Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于高達(dá)2121Vpk 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高級(jí)保護(hù)特性、同類最佳的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

TI UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動(dòng)器具有高達(dá)±10A峰值拉電流和灌電流。輸入側(cè)與輸出側(cè)通過(guò)SiO2電容式隔離技術(shù)進(jìn)行隔離，支持高達(dá)1.5kVRMS 工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度（隔離柵壽命超過(guò)40年）、較低的零件間偏移以及±150V/ns共模噪聲抗擾度(CMTI)。

UCC21755-Q1提供先進(jìn)的保護(hù)特性，包括快速過(guò)流和短路檢測(cè)、分流檢測(cè)支持、故障報(bào)告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側(cè)電源UVLO，以優(yōu)化SiC和IGBT開(kāi)關(guān)行為。

隔離式模擬轉(zhuǎn)PWM傳感器可用于更好地管理溫度或電壓檢測(cè)。這些功能進(jìn)一步提高了驅(qū)動(dòng)器的多功能性，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)工作，縮小了尺寸，降低了成本。

特性

• 5.7kVRMS單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器~~
• 符合AEC-Q100認(rèn)證，具有以下特性：
  • 器件溫度0級(jí)：-40°C to +150°C環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級(jí)3A
  • 器件充電器件模型 (CDM) ESD分類等級(jí)C6
• 功能安全質(zhì)量管理型
  • 可提供幫助進(jìn)行功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
• 高達(dá)2121Vpk 的SiC MOSFET和IGBT
• 4 A內(nèi)部有源米勒鉗位
• 發(fā)生故障時(shí)軟關(guān)斷：400mA
• 具有PWM輸出的隔離式模擬傳感器，用于：
  • 使用NTC、PTC或熱敏二極管進(jìn)行溫度檢測(cè)
  • 高壓直流鏈路或相位電壓
• 最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓：33V (VDD-VEE)
• 200ns響應(yīng)時(shí)間快速DESAT保護(hù)，5V閾值
• ±10A驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和分離輸出
• 最低CMTI：150V/ns
• 過(guò)流報(bào)警FLT和RST/EN復(fù)位
• 在RST/EN上快速啟用/禁用響應(yīng)
• 在輸入引腳上抑制<40ns噪聲瞬態(tài)和脈沖
• 12 V VDD UVLO，RDY電源正常
• 輸入/輸出可耐受高達(dá)5V的過(guò)沖/欠沖瞬態(tài)電壓
• 130 ns（最大值）傳播延遲和30 ns（最大值）脈沖/零件偏移
• SOIC-16 DW封裝，爬電距離和電氣間隙為>8mm
• 工作結(jié)溫范圍：-40°C至+150°C

引腳配置

UCC21755-Q1汽車級(jí)SiC/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述與核心特性

UCC21755-Q1是德州儀器(TI)推出的汽車級(jí)單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，專為SiC MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)，具有以下突出特性：

?關(guān)鍵參數(shù)?：

• ?超強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力?：±10A峰值源/灌電流輸出
• ?寬電壓范圍?：支持3.5V-80V輸入電壓，輸出驅(qū)動(dòng)電壓高達(dá)33V
• ?高級(jí)保護(hù)功能?：集成200ns快速DESAT保護(hù)、4A主動(dòng)米勒鉗位和400mA軟關(guān)斷
• ?隔離特性?：5.7kVRMS強(qiáng)化隔離，CMTI>150V/ns
• ?集成傳感功能?：隔離式模擬-PWM傳感器接口，支持溫度/電壓監(jiān)測(cè)

?汽車認(rèn)證?：

• AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證（-40°C至+125°C環(huán)境溫度）
• 功能安全質(zhì)量管理，提供完整的文檔支持

二、創(chuàng)新架構(gòu)設(shè)計(jì)

1. 隔離與驅(qū)動(dòng)架構(gòu)

采用SiO2電容隔離技術(shù)實(shí)現(xiàn)：

• 1.5kVRMS工作電壓
• 12.8kVPK浪涌抗擾度

• 40年隔離屏障壽命

• 低至130ns傳播延遲

2. 雙級(jí)輸出結(jié)構(gòu)

• ?混合上拉架構(gòu)?：PMOS與NMOS并聯(lián)，有效上拉電阻僅0.7Ω
• ?獨(dú)立下拉路徑?：0.3Ω低阻抗NMOS下拉
• 分體式輸出(OUTH/OUTL)支持獨(dú)立控制開(kāi)通/關(guān)斷速度

3. 保護(hù)機(jī)制

?三級(jí)保護(hù)體系?：

1. ?DESAT保護(hù)?：5V閾值，200ns響應(yīng)
2. ?主動(dòng)米勒鉗位?：2V閾值電壓，4A鉗位能力
3. ?軟關(guān)斷?：400mA恒流關(guān)斷，降低電壓過(guò)沖

三、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)指南

1. 半橋驅(qū)動(dòng)配置

?關(guān)鍵元件選型?：

?PCB布局要點(diǎn)?：

• COM引腳采用開(kāi)爾文連接至功率器件源極
• 柵極環(huán)路面積<20mm2
• 輸入/輸出側(cè)地平面分離

2. 溫度監(jiān)測(cè)實(shí)現(xiàn)

輸出特性：

• 400kHz固定頻率PWM
• 0.6-4.5V輸入對(duì)應(yīng)10%-88%占空比
• ±3%精度（單點(diǎn)校準(zhǔn)后±1%）

四、關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)

1. DESAT保護(hù)電路

?推薦配置?：

• 高壓二極管：US1J（1000V/1A）
• 空白電容：CBLK=100pF-1nF
• 保護(hù)電路：
  • 串聯(lián)電阻：1-10Ω
  • 肖特基二極管：防止負(fù)壓
  • 齊納二極管：限制正壓

2. 增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)方案

對(duì)于>15A驅(qū)動(dòng)需求：

• 推薦緩沖器：MJD44H11/MJD45H11對(duì)管
• 軟關(guān)斷配置：
  CSTO = (0.4A×tSTO)/(VDD-VEE)
  RSTO ≥ (VDD-VEE)/10

五、熱設(shè)計(jì)與可靠性

1. 熱特性參數(shù)

• 結(jié)到環(huán)境熱阻：68.3°C/W
• 最大功耗：1.22W@Ta=25°C
• 安全工作溫度：150°C結(jié)溫

2. 降額曲線

• VDD=15V/VEE=-5V時(shí)：
  • 125°C環(huán)境溫度下最大61mA安全電流
• VDD=20V/VEE=-5V時(shí)：
  • 125°C環(huán)境溫度下最大49mA安全電流

六、應(yīng)用場(chǎng)景

1. ?新能源汽車?：
   • 牽引逆變器（EV/HEV）
   • 車載充電器(OBC)
   • DC/DC轉(zhuǎn)換器
2. ?工業(yè)電力?：
   • 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
   • 太陽(yáng)能逆變器
   • 工業(yè)電源