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聞泰科技如何推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)升級(jí)

聞泰科技 ? 來(lái)源:聞泰科技 ? 2025-07-31 10:11 ? 次閱讀
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在第三代半導(dǎo)體加速滲透的浪潮中,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)堅(jiān)持研發(fā)創(chuàng)新,推出行業(yè)領(lǐng)先的SiC Trench MOS,不僅彰顯了技術(shù)突破的實(shí)力,更成為企業(yè)價(jià)值增長(zhǎng)、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵錨點(diǎn)。

定義業(yè)界標(biāo)桿

公司SiC Trench MOS行業(yè)領(lǐng)先

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體核心材料,在電力電子器件領(lǐng)域的價(jià)值日益凸顯。其中,SiC Trench MOS因多重優(yōu)勢(shì),被視為下一代功率器件的重要方向,但受限于制造工藝,長(zhǎng)期以來(lái)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程緩慢。

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)以創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng),推出SiC溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET(Trench MOS),其工藝在成本和性能上已處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

什么是溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET?相較于傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu),溝槽結(jié)構(gòu)通過(guò)將柵極埋入基體形成垂直溝道,寄生電容更小,開(kāi)關(guān)速度更快,開(kāi)關(guān)損耗顯著降低;同時(shí),通過(guò)優(yōu)化溝道設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)更高溝道遷移率,進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻,在充電樁、光伏逆變器、電動(dòng)汽車(chē)等場(chǎng)景中,展現(xiàn)出突出的應(yīng)用價(jià)值。

產(chǎn)能前瞻布局

筑牢技術(shù)落地的根基

技術(shù)突破的同時(shí),公司在產(chǎn)能端開(kāi)展前瞻布局。公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)位于德國(guó)漢堡晶圓廠的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線(xiàn)將在第四季度完成SiC和GaN中試產(chǎn)線(xiàn)建設(shè);同時(shí),控股股東先行代建的臨港晶圓廠正導(dǎo)入新一代IGBT及BCD工藝。這些產(chǎn)線(xiàn)的落地,將為公司新產(chǎn)品的工藝與成本改善提供支撐,同時(shí)助力公司在GaN、SiC、IGBT等領(lǐng)域形成技術(shù)與產(chǎn)能的聯(lián)動(dòng)優(yōu)勢(shì),推動(dòng)“技術(shù)創(chuàng)新—規(guī)模效應(yīng)”的良性循環(huán)。盡管新產(chǎn)品在公司業(yè)務(wù)中占比尚小,但隨著研發(fā)的有序推進(jìn),有望為未來(lái)發(fā)展注入新動(dòng)力。

目前,公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)自有工廠滿(mǎn)產(chǎn)運(yùn)行,臨港晶圓廠等第三方代工廠訂單充足,三季度訂單持續(xù)向好,為全年增長(zhǎng)打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

業(yè)績(jī)穩(wěn)健增長(zhǎng)

彰顯市場(chǎng)高度認(rèn)可

研發(fā)與產(chǎn)能上的持續(xù)深耕,正在轉(zhuǎn)化為實(shí)實(shí)在在的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。

2025年以來(lái),聞泰半導(dǎo)體業(yè)務(wù)景氣度持續(xù)回升:一季度收入同比增長(zhǎng)超8%,經(jīng)營(yíng)性?xún)衾麧?rùn)同比增長(zhǎng)超65%;二季度延續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),收入、凈利潤(rùn)同比及環(huán)比均實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng),且凈利潤(rùn)增速高于收入增速,反映出公司在出貨量提升與成本管控上的雙重成效。

伴隨全球?qū)Ω咝拾雽?dǎo)體器件的需求增長(zhǎng),功率半導(dǎo)體有望在新能源汽車(chē)、AI數(shù)據(jù)中心機(jī)器人等領(lǐng)域拓展更大空間。隨著市場(chǎng)趨勢(shì)對(duì)半導(dǎo)體的依賴(lài)性增強(qiáng),預(yù)計(jì)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)未來(lái)幾年的增長(zhǎng)趨勢(shì)是積極的。

SiC Trench MOS的推出,是聞泰科技在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要突破。聞泰科技正以其為支點(diǎn),持續(xù)深耕SiC、GaN、IGBT等前沿領(lǐng)域,通過(guò)構(gòu)建領(lǐng)先的制造能力,在技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)落地中不斷創(chuàng)造價(jià)值,為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入持續(xù)動(dòng)力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:科技創(chuàng)新丨聞泰科技SiC Trench MOS 如何重構(gòu)碳化硅產(chǎn)業(yè)格局?

文章出處:【微信號(hào):wingtech_600745,微信公眾號(hào):聞泰科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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