9月8日消息，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)，于近日在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備，成功完成了12英寸碳化硅晶圓的剝離操作。這一成果不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)應(yīng)用的空白，更為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵制造裝備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力，同時(shí)也為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)突破成本瓶頸、提升生產(chǎn)效率開(kāi)辟了創(chuàng)新路徑。

此前，該激光剝離技術(shù)已在6英寸、8英寸碳化硅晶圓加工領(lǐng)域通過(guò)了多家行業(yè)客戶的實(shí)際驗(yàn)證，設(shè)備性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，為此次12英寸技術(shù)突破奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

此次技術(shù)突破對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義重大：

大幅降低生產(chǎn)成本：12英寸碳化硅晶圓的可用面積相比目前主流的6英寸晶圓提升約4倍，單位芯片成本降低30%-40%。

提升產(chǎn)業(yè)供給能力：攻克了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術(shù)瓶頸，為全球碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)張?zhí)峁┝嗽O(shè)備保障。

加速國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程：打破了國(guó)外廠商在大尺寸碳化硅加工設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，有力支撐了我國(guó)半導(dǎo)體裝備的自主可控發(fā)展。

促進(jìn)下游應(yīng)用普及：成本的降低將加速碳化硅器件在新能源汽車、可再生能源等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

這一突破性進(jìn)展，將對(duì)全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響，有望推動(dòng)碳化硅器件在更多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用，助力相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)與發(fā)展。我們期待未來(lái)能看到更多此類創(chuàng)新成果，為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入新的活力。

審核編輯 黃宇