷延長。原材料漲價、硅晶圓供應(yīng)緊張、需求強勁為供不應(yīng)求背后主要動因。

下面一起看看功率器件交期延長情況：

低壓MOSFET較多貨期接近或超過40周，其中，汽車器件的貨期問題尤為顯著。

?英飛凌在收購 IR 后可提供豐富的中等電壓產(chǎn)品 (40-200V)。但是，定價上漲，貨期也延長。SOT-23 器件貨期為 30 + 周，汽車器件交貨時間為 28+ 周。

?ON Semiconductor（原Fairchild）小型封裝（SOC-223和更小型）貨期延長，雙路，互補型和co-pack器件的貨期受影響最為嚴(yán)重。

?ON Semiconductor的汽車器件和QFN 5x6， sot-23, sot-223封裝產(chǎn)品有貨期問題。

?意法半導(dǎo)體（ST）后端和前端產(chǎn)能均已定滿。Q3和Q4估計將在緊缺分貨過程中度過。

?Vishay擴展中低電壓產(chǎn)品組合，新產(chǎn)品價格有競爭力。大量提供P溝道器件。2018年Q1和Q2的產(chǎn)能已滿。

高壓MOSFET的交期也全部為延長狀況，交期介于22-44周不等。

?英飛凌目前更為專注于P7、C7、CFD系列，而成本上漲的傳統(tǒng)器件（C3、C6、P6系列）的貨期也延長至 24-28 周。其中，P7 產(chǎn)品提供領(lǐng)先的價格/性能及更好的貨期。

?需求仍然強勁的ST，目前滿產(chǎn)能。M2、M5和K5系列的規(guī)格和價格較好。其是額定200攝氏度的碳化硅場效應(yīng)管的唯一供應(yīng)商。推出650V SiC，可與高性能IGBT競爭，并能替代超結(jié)器件。

?正經(jīng)歷被Littelfuse收購的Ixys目前產(chǎn)能已滿，貨期難以改進。1000V以上產(chǎn)品有優(yōu)勢。

?ON Semiconductor（原Fairchild）面向大眾市場提供豐富的高壓FET，貨期參差不齊，但似乎比競爭對手要好些。

?Vishay持續(xù)開發(fā)高壓產(chǎn)品系列，超結(jié)650V FET可與英飛凌和意法半導(dǎo)體媲美。超結(jié)器件貨期超過 30 周，傳統(tǒng)器件（IR）貨期在 20 周以內(nèi)。

IGBT的交期最高達到52周。

?ON Semiconductor（原Fairchild）擅長場截止IGBT，傳統(tǒng) IGBT 的貨期正在延長，但某些系列可以提供die bank。 由于對技術(shù)的高需求導(dǎo)致后端產(chǎn)能限制。

?英飛凌作為IGBT的全球領(lǐng)導(dǎo)者，在并購IR后，擁有了最豐富的大功率和低功率IGBT。CO-Pack 產(chǎn)品 (整流器組合) 貨期達到 30 周以上，并仍然在延長。

?意法半導(dǎo)體（ST）投資研發(fā)這一類產(chǎn)品，提供大功率模塊，與英飛凌、Semikron、三菱競爭。未來12個月產(chǎn)能已滿，貨期在50周。