Texas Instruments DRV2901 PWM輸入壓電式傳感器驅(qū)動(dòng)器是一款高性能鏡頭清潔器傳感器驅(qū)動(dòng)器。該系統(tǒng)只需要簡(jiǎn)單的無(wú)源LC解調(diào)濾波器，即可提供高質(zhì)量、高效且得到EMI合規(guī)驗(yàn)證的放大。該器件需要兩個(gè)電源，12V用于GVDD和V DD ，12V至48V用于PVDD。由于采用了內(nèi)部上電重置，因此DRV2901無(wú)需上電排序。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments DRV2901 PWM輸入壓電式傳感器驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

Texas Instruments DRV2901具有一個(gè)片上集成創(chuàng)新保護(hù)系統(tǒng)，可保護(hù)器件免受可能損壞系統(tǒng)的各種故障條件的影響。這些保護(hù)是短路保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、欠壓保護(hù)和過(guò)熱保護(hù)。DRV2901具有一個(gè)專(zhuān)有限流電路，可降低在高電平瞬態(tài)期間器件關(guān)斷的可能性。

特性

• 12V-48V寬電源電壓運(yùn)行
• 支持高達(dá)50W峰值電源
• 集成自我保護(hù)電路，包括
  • 短路
  • 過(guò)流
  • 欠壓
  • 過(guò)熱
• 具有90m?輸出MOSFET的高效功率級(jí)
• 于加電保護(hù)的上電復(fù)位，無(wú)任何電源定序
• 44引腳HTSSOP封裝 (DDV)
• 工作溫度范圍：-40°C至+125°C

功能框圖

DRV2901壓電式傳感器驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用?

?一、產(chǎn)品概述?

DRV2901是德州儀器（TI）推出的一款高性能單通道PWM輸入壓電式傳感器驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為超聲波清洗及光學(xué)鏡頭清潔系統(tǒng)設(shè)計(jì)。其核心特點(diǎn)包括：

• ?寬電壓支持?：12V至48V工作電壓范圍，兼容工業(yè)級(jí)電源設(shè)計(jì)。
• ?高效功率輸出?：集成90mΩ低阻MOSFET，支持高達(dá)50W峰值功率輸出。
• ?多重保護(hù)機(jī)制?：包含欠壓保護(hù)（UVP）、過(guò)溫保護(hù)（OTP）、過(guò)載及短路保護(hù)，確保系統(tǒng)可靠性。
• ?簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)?：內(nèi)置電源復(fù)位（POR）功能，無(wú)需電源時(shí)序控制，降低開(kāi)發(fā)復(fù)雜度。

?典型應(yīng)用場(chǎng)景?：

• 熱成像相機(jī)鏡頭清潔
• 交通監(jiān)控?cái)z像頭防污
• 無(wú)人機(jī)視覺(jué)系統(tǒng)維護(hù)

?二、關(guān)鍵技術(shù)與特性?

?1. 高效功率架構(gòu)?

• ?半橋輸出設(shè)計(jì)?：支持A/B雙通道獨(dú)立控制，通過(guò)外部LC濾波器實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量PWM信號(hào)解調(diào)。
• ?低損耗MOSFET?：RDS(on)低至90mΩ（GVDD=12V時(shí)），減少熱損耗，提升能效至90%以上。

?2. 智能保護(hù)系統(tǒng)?

• ? 可編程過(guò)流保護(hù)（OCP） ?：通過(guò)外部電阻（22kΩ至100kΩ）調(diào)節(jié)閾值（3A至12.2A），適應(yīng)不同負(fù)載需求。
• ?兩級(jí)溫度監(jiān)控?：
  • ?OTW警告?：125°C時(shí)觸發(fā)信號(hào)，提示降頻或降溫。
  • ?OTE關(guān)斷?：155°C時(shí)強(qiáng)制進(jìn)入高阻態(tài)，需復(fù)位恢復(fù)。

?3. 簡(jiǎn)化接口設(shè)計(jì)?

• ?PWM直驅(qū)輸入?：兼容標(biāo)準(zhǔn)控制器（如ULC1001），無(wú)需額外信號(hào)調(diào)理。
• ?開(kāi)漏故障輸出?：SD（關(guān)斷）和OTW（過(guò)溫）引腳支持外部上拉，兼容3.3V/5V邏輯。

?三、典型應(yīng)用電路設(shè)計(jì)?

?1. 電源配置?

• ?GVDD/VDD?：12V±10%，需并聯(lián)47μF+0.1μF電容濾波。
• ?PVDD?：12-48V，每通道需0.01μF+1μF去耦電容至GND_X。

?2. 關(guān)鍵外圍元件?

• ?自舉電容?：100nF（BST_X至OUT_X），高頻應(yīng)用可縮減至33nF。
• ?電流檢測(cè)電阻?：1-2Ω（RSNS），用于反饋至控制器。

?3. 布局建議?

• ?分層設(shè)計(jì)?：頂層放置自舉電容，底層布置PVDD濾波電容，縮短回流路徑。
• ?隔離敏感信號(hào)?：低電壓模擬地（AGND）與功率地（GND）通過(guò)開(kāi)槽分隔，減少噪聲耦合。

?四、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

1. ?電感選型?：輸出濾波電感需在最大電流下保持≥5μH感量，避免飽和導(dǎo)致保護(hù)誤觸發(fā)。
2. ?散熱管理?：HTSSOP封裝熱阻θJA為50.7°C/W，需通過(guò)大面積鋪銅或散熱器控制結(jié)溫。
3. ?故障恢復(fù)?：OTW信號(hào)建議連接MCU，動(dòng)態(tài)調(diào)整負(fù)載以避免OTP觸發(fā)。