集邦咨詢調(diào)查顯示，下半年NAND Flash市場(chǎng)受需求動(dòng)能相對(duì)平淡，以及供貨商64/72層3D NAND良率及產(chǎn)出繼續(xù)提升影響，市場(chǎng)將從原先預(yù)期的供給緊縮來(lái)到接近供需平衡的狀態(tài)......

依據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，下半年NAND Flash市場(chǎng)受需求動(dòng)能相對(duì)平淡，以及供貨商64/72層3D NAND良率及產(chǎn)出繼續(xù)提升影響，市場(chǎng)將從原先預(yù)期的供給緊縮來(lái)到接近供需平衡的狀態(tài)，預(yù)期各產(chǎn)品合約價(jià)仍將續(xù)跌。

回顧2018年上半年NAND Flash市場(chǎng)狀況，受到傳統(tǒng)淡季沖擊及64/72層3D NAND產(chǎn)能穩(wěn)定擴(kuò)張影響，各類(lèi)產(chǎn)品合約價(jià)已連續(xù)兩個(gè)季度下跌，各供貨商也在這段期間內(nèi)藉由對(duì)高容量產(chǎn)品提供價(jià)格誘因，吸引客戶增加搭載容量，以刺激旺季需求進(jìn)一步成長(zhǎng)，同時(shí)稍微放緩今年的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，試圖力挽價(jià)格走跌態(tài)勢(shì)延續(xù)至下半年。

然而，從需求面來(lái)看，第三季雖屬傳統(tǒng)旺季，但來(lái)自智能手機(jī)、筆記本電腦及平板電腦的需求分別呈現(xiàn)0-1%、0-1%及9-10%的季成長(zhǎng)，動(dòng)能相對(duì)平淡，供貨商試圖透過(guò)進(jìn)一步降價(jià)刺激需求，卻也讓價(jià)格跌幅大于先前預(yù)期。

第四季價(jià)格料續(xù)跌，惟須觀察蘋(píng)果新機(jī)銷(xiāo)售表現(xiàn)

展望第四季，在供給面雖然新增產(chǎn)能不多，但供貨商的64/72層產(chǎn)品良率預(yù)期皆將接近或超過(guò)80%水平，達(dá)到成熟狀態(tài)；供貨商并準(zhǔn)備新增或轉(zhuǎn)移產(chǎn)能至96層制程世代，帶動(dòng)位元產(chǎn)出持續(xù)成長(zhǎng)。

至于需求面，在筆記本電腦成長(zhǎng)疲軟、智能手機(jī)硬件規(guī)格缺乏亮點(diǎn)，以及換機(jī)動(dòng)能不足的狀況下，需求成長(zhǎng)難以追上供給成長(zhǎng)，價(jià)格恐將進(jìn)一步走跌，預(yù)期跌幅將比第三季更為顯著。但需觀察的是若蘋(píng)果新機(jī)銷(xiāo)售狀況穩(wěn)健，可望微幅減緩第四季價(jià)格跌幅。

大阪強(qiáng)震對(duì)東芝影響有限，NAND Flash供給無(wú)虞

6月18日在日本大阪發(fā)生規(guī)模達(dá)6.1級(jí)的強(qiáng)震，東芝NAND Flash工廠所在的四日市市亦有四級(jí)震度。DRAMeXchange追蹤顯示，東芝在地震后立即停機(jī)檢查，并于6月19日完成晶圓受損狀況盤(pán)點(diǎn)，受影響晶圓數(shù)量有限且可以重制（Rework）后返回市場(chǎng)銷(xiāo)售，對(duì)于市場(chǎng)供給幾無(wú)影響，工廠也迅速回復(fù)正常運(yùn)作。

搶攻全球NAND Flash市場(chǎng) 美光宣布在新加坡興建第3工廠

在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。

美光指出，繼目前在新加坡?lián)碛蠪ab 10N、Fab 10X兩座NAND Flash快閃存儲(chǔ)器工廠之后，將在當(dāng)?shù)嘏d建第3座NAND Flash快閃存儲(chǔ)器工廠。新工廠的占地面積約16．5萬(wàn)平方米，計(jì)劃2019年年中前后完工，2019年第4季開(kāi)始投產(chǎn)。

不過(guò)，美光沒(méi)有公布新工廠的具體投產(chǎn)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器類(lèi)型和產(chǎn)能。但是，根據(jù)外界的預(yù)估，其投產(chǎn)的NAND Flash快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品類(lèi)型，應(yīng)該是現(xiàn)有64層堆疊快閃存儲(chǔ)器的下一代產(chǎn)品。

另外，美光除了宣布將在新加坡興建第3座NAND Flash快閃存儲(chǔ)器工廠之外，美光還表示，將在新加坡擴(kuò)大當(dāng)前的研發(fā)規(guī)模，這將使得當(dāng)?shù)貑T工總數(shù)，有望從目前的7，500人增加到1萬(wàn)人以上。

除了美光在NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的發(fā)展外，在DRAM方面，值得一提的是，不久之前，美光的臺(tái)中工廠也因?yàn)楣┑O(shè)備出現(xiàn)電路問(wèn)題，發(fā)生氮?dú)夤?yīng)故障的情況，影響到部分的產(chǎn)品。對(duì)此，美光CEO Sanjay Mehrotra在之前的法說(shuō)會(huì)也已經(jīng)證實(shí)此事。

Sanjay Mehrotra表示，氮?dú)夤?yīng)受阻事件恐將導(dǎo)致美光本季DRAM產(chǎn)出減少2％到3％。而美光已經(jīng)將相關(guān)故障設(shè)備被送往美國(guó)進(jìn)行維修，并于日前重新回到工廠，并且在4月份開(kāi)始重新投入生產(chǎn)的工作。