引言

浸沒(méi)式光刻（Immersion Lithography）通過(guò)在投影透鏡與晶圓之間填充高折射率液體（如超純水，n≈1.44），突破傳統(tǒng)干法光刻的分辨率極限，廣泛應(yīng)用于 45nm 至 7nm 節(jié)點(diǎn)芯片制造。其光刻后圖形的關(guān)鍵尺寸（CD）、高度、側(cè)壁傾角及水跡殘留導(dǎo)致的表面缺陷等參數(shù)，直接影響后續(xù)蝕刻工藝的轉(zhuǎn)移精度。例如，14nm 節(jié)點(diǎn)器件要求浸沒(méi)式光刻后的 CD 均勻性 3σ<1.5nm，高度偏差 < 3nm。傳統(tǒng)測(cè)量方法中，掃描電鏡（SEM）難以量化高度信息，原子力顯微鏡（AFM）效率低，無(wú)法滿足大面積工藝評(píng)估需求。白光干涉儀憑借非接觸、納米級(jí)精度、三維成像的特性，成為浸沒(méi)式光刻后輪廓測(cè)量的核心工具，為液體折射率控制、曝光焦距優(yōu)化提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。

浸沒(méi)式光刻后測(cè)量的核心需求

浸沒(méi)式光刻后測(cè)量需滿足三項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)：一是水跡與缺陷識(shí)別，需區(qū)分光刻膠表面因液體殘留導(dǎo)致的納米級(jí)水跡（高度 < 5nm）與真實(shí)圖形結(jié)構(gòu)，避免誤判；二是高精度參數(shù)同步表征，需同時(shí)獲取 CD（誤差 <±1nm）、高度（精度 <±0.5nm）、側(cè)壁傾角（偏差 <±0.1°），尤其需捕捉液體折射率不均導(dǎo)致的局部 CD 偏差；三是高效批量檢測(cè)，單 12 英寸晶圓測(cè)量時(shí)間 < 15 分鐘，覆蓋至少 25 個(gè)曝光場(chǎng)，且避免光刻膠吸水導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)變形。

接觸式測(cè)量易破壞納米結(jié)構(gòu)，光學(xué)輪廓儀對(duì)水跡的識(shí)別能力不足，均無(wú)法滿足需求。白光干涉儀的技術(shù)特性恰好適配這些測(cè)量難點(diǎn)。

白光干涉儀的技術(shù)適配性

納米級(jí)缺陷分辨能力

白光干涉儀的垂直分辨率達(dá) 0.1nm，橫向分辨率 0.3μm，通過(guò)相移干涉（PSI）模式可清晰區(qū)分 3nm 高的水跡與 50nm 高的光刻膠圖形。其采用的多頻相位解包裹算法能精準(zhǔn)提取表面高度信息，結(jié)合形態(tài)學(xué)濾波可有效剔除水跡等非圖形缺陷（識(shí)別準(zhǔn)確率 > 99%）。例如，對(duì) 30nm 寬的柵極圖形，可在存在水跡干擾的情況下，仍保持 CD 測(cè)量偏差 < 0.8nm，滿足先進(jìn)制程的檢測(cè)要求。

材料與環(huán)境兼容性

針對(duì)浸沒(méi)式光刻常用的 ArF 光刻膠（對(duì)水敏感），白光干涉儀采用干燥載物臺(tái)與恒溫控制系統(tǒng)（溫度波動(dòng) <±0.1℃），避免測(cè)量過(guò)程中光刻膠吸水膨脹。其 400-500nm 可見(jiàn)光光源不會(huì)引發(fā)光刻膠二次曝光，通過(guò)優(yōu)化照明角度（0° 垂直入射）可減少液體殘留導(dǎo)致的散射光干擾，在表面反射率差異大的區(qū)域（如光刻膠與硅基底交界處）仍能保持信噪比> 35dB。

大面積均勻性分析能力

通過(guò)精密 XY 平臺(tái)的拼接掃描技術(shù)，白光干涉儀可在 12 分鐘內(nèi)完成 12 英寸晶圓的全域三維成像，生成曝光場(chǎng)級(jí)的 CD、高度分布熱力圖。結(jié)合空間插值算法，能識(shí)別因液體流動(dòng)不均導(dǎo)致的 CD 徑向梯度（如邊緣比中心大 1.2nm），為浸沒(méi)系統(tǒng)的液體流量控制提供數(shù)據(jù)依據(jù)。軟件支持水跡缺陷的自動(dòng)計(jì)數(shù)與面積統(tǒng)計(jì)，量化液體殘留對(duì)光刻質(zhì)量的影響。

具體測(cè)量流程與關(guān)鍵技術(shù)

測(cè)量系統(tǒng)配置

需配備超高數(shù)值孔徑物鏡（NA=0.95）與防反射涂層鏡頭，減少液體殘留的光反射干擾；采用高穩(wěn)定性白光光源（波長(zhǎng) 450nm，功率波動(dòng) < 0.1%）；Z 向掃描范圍≥10μm，步長(zhǎng) 0.1nm 以捕捉納米級(jí)高度變化。測(cè)量前用標(biāo)準(zhǔn)缺陷樣板（含 5nm 高模擬水跡）校準(zhǔn)，確保缺陷識(shí)別誤差 < 1nm。

