Texas Instruments DRV8770EVM柵極驅(qū)動器評估模塊 (EVM) 可以輕松評估DRV8770 100V器件。DRV8770器件提供兩個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器可驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8770設有BST欠壓閉鎖、GVDD欠壓和熱關(guān)斷等保護功能。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments DRV8770EVM柵極驅(qū)動器評估模塊 (EVM)數(shù)據(jù)手冊.pdf

該評估模塊有一個板載降壓轉(zhuǎn)換器和LDO，為所有板上元件和半橋高壓電源供電。該評估板配有電位器，用于設置輸入控制引腳（INHA、INLA、INHB、INLB）的占空比。Texas Instruments DRV8770EVM可以改裝以支持外部微控制器，從而控制DRV8770電機驅(qū)動器。

特性

• 半橋工作電壓：5V至100V
• DRV8770電源電壓范圍：5V至20V
• 板載降壓轉(zhuǎn)換器和LDO
• 支持DRV8770的外部MCU控制

板布局

DRV8770柵極驅(qū)動器評估模塊技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述

Texas Instruments的DRV8770是一款專為有刷直流電機驅(qū)動應用設計的高性能柵極驅(qū)動器芯片，該評估模塊(EVM)提供了完整的硬件實現(xiàn)方案。作為100V半橋柵極驅(qū)動器，DRV8770集成了兩個獨立半橋驅(qū)動器，可直接驅(qū)動N溝道MOSFET，支持高達100V的MOSFET電源電壓(SHx)和5-20V的柵極驅(qū)動電源(GVDD)。

二、核心特性

1. ?驅(qū)動能力?：
   • 750mA源電流和1.5A灌電流驅(qū)動能力
   • 支持高達15秒的電池供電應用
   • 4ns典型傳播延遲匹配
2. ?集成設計?：
   • 內(nèi)置自舉二極管
   • 支持QFN封裝中的反相和非反相INLx輸入
   • 緊湊型QFN(4×4mm)和TSSOP(6.4×4.4mm)封裝
3. ?保護功能?：
   • 自舉欠壓鎖定(BSTUV)
   • GVDD欠壓保護(GVDDUV)
   • SHx引腳可耐受-22V負瞬變電壓

三、應用領(lǐng)域

DRV8770特別適合以下應用場景：

• 電動自行車、電動滑板車等電動交通工具
• 無繩園藝工具、割草機和電動工具
• 無繩吸塵器
• 無人機、機器人和遙控玩具
• 工業(yè)和物流機器人

四、技術(shù)細節(jié)解析

1. 柵極驅(qū)動架構(gòu)

DRV8770采用自舉柵極驅(qū)動架構(gòu)，通過集成自舉二極管和外接電容為高邊MOSFET生成正確的柵極驅(qū)動電壓，而GVDD則為低邊MOSFET柵極提供驅(qū)動。這種設計支持高達750mA源電流和1.5A灌電流的柵極驅(qū)動電流。

2. 工作模式控制

在QFN封裝版本中，MODE引腳提供了靈活的控制選項：

• MODE懸空時：GLx輸出與INLx輸入同相(非反相模式)
• MODE接GVDD時：GLx輸出與INLx輸入反相

TSSOP封裝版本默認采用反相模式，無需MODE引腳控制。

3. 死區(qū)時間控制

DRV8770提供了可調(diào)節(jié)的死區(qū)時間功能：

• QFN封裝：通過DT引腳連接電阻到地實現(xiàn)200ns至2000ns可調(diào)死區(qū)
• TSSOP封裝：固定200ns死區(qū)時間

死區(qū)時間計算公式為：RDT(kΩ) = (tDEAD(ns) - 150)/0.25

五、保護機制

DRV8770集成了多重保護功能：

1. ? 自舉欠壓保護(BSTUV) ?：
   • 檢測閾值：上升沿4.5V，下降沿4.2V
   • 滯回電壓：200mV
   • 去抖時間：6-22μs
2. ? GVDD欠壓保護(GVDDUV) ?：
   • 檢測閾值：上升沿4.6V，下降沿4.35V
   • 滯回電壓：250-310mV
   • 去抖時間：5-13μs

六、性能參數(shù)

1. 電氣特性：
   • 工作溫度范圍：-40°C至125°C(環(huán)境溫度)
   • 結(jié)溫范圍：-40°C至150°C
   • 邏輯輸入電壓：0-VGVDD
2. 開關(guān)特性：
   • 傳播延遲：70-180ns
   • 上升時間(10%-90%)：24-50ns
   • 下降時間(90%-10%)：24-50ns