Texas Instruments DRV8143H-Q1EVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM) 演示DRV8144H HotRod? 半橋驅(qū)動(dòng)器的性能和特性。具有全集成的半橋驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于各種汽車應(yīng)用。Texas Instruments DRV8143H-Q1EVM設(shè)計(jì)用于工作電壓范圍為4.5V至35V、最大輸出電流為20A的大電流應(yīng)用。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments DRV8143H-Q1EVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 輸出電流最大值：20A
• 可配置壓擺率和擴(kuò)頻時(shí)鐘，實(shí)現(xiàn)低EMI
• 通過IPROPI集成電流檢測(cè)和調(diào)節(jié)
• 硬件PWM控制

板布局

德州儀器DRV8143H-Q1EVM電機(jī)驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊技術(shù)解析?

?一、產(chǎn)品概述?

DRV8143H-Q1EVM是德州儀器(TI)推出的汽車級(jí)H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊，屬于DRV814x-Q1系列產(chǎn)品線。該評(píng)估板專為汽車電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)，支持4.5V至36V寬輸入電壓范圍，可驅(qū)動(dòng)高達(dá)10A的連續(xù)輸出電流。模塊集成了TI專有的HotRod?封裝技術(shù)，具有優(yōu)異的散熱性能和功率密度，適用于電動(dòng)座椅、天窗控制、燃油泵驅(qū)動(dòng)等汽車應(yīng)用場景。

?二、核心特性?

1. ?高性能驅(qū)動(dòng)架構(gòu)?
   • 集成N溝道MOSFET輸出級(jí)，RDS(ON)低至8mΩ（典型值）
   • 支持PWM/PH-EN/獨(dú)立半橋三種工作模式
   • 內(nèi)置電荷泵穩(wěn)壓器，確保高側(cè)MOSFET全電壓驅(qū)動(dòng)
2. ?多重保護(hù)機(jī)制?
   • 過流保護(hù)（OCP）響應(yīng)時(shí)間<1μs
   • 過溫關(guān)斷（TSD）閾值170°C（遲滯20°C）
   • 電源欠壓鎖定（UVLO）4.2V典型值

?三、硬件設(shè)計(jì)解析?

?1. 關(guān)鍵接口布局?

• ?電源輸入?：采用螺絲端子連接，內(nèi)置反極性保護(hù)電路（LM74610QDGKRQ1+CSD18513Q5A MOSFET）
• ?電機(jī)輸出?：OUT1/OUT2香蕉插座支持10A連續(xù)電流
• ?控制接口?：
  • J4信號(hào)頭引出所有控制引腳（nSLEEP、nFAULT等）
  • SPI版本支持寄存器配置（SCLK/SDI/SDO）

?2. 散熱設(shè)計(jì)?

• HotRod?封裝通過PCB銅層散熱：
  • 建議使用2oz銅厚+5×0.2mm散熱過孔陣列
  • 熱阻θJA=40.8°C/W（無額外散熱）

四、軟件控制方案?

?1. GUI操作流程?

1. ?硬件連接?：
   • 連接Micro-USB至J6接口
   • 接入4.5-36V電源至J14端子
   • 觀察狀態(tài)LED：
     • D1（STATUS）：1Hz閃爍表示待機(jī)
     • D3（VM）：電源輸入指示
2. ?模式配置?：
   • 通過跳線選擇PH/EN或PWM模式
   • SPI版本可通過寄存器設(shè)置（S_MODE[1:0]）
3. ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)測(cè)試?：
   • 在GUI中設(shè)置PWM占空比（0-100%）
   • 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)IPROPI電壓（VIPROPI = IPROPI × RIPROPI）

?2. 診斷功能?

• ? 被動(dòng)診斷（OLP） ?：
  • 需禁用驅(qū)動(dòng)器（DRVOFF=1）
  • 檢測(cè)開路/短路故障（通過nFAULT引腳）
• ?主動(dòng)診斷?：
  • 實(shí)時(shí)電流監(jiān)測(cè)（IPROPI）
  • 故障計(jì)數(shù)器（S_FLT_CNT寄存器）

?五、典型應(yīng)用電路?

?1. 汽車天窗驅(qū)動(dòng)?

• ?參數(shù)配置?：
  • 輸入：12V汽車電池
  • 輸出：6A峰值電流（雙向驅(qū)動(dòng)）
  • 保護(hù)設(shè)置：ITRIP=8A，TSD使能
• ?布局要點(diǎn)?：
  • VM去耦電容需靠近引腳（2×150μF陶瓷電容）
  • 電機(jī)線采用雙絞線降低EMI