數(shù)據(jù)采集與處理流程

晶圓經(jīng)真空吸附固定在恒溫載物臺(tái)（23℃±0.1℃）后，系統(tǒng)通過(guò) Mark 點(diǎn)定位曝光場(chǎng)，進(jìn)行三維掃描獲取干涉數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)處理包括三步：一是缺陷剔除，采用閾值分割算法區(qū)分水跡與光刻膠圖形；二是參數(shù)提取，計(jì)算有效圖形區(qū)域的 CD、高度、側(cè)壁傾角；三是均勻性分析，生成曝光場(chǎng)內(nèi)參數(shù)的 3σ 分布與徑向梯度曲線。

典型應(yīng)用案例

在 7nm 邏輯芯片的浸沒(méi)式光刻測(cè)量中，白光干涉儀檢測(cè)出曝光場(chǎng)邊緣 CD 存在 1.5nm 偏差，追溯為液體折射率分布不均，調(diào)整流量控制系統(tǒng)后 CD 均勻性提升至 3σ=0.9nm。在水跡缺陷分析中，發(fā)現(xiàn)某批次晶圓的水跡覆蓋率達(dá) 3%，通過(guò)優(yōu)化甩干工藝參數(shù)，覆蓋率降至 0.5% 以下。

應(yīng)用中的挑戰(zhàn)與解決方案

水跡與圖形的信號(hào)混淆

水跡與光刻膠的高度差異小時(shí)易導(dǎo)致參數(shù)誤判。采用雙波段干涉技術(shù)（450nm+635nm）可通過(guò)折射率差異區(qū)分兩者，將缺陷識(shí)別準(zhǔn)確率提升至 99.5%。

液體殘留的動(dòng)態(tài)變化

測(cè)量過(guò)程中液體蒸發(fā)會(huì)導(dǎo)致表面形貌改變。采用快速掃描模式（掃描速率 5mm/s）可將單場(chǎng)測(cè)量時(shí)間控制在 10 秒內(nèi)，減少蒸發(fā)影響，確保高度測(cè)量誤差 < 0.5nm。

大視野 3D 白光干涉儀：納米級(jí)測(cè)量全域解決方案

突破傳統(tǒng)局限，定義測(cè)量新范式！大視野 3D 白光干涉儀憑借創(chuàng)新技術(shù)，一機(jī)解鎖納米級(jí)全場(chǎng)景測(cè)量，重新詮釋精密測(cè)量的高效精密。

三大核心技術(shù)革新

1）智能操作革命：告別傳統(tǒng)白光干涉儀復(fù)雜操作流程，一鍵智能聚焦掃描功能，輕松實(shí)現(xiàn)亞納米精度測(cè)量，且重復(fù)性表現(xiàn)卓越，讓精密測(cè)量觸手可及。

2）超大視野 + 超高精度：搭載 0.6 倍鏡頭，擁有 15mm 單幅超大視野，結(jié)合 0.1nm 級(jí)測(cè)量精度，既能滿足納米級(jí)微觀結(jié)構(gòu)的精細(xì)檢測(cè)，又能無(wú)縫完成 8 寸晶圓 FULL MAPPING 掃描，實(shí)現(xiàn)大視野與高精度的完美融合。

3）動(dòng)態(tài)測(cè)量新維度：可集成多普勒激光測(cè)振系統(tǒng)，打破靜態(tài)測(cè)量邊界，實(shí)現(xiàn) “動(dòng)態(tài)” 3D 輪廓測(cè)量，為復(fù)雜工況下的測(cè)量需求提供全新解決方案。

實(shí)測(cè)驗(yàn)證硬核實(shí)力

1）硅片表面粗糙度檢測(cè)：憑借優(yōu)于 1nm 的超高分辨率，精準(zhǔn)捕捉硅片表面微觀起伏，實(shí)測(cè)粗糙度 Ra 值低至 0.7nm，為半導(dǎo)體制造品質(zhì)把控提供可靠數(shù)據(jù)支撐。

有機(jī)油膜厚度掃描：毫米級(jí)超大視野，輕松覆蓋 5nm 級(jí)有機(jī)油膜，實(shí)現(xiàn)全區(qū)域高精度厚度檢測(cè)，助力潤(rùn)滑材料研發(fā)與質(zhì)量檢測(cè)。

高深寬比結(jié)構(gòu)測(cè)量：面對(duì)深蝕刻工藝形成的深槽結(jié)構(gòu)，展現(xiàn)強(qiáng)大測(cè)量能力，精準(zhǔn)獲取槽深、槽寬數(shù)據(jù)，解決行業(yè)測(cè)量難題。

分層膜厚無(wú)損檢測(cè)：采用非接觸、非破壞測(cè)量方式，對(duì)多層薄膜進(jìn)行 3D 形貌重構(gòu)，精準(zhǔn)分析各層膜厚分布，為薄膜材料研究提供無(wú)損檢測(cè)新方案。

新啟航半導(dǎo)體，專(zhuān)業(yè)提供綜合光學(xué)3D測(cè)量解決方案！