基本半導(dǎo)體推出的BMF008MR12E2G3（1200V/160A）和BMF240R12E2G3（1200V/240A）兩款 SiC MOSFET 模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器（PCS）、超大功率充電樁、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，其核心競(jìng)爭(zhēng)力源于電氣性能突破、系統(tǒng)級(jí)價(jià)值優(yōu)化、場(chǎng)景適配性及技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新四重維度的革新。以下結(jié)合技術(shù)細(xì)節(jié)與應(yīng)用需求展開(kāi)分析：

? 一、電氣性能優(yōu)勢(shì)：高頻低損與高溫穩(wěn)定性

高頻開(kāi)關(guān)與低損耗特性

BMF240R12E2G3：Rds(on)低至5.5mΩ（@18V驅(qū)動(dòng)），BMF008MR12E2G3為8.1mΩ，較IGBT降低導(dǎo)通壓降損耗。

零反向恢復(fù)電荷（Qrr≈0）：內(nèi)置SiC SBD二極管（Vf僅1.35V），消除反向恢復(fù)損耗，浪涌工況下導(dǎo)通損耗降低60%+。

開(kāi)關(guān)頻率提升：支持32kHz~40kHz高頻運(yùn)行（傳統(tǒng)IGBT通?！?0kHz），顯著降低濾波電感體積（縮小36%）。

導(dǎo)通損耗優(yōu)化：

開(kāi)關(guān)損耗負(fù)溫度特性：高溫下開(kāi)關(guān)損耗（Eon）不升反降（Tj=125℃時(shí)比25℃降低11.3%），抵消導(dǎo)通損耗溫升，保障高溫滿功率運(yùn)行。

高溫耐受與可靠性

結(jié)溫175℃：采用Si?N?陶瓷基板（抗彎強(qiáng)度700N/mm2）和高溫焊料，通過(guò)1000次溫度沖擊測(cè)試，壽命為IGBT的2倍。

低熱阻設(shè)計(jì)：BMF240R12E2G3熱阻僅0.09K/W（結(jié)到殼），支持長(zhǎng)期過(guò)載運(yùn)行。

審核編輯 黃宇