中國(guó)上海，2025年9月9日 —Nexperia每年增加 800多種新產(chǎn)品類(lèi)型。2024年，僅模擬和電源管理應(yīng)用便推出了超過(guò) 70種新部件。為支持 Nexperia產(chǎn)品擴(kuò)展，e絡(luò)盟緊跟其不斷擴(kuò)大的產(chǎn)品組合，擴(kuò)充了自身的庫(kù)存產(chǎn)品型號(hào)范圍，以便更精準(zhǔn)的服務(wù)全球工程師。

Nexperia提供離散元件、功率元件和邏輯集成電路，在質(zhì)量和可靠性方面享有盛譽(yù)，并大筆投資制造業(yè)。比如在德國(guó)漢堡工廠投資 2億美元研發(fā) SiC和 GaN技術(shù)。目前，這項(xiàng)投資已初見(jiàn)成效，其產(chǎn)品組合迅速增長(zhǎng)，涵蓋功率 MOSFET、寬帶間隙半導(dǎo)體、IGBT以及模擬和電源管理集成電路。

Nexperia每年增加 800多種新產(chǎn)品類(lèi)型。2024年，僅模擬和電源管理應(yīng)用便推出了超過(guò) 70種新部件。

這些制造方面的進(jìn)步和新產(chǎn)品的推出彰顯出 Nexperia在努力踐行提升生產(chǎn)能力和滿足未來(lái)需求的承諾；e絡(luò)盟擴(kuò)充新增 Nexperia電源產(chǎn)品庫(kù)存的行動(dòng)也體現(xiàn)出 e絡(luò)盟努力滿足客戶需求的決心。

e絡(luò)盟無(wú)源元件和半導(dǎo)體全球產(chǎn)品類(lèi)別總監(jiān) Jose Lok表示：“尖端電源產(chǎn)品的重要性不言而喻，Nexperia提供的一些優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品已覆蓋汽車(chē)、工業(yè)、便攜式及可穿戴應(yīng)用領(lǐng)域。我們共同努力確保開(kāi)發(fā)人員能夠在需要時(shí)精準(zhǔn)獲得所需元件。目前，e絡(luò)盟已在美洲、歐洲、中東和非洲以及亞太地區(qū)全面鋪開(kāi) Nexperia庫(kù)存，隨時(shí)為全球工程師提供堅(jiān)實(shí)支持。”

e絡(luò)盟推出的新品系列包括：

• 功率 MOSFET –汽車(chē)認(rèn)證功率 MOSFET、小信號(hào) MOSFET以及專(zhuān)用 MOSFET（電壓范圍為 20V至 100V）。這些器件采用銅夾片封裝技術(shù)（LFPAK、CCPAK）和微型引線封裝 (MLPAK)，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和可靠性。
• H系列（高速）和 M系列（電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)）650VIGBT分立器件展現(xiàn)出出色的耐用性與高可靠性，同時(shí)可提升逆變器功率密度，適用于中高壓工業(yè)領(lǐng)域。
• SiC二極管具有不受溫度影響的電容關(guān)閉和零恢復(fù)開(kāi)關(guān)特性，以及出色的品質(zhì)因數(shù) (Qc x VF)。
• SiC MOSFET提供出色的 RDSon溫度穩(wěn)定性、快速開(kāi)關(guān)速度和高短路耐受能力，適用于高功率和高電壓工業(yè)應(yīng)用。
• 低壓增強(qiáng)型 GaN FET、650 V增強(qiáng)型 GaN FET、40 V雙向 GaN FET和 650 V共源共柵 GaN FET，旨在通過(guò)降低低功率或高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高功率密度。
• 功率整流器可以提供高功率密度，同時(shí)還能減少反向恢復(fù)時(shí)間和功率損耗。

Nexperia分銷(xiāo)事業(yè)部高級(jí)企業(yè)客戶經(jīng)理 Kinga Czutro表示：“我們?yōu)殡娫串a(chǎn)品在廣泛應(yīng)用中的出色表現(xiàn)感到自豪。e絡(luò)盟的及時(shí)供貨與專(zhuān)業(yè)支持，是助力工程師快速且可靠地實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)落地的重要保障。這種合作關(guān)系充分體現(xiàn)了雙方的共同愿景。”

Nexperia的新款電源產(chǎn)品系列現(xiàn)在可通過(guò)Farnell（歐洲、中東和非洲地區(qū)）、Newark（北美）和 e絡(luò)盟（亞太地區(qū)）訂購(gòu)并發(fā)貨。