石墨烯因其零帶隙能帶結(jié)構(gòu)和高載流子遷移率，在量子霍爾效應(yīng)研究中具有獨特優(yōu)勢。然而，基于碳化硅襯底的石墨烯（SiC/G）器件中，n型與p型載流子的輸運性能差異顯著。Xfilm埃利測量作為電阻檢測領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)者，依托ECOPIA 霍爾效應(yīng)測試儀HMS-3000的高精度量測能力，系統(tǒng)研究了SiC/G器件中n型與p型載流子的輸運性能差異，并評估了其在量子計量中的應(yīng)用潛力，為器件優(yōu)化提供了理論支持。

單層石墨烯的整數(shù)量子霍爾效應(yīng)示意圖

實驗設(shè)計與低溫輸送性能對比

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通過雙層PMMA摻雜工藝調(diào)控F4TCNQ?陰離子吸附量，制備載流子濃度相近的n型和p型SiC/G器件（載流子濃度：5×101?cm?2）。在5K低溫與9T磁場下，兩類器件均表現(xiàn)出整數(shù)量子霍爾效應(yīng)（IQHE），霍爾電阻穩(wěn)定于量子化值RH=h/(2e2)，縱向電阻趨近于零。但p型器件進入量子霍爾態(tài)所需的臨界磁場（Bc）顯著高于n型（p型比n型高1.2T）。n型器件遷移率（μ）始終優(yōu)于p型，且在載流子濃度升高時，μ下降趨勢更平緩（n型：Δμ≈20%，p型：Δμ≈35%）。

n型與p型器件的霍爾電阻和縱向電阻隨磁場變化曲線

載流子類型依賴性的物理機制

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p型器件性能劣化源于摻雜誘導(dǎo)的強散射效應(yīng)：

散射機制：初始SiC/G材料具有本征電子摻雜特性，制備p型器件需通過F4TCNQ?陰離子吸附中和電子并誘導(dǎo)空穴導(dǎo)電，導(dǎo)致表面負電荷密度升高（實驗值：n型摻雜濃度≈1×1012cm?2，p型≈3×1012cm?2）。

理論計算（基于Born近似散射模型）：p型空穴與F4TCNQ?陰離子的庫侖吸引力使散射截面比n型高3倍（σp/σn≈3:1），而n型電子因托馬斯-費米屏蔽效應(yīng)減弱排斥作用。

實驗驗證：p型器件遷移率僅為n型的1/3。

量子相干性破壞：弱局域化分析顯示，p型器件的相位相干長度（Lφ）隨溫度升高按Lφ∝T-0.5規(guī)律衰減，在10K時Lφ=0.6μm，僅為n型（1.2μm）的50%，表明其量子相干性受非彈性散射顯著破壞。

F4TCNQ?陰離子對電子和空穴的散射截面理論計算結(jié)果

變溫輸送行為與計算應(yīng)用潛力

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在5–100K溫區(qū)內(nèi)，兩類器件均維持填充因子ν=±2的量子霍爾平臺（霍爾電阻穩(wěn)定于h/(2e2)，縱向電阻趨零），但差異表現(xiàn)為：

臨界磁場溫度依賴性：p型器件的Bc差值隨溫度升高擴大（5K時ΔB=1.2T，30K時ΔB=2.2T），與熱激發(fā)導(dǎo)致散射增強的理論模型一致。

熱穩(wěn)定性對比：在6T磁場下，p型器件的剩余電阻率隨溫度升高急劇上升（50K時ρp=300Ω），遠超n型（ρn=60Ω），證實其熱穩(wěn)定性劣化。

局域化效應(yīng)：變程跳躍模型分析顯示，p型局域化長度（ξp=97nm）遠大于n型（ξn=30nm），反映其更強的朗道能級展寬（源于高濃度散射中心的非均勻勢場）。

n型p型器件變溫對比

ECOPIA霍爾效應(yīng)測試儀 HMS-3000

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ECOPIA霍爾效應(yīng)測試儀HMS-3000是一款專業(yè)用于半導(dǎo)體材料電學特性分析的高精度儀器。該儀器可精準測量載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數(shù)等關(guān)鍵參數(shù)，這些參數(shù)是表征半導(dǎo)體材料電學性能的核心指標。

高精度恒流源（1nA~20mA），適應(yīng)不同材料的測試需求

六級電流精細分級，最大限度降低誤差，確保測量準確性

低噪聲測量技術(shù)：范德堡法則轉(zhuǎn)換+非接觸式設(shè)計，有效抑制儀器噪聲，提升信號純凈度

借助ECOPIA霍爾效應(yīng)測試儀HMS-3000的高精度測量，精準表征了載流子濃度、遷移率等關(guān)鍵參數(shù)，為器件優(yōu)化提供了數(shù)據(jù)支撐。Xfilm埃利測量作為量測技術(shù)引領(lǐng)者，助力集成電路與新能源領(lǐng)域突破技術(shù)瓶頸，為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展注入創(chuàng)新動能。

原文出處：《石墨烯量子霍爾效應(yīng)及其在量子電阻計量芯片中的應(yīng)用》