上次簡(jiǎn)單介紹了一下DDR3的ODT的作用，今天來(lái)詳細(xì)聊一聊ODT的幾種操作模式，首先是ODT的同步操作模式，這也時(shí)使用最多，最常用的模式。

只要DLL處于開(kāi)啟且是鎖定狀態(tài)，就處于同步ODT模式。當(dāng)DLL處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，不可使用直接ODT（Direct ODT）功能。此時(shí)，必須通過(guò)持續(xù)置ODT引腳為低電平，并將RTT_Nom電阻值置為0（set MR1{A9,A6,A2} to {0,0,0} ）。

在同步ODT模式下，RTT會(huì)在ODT被采樣為高電平的那個(gè)時(shí)鐘上升沿之后的ODTLon個(gè)時(shí)鐘周期被打開(kāi)，同時(shí)，RTT會(huì)在ODT被寄存為低電平（采樣并被寄存）之后的ODTLoff個(gè)時(shí)鐘周期被關(guān)閉。其中，ODT的潛伏期（Latency）取決于寫潛伏期（WL）：ODTLon=WL-2；ODTLoff=WL-2；

補(bǔ)充說(shuō)明：WL，寫潛伏期，即寫入命令發(fā)出到第一筆數(shù)據(jù)輸入（主機(jī)到DDR的寫入）的潛伏期。WL=AL+CWL。

如下表：

在同步ODT中，我們主要關(guān)注下面四個(gè)參數(shù)：

ODTLon, ODTLoff, tAON,min,max, tAOF,min,max.

ODTLon, ODTLoff已經(jīng)介紹過(guò)了，下面講一講tAON,min,max, tAOF,min,max.

Minimum RTT turn-on time (tAONmin) is the point in time when the device leaves high impedance and ODT resistance begins to turn on. Maximum RTT turn on time (tAONmax) is the point in time when the ODT resistance is fully on. Both are measured from ODTLon.

Minimum RTT turn-off time (tAOFmin) is the point in time when the device starts to turn off the ODTresistance. Maximum RTT turn off time (tAOFmax) is the point in time when the on-die termination hasreached high impedance. Both are measured from ODTLoff.

When ODT is asserted, it must remain high until ODTH4 is satisfied. If a Write command is registered bythe SDRAM with ODT high, then ODT must remain high until ODTH4 (BL = 4) or ODTH8 (BL = 8) after the Write command (see Figure 67). ODTH4 and ODTH8 are measured from ODT registered high to ODT registered low or from the registration of a Write command until ODT is registered low.

兩個(gè)ODT操作的例子：

注意：上面給出的都是寫入的例子，并不適用于讀取模式。由于DDR3 SDRAM并不支持同時(shí)讀取和寫入（As the DDR3 SDRAM can not terminate and drive at the same time），RTT必須在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取之前的半個(gè)時(shí)鐘周期，通過(guò)置ODT引腳為低電平將RTT禁止。

重要說(shuō)明：也就是說(shuō)，DDR3 SDRAM中的ODT功能只支持寫入操作，并不支持讀取操作。換句話說(shuō)，就是需要在讀數(shù)據(jù)時(shí)，打開(kāi)主控端的ODT（前提是主機(jī)支持ODT），關(guān)閉DDR3端的 ODT；而在寫數(shù)據(jù)時(shí)，則相反；數(shù)據(jù)線空閑時(shí)，則關(guān)閉兩端的ODT。