在數(shù)字經(jīng)濟加速滲透的當下，算力與光互聯(lián)的協(xié)同演進成為產(chǎn)業(yè)升級的核心驅(qū)動力，而光模塊的性能突破，始終依賴于核心光源芯片的技術(shù)迭代。作為國內(nèi)高端半導體激光芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，度亙核芯依托全流程自主可控的FAB工藝平臺，成功推出全國產(chǎn)化新一代1310nm單模DFB（分布式反饋）激光芯片及其COS封裝產(chǎn)品，從芯片設計、外延生長、工藝制備到規(guī)?；慨a(chǎn)實現(xiàn)全流程自主可控，其核心優(yōu)勢包括：非制冷70mW高功率、高效率輸出、單縱模高穩(wěn)定性激光，為數(shù)據(jù)中心互連、光子計算等關(guān)鍵場景提供 “國產(chǎn)替代、性能領(lǐng)先” 的光源解決方案，助力中國光通信產(chǎn)業(yè)鏈向上突破。

應用背景

無處不在的光聯(lián)接

錨定光互聯(lián)核心需求

1310nm 波段作為光纖通信 O 波段的“黃金窗口”，兼具低傳輸損耗、近零色散特性，是中短距離高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)淖顑?yōu)選擇之一。隨著數(shù)據(jù)中心向400G/800G甚至1.6T速率演進，光模塊對光源芯片提出了“高功率、低功耗、窄線寬、高穩(wěn)定”的嚴苛要求——既要支撐高密度算力實時交互，又要適配數(shù)據(jù)中心低能耗部署需求。

度亙核芯1310nm DFB激光芯片精準錨定這一需求，憑借其高穩(wěn)定、單縱模特性（邊模抑制比≥40dB），完美匹配硅光模塊對光源的高兼容性要求，成為高端光模塊的“核心心臟”，為光互聯(lián)網(wǎng)絡的穩(wěn)定高速運轉(zhuǎn)注入“中國動力”。

產(chǎn)品特點

四大指標領(lǐng)跑行業(yè)

賦能高端光模塊

度亙核芯1310nm CW DFB 70mW產(chǎn)品是一款專為硅光光源、數(shù)據(jù)中心等應用設計的高功率半導體激光芯片，可在25~75℃溫度范圍內(nèi)達到70mW的出光功率，采用掩埋異質(zhì)結(jié)（BH）結(jié)構(gòu)，具有低閾值、對稱遠場發(fā)散角、高電光轉(zhuǎn)換效率、高耦合效率的優(yōu)勢。在功率、效率、穩(wěn)定性等維度實現(xiàn)全面突破：

1310 CW DFB 70mW COS的L-I特性曲線

1310 CW DFB 70mW COS 25℃下的光譜曲線

1310 CW DFB 70mW COS 75℃下的光譜曲線

緊跟硅光/CPO趨勢

搶占下一代光通信技術(shù)高地

隨著硅光集成、CPO（共封裝光學）等新技術(shù)加速落地，光通信正朝著800G、1.6T乃至更高帶寬演進，對激光芯片的“小型化、低功耗、高集成”提出更高要求。看似微小的1310nm DFB激光芯片與COS封裝技術(shù)，實則是現(xiàn)代光網(wǎng)絡不可或缺的基礎。在萬物互聯(lián)的時代，作為光通信產(chǎn)業(yè)鏈的“上游核心”，度亙核芯將持續(xù)創(chuàng)新，深耕于光的細微之處，，讓“中國芯”支撐起全球數(shù)字網(wǎng)絡的高速運轉(zhuǎn)